Оптоэлектронные приборы

Классификация полупроводниковых оптоэлектронных прибо-ров. Фотоприемники: фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор. Источники излучения: светодиод, полупроводниковый лазер. Оптопары. Оптоэлектронные интегральные схемы. Индика-торные приборы. Применение оптоэлектронных приборов.

М

6

атериал изложен в [1, п. 14.2 - 5; 2, п. 9.2; 6, гл. 9; 8, гл. 7; 9, п. 13.1].

27

6. Неинвертирующий ФВЧ

26

Перспективы развития электроники

Проблемы повышения степени интеграции интегральных схем. Функциональная электроника – перспективное направление в микро-электронике. Элементы функциональной электроники на поверх-ностных акустических волнах, на цилиндрических магнитных доменах, на основе эффекта Ганна. Приборы с зарядовой связью. Применение базовых матричных кристаллов и программируемых логических мат-риц. Наноэлектроника.

Материал изложен в [1, гл. 12; 2, п. 5.6, гл. 9; 6, п. 6.8, 6.9, гл. 8; 9, гл. 11, п.13.2, 13.3].

ОБЗОРНЫЕ ЛЕКЦИИ (12 ч)

1. Установочная лекция (читается перед началом семестра).

Программа дисциплины «Электроника». Рекомендуемая литература. Контрольное задание и методические указания к его решению (2 ч).

2. Применение биполярного транзистора для усиления элект- рических сигналов. Усилительный каскад на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. Малосигнальные параметры и эквивалентные схемы транзистора. Особенности работы транзистора на высоких частотах и в импульсном режиме (3 ч).

3. Усилительный каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме ОИ. Особенности работы полевых транзисторов на высоких частотах и в импульсном режиме (1 ч).

4. Конструкции гибридных и полупроводниковых интегральных схем. Особенности конструкции, характеристик и параметров интег-ральных элементов (1 ч).

5. Базовые ячейки аналоговых интегральных схем. Усилительные каскады аналоговых интегральных схем на биполярных и полевых транзисторах. Структура, основные параметры и приме-нение операционного усилителя (3 ч).

6. Электронные ключи на биполярных и МДП-транзисторах. Базовые логические элементы цифровых интегральных схем (2 ч).

ЛАБОРАТОРНЫЕ РАБОТЫ (6 ч)

1. Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме ОЭ.

2. Исследование операционного усилителя.

3. Исследование транзисторно-транзисторной логики.

7

Контрольное задание

№ вар	№ схемы	Элементы схемы						Способ напыле- ния
		R1 кОм	R2 кОм	R3 кОм	R4 кОм	С1 пФ	С2 пФ
1	1	5	10	10	100	100	-	Катодное
2	2	10	20	30	200	100	-	Термическое
3	3	10	10	10	-	30 000	-	Катодное
4	4	10	20	20	100	20 000	-	Термическое
5	5	20	20	20	40	5 000	2 500	Катодное
6	6	20	40	20	40	5 000	5 000	Термическое
7	7	10	10	10	-	500	20 000	Катодное
8	8	10	100	20	-	10 000	-	Термическое
9	9	10	1	100	-	10 000	10 000	Катодное
10	10	2	10	50	-	30 000	-	Термическое
11	11	20	4	100	100	10 000	10 000	Катодное
12	12	10	10	1	1	100	-	Термическое
13	13	10	10	100	100	100	-	Катодное
14	14	10	100	-	-	50 000	50 000	Термическое
15	15	10	100	100	-	100	-	Катодное
16	1	5	10	10	100	100	-	Термическое
17	2	10	20	30	200	100	-	Катодное
18	3	10	10	10	-	30 000	-	Термическое
19	4	10	20	20	100	20 000	-	Катодное
20	5	20	20	20	40	5 000	2 500	Термическое
21	6	20	40	20	40	5 000	5 000	Катодное
22	7	10	10	10	-	500	20 000	Термическое
23	8	10	100	20	-	10 000	-	Катодное
24	9	10	1	100	-	10 000	10 000	Термическое
25	10	2	10	50	-	30 000	-	Катодное
26	11	20	4	100	100	10 000	10 000	Термическое
27	12	10	10	1	1	100	-	Катодное
28	13	10	10	100	100	100	-	Термическое
29	14	10	100	-	-	50 000	50 000	Катодное
30	15	10	100	100	-	100	-	Термическое

Контрольное задание состоит из трех частей (трех са-мостоятельных заданий) и имеет 30 вариантов, различающихся исходными данными и условиями решаемых задач. Номер вы-полняемого варианта задания определяется суммой всех цифр номера зачетной книжки (если сумма цифр не превышает 30, номер варианта равен этой сумме, в противном случае для определения номера варианта из указанной суммы следует вычесть 30).

Первое задание посвящено расчету простейших усилительных каскадов на биполярных и полевых транзисторах графическим и аналитическим методами. Второе задание посвящено построению статической передаточной характеристики электронных ключей на биполярных и МДП-транзисторах и расчету их основных параметров. Оба первых задания содержат по три задачи, причем каждому студенту необходимо решить по одной из задач, номера которых для каждого варианта указаны в таблицах исходных данных к заданиям. В ходе выполнения третьего задания все студенты решают одну задачу, посвященную разработке топологии гибридной интегральной схемы на основе бескорпусного операционного усилителя.

Таким образом, в ходе выполнения каждого задания студенты решают по одной задаче. Значения элементов схем и необходимые для расчета масштабные коэффициенты приведены в таблицах исходных данных к заданиям. Условия решаемых задач и методические указания к их решению, а также рекомендуемая литература приведены ниже.

Контрольное задание должно быть аккуратно оформлено в отдельной тонкой тетради. Выполнение каждой задачи следует начинать с новой страницы. Для каждой задачи следует записать условия и исходные данные. В тексте необходимо оставлять поля для замечаний рецензента. Проверенное рецензентом контрольное задание представляется к защите, которая проводится в ходе экзамена. Студент допускается к экзамену при наличии выполненных лабораторных работ и допущенного к защите контрольного задания.

Внимание! Контрольные задания, в которых исходные данные и условия задач не соответствуют рассчитанному номеру варианта или номер варианта рассчитан неверно, не рецензируются и возвращаются на переделку.

Для того чтобы контрольное задание было проверено рецензентом к началу экзаменационной сессии, оно должно быть выслано на проверку (с учетом реальных сроков пересылки корреспонденции почтой) не позднее начала мая.

8