
- •Экзаменационные вопросы по курсу минералогии с основами кристаллографии Билет 1
- •Билет 2
- •Билет 3.
- •Билет 4.
- •Билет 5.
- •Билет 6.
- •Билет 7.
- •Билет 8.
- •Билет 9.
- •Билет 10.
- •Билет 11.
- •Билет 12.
- •Билет 13
- •Билет 14.
- •Билет 15.
- •Билет 16
- •Билет 17.
- •Билет 18.
- •Билет 19.
- •Билет 20.
- •Билет 21.
- •Билет 22.
- •Билет 23
- •Билет 24.
- •Билет 25.
- •Билет 26.
- •Билет 27.
- •Билет 28.
- •Билет 29.
Билет 10.
Симметрично равные и единичные направления в кристаллах. Категории.
Единственное, не повторяющееся в кристалле направление называется единичным. Повторяющиеся в кристалле направления, связанные элементами симметрии называются симметрично равными. Так в гексагональной пирамиде шестерная ось является единственным единичным направлением. А в кубе любое направление является симметрично равным.
По наличию или отсутствию единичных направлений кристаллические системы подразделяются на несколько категорий:
Низшая категория: несколько единичных направлений, нет осей симметрии порядка выше двух.
Средняя категория: одно единичное направление, совмещенное с единственной осью высшего порядка
Высшая категория: нет единичных направлений. Всегда присутствуют несколько осей выше второго порядка.
Плоскогранные и кривогранные кристаллы. Элементы рельефа граней. Разновидности штриховок.
Плоскогранные кристаллы – кристаллы, не осложненные какими либо дефектами, растущие в нестесненной обстановке.
Кривогранные кристаллы – рост кристаллов происходит в сложной химической, механической и термобарической обстановке. Возникают различные виды штриховки, бугорки роста, дефекты искажающие истинную форму граней.
Элементы рельефа:
Штриховка граней:
А) Комбинационная – развивается за счет механизмов послойного роста тех или иных комбинаций (или) простых форм развитых в кристалле того или иного минерала.
Б) Двойниковая – развивается за счет двойникования кристаллов, т.е. срастания кристаллов по плоскости, являющейся плоскостью симметрии для кристаллов, входящих в состав двойника (полисинтетическая штриховка в плагиоклазах).
В) Индукционная – развитие в кристалле штриховки, которая приобретена им от смежного кристалла. Фактическое повторение формы (псевдоморфоза) штриховки смежно растущего кристалла.
Холмики, ямки роста (вицинали) – скульптурные образования на гранях кристаллов, появление которых объясняется наличием механических примесей, выходом винтовых дислокаций.
Фигуры растворения – образуются под действием природных химически активных веществ. В основном горячие растворы – флюиды, экзогенные растворители.
Регенерация – этот процесс описывает восстановление искаженных при растворении форм граней путем залечивания растворенных форм, до плоскогранных.
Билет 11.
Взаимодействие единичных направлений с элементами симметрии
В присутствии единичных направлений возможен центр инверсии, лежащий в середине фигуры.
Плоскость симметрии может располагаться перпендикулярно единичному направлению, при этом наличию единичных направлений не препятствуют плоскости симметрии, перпендикулярные или параллельные им.
Наличию единичных направлений не препятствуют двойные оси, перпендикулярные им, или оси симметрии любого порядка, совмещенные с ними.
Скелетные и антискелетные кристаллы:
Скелетные и антискелетные кристаллы возникают в условиях быстрого роста и высокой степени пересыщения. Важно знать следующие понятия:
Простая гранная форма – совокупность граней кристалла, выводящихся друг из друга элементами симметрии.
Простая вершинная, реберная форма – совокупность вершин и ребер кристалла, выводящихся друг из друга элементами симметрии.
Скелетные кристаллы – рост граней значительно опережает рост ребер и вершин.
Антискелетные кристаллы – рост граней значительно отстает от роста ребер и вершин.