
- •Тема I Этапы производства и оптимизация интегральных схем
- •1.1. Основные этапы производства полупроводниковых ис.
- •1.1.1. Характеристика технологических процессов производства ис.
- •1.1.2. Технологические операции получения кристалла (чипа) будущей ис.
- •1.1.3. Операции сборки и корпусирования ис
- •1.2 Оптимизация стоимости одного активного элемента в составе бис
- •1.2.1. Стоимостные характеристики операций получения кристалла и сборки ис.
- •1.2.2. Вероятностные характеристики получения годной ис
- •1.2.3. Минимизация стоимости изготовления одного элемента ис.
- •1.2.4. Пути экономически обоснованного увеличения степени интеграции
- •Перспективы развития технологии цифровых ис.
- •1.3. Интегральные схемы на кмдп
- •1.3.1. Кмдп – элемент микромощной микроэлектроники
- •1.3.2. Конструктивные особенности кмдп ис
- •1.3.3. Элементы схемотехники кмдп ис
- •1.3.4. Ограничения на уменьшение размеров традиционных мдп элементов ис.
- •1.3.5. Полевые транзисторы с барьером Шотки
- •1.4.Сверхмалогабаритные полевые транзисторы.
- •1.4.1. Кремниевый транзистор на изолирующей основе.
- •1.4.2. Полевые транзисторы на основе структуры «кремний на сапфире».
- •1.4.3. Полевой транзистор с p-каналом длиной 50 нм.
- •1.5. Тенденции развития полупроводниковых интегральных схем
1.3.2. Конструктивные особенности кмдп ис
Полученный путем компенсирующего легирования карман является ведущим конструктивным приемом получения КМДП на начальном этапе их осуществления. Однако карман, изолированный закрытым p-n переходом обладает рядом недостатков. Главным из них является «эффект защелкивания».
|
|
|
|
p+ - n – p - n+ это схема тиристора
Появление
на выходе импульса (наводка, помеха)
Vимп
> Vпит
может
привести к инжекции электронов в p-n
переход и образованию лавинного пробоя.
Устойчивый пробой p-n перехода – «защелкивание» системы (“snap up”)
Делают n+ охранное кольцо вокруг кармана.
Чтобы исключить эффект «защелкивания» делают двухслойные схемы КМДП.
Технологическая трудность: вырастить высококачественную пленку Si на слое изолирующего окисла.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1.3.3. Элементы схемотехники кмдп ис
Логическая ячейка И-НЕ на КМДП транзисторах
-
Вх1
Вх2
Вых
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
p-МДП соединены параллельно. Когда на одном из входов «0», один из p МДП открыт. На выходе «1». Нужно, чтобы было Вх1 – «1» и Вх2 – «1» , тогда открыты оба n канала , и на выходе «0». Это соответствует логической операции: «И-НЕ». В этой схеме осуществляется идея микромощной электроники. В статическом состоянии ток не течет.
На следующем рисунке показана схема логической ячейки «ИЛИ-НЕ»
-
В
х1
Вх2
Вых
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
n – МДП соединены параллельно. Когда на одном из входов «1» n-МДП открыт, и на выходе «0». р-МДП при этом закрыт, ток не течет.
Если хотя бы в одном из транзисторов сформирован канал, то сопротивление мало (ключ замкнут R=10-100 Ом )
Если каналов нет, то сопротивление велико (ключ разомкнут R> 106 Ом)
Элемент памяти на КМДП.
|
|
|
|
Это транзисторный вариант триггера. Он может иметь два устойчивых состояния:
Состояние 1 : Вх1 +Vпит
Вх2 0
Vp,1 – закрыт Vp,2 - открыт
Vn,3 – открыт Vn,4 - закрыт
Состояние 2 : : Вх1 0
Вх2 +Vпит
Vp,1 – открыт Vp,2 - закрыт
Vn,3 – закрыт Vn,4 - открыт
Переход между состояниями задается внешним импульсом.
Считывание – определение напряжения на входах.
Главное преимущество КМДП схем – реализация «микромощной электроники».