
- •Тема III Приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Принцип действия приборов с зарядовой связью.
- •3.1.1. Устройство активной зоны пзс.
- •3.1.2. Ввод и вывод информации в пзс.
- •3.1.3. Оптический способ ввода информации в пзс.
- •3.1.4. Перемещение носителя информации в активной зоне пзс.
- •3.1.5. Характерные временные интервалы в пзс.
- •3.2. Пзс в системах обработки информации.
- •3.2.1. Линии задержки на пзс. Необходимость регенерации сигнала.
- •3.2.2. Устройства записи информации на пзс.
- •3.2.3. Конвольвер на пзс.
3.1.5. Характерные временные интервалы в пзс.
1) Время тепловой генерации заряда.
Представим себе, что отрицательный потенциал включен, а сгустка заряда рядом нет, то есть перетекать нечему. В этой ситуации заряд медленно накапливается в потенциальной яме за счет тепловой генерации электронно-дырочных пар. Время накопления заряда т. Это достаточно длительный процесс. Для n-Si при разной степени легирования:
т = 1 – 100 мс.
2) Время перетекания заряда между соседними электродами. (Динамическое время)
Это время можно оценить так же, как оценивается быстродействие МДП.
- D = L/v = L/(U/L) = L2/U
Здесь L – длина канала, v – скорость движения сгустка заряда, - подвижность носителей заряда (в нашем случае дырок), U – разность потенциалов, вызывающая движение сгустка зарядов. В случае ПЗС ориентировочно имеем:
L = 10-5 м; = 0.05 м2/Вс; U = 1 В; В результате получаем: D = 210-9 c.
3) Время установления потенциала.
Это интервал времени, в течение которого приложенный извне электрический потенциал проникает внутрь полупроводника. Это интервал времени называется временем Максвелловской релаксации. Его обозначают через м.
Известно, что
м = 0/
Здесь - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, - его электропроводность. Для кремния с определённым уровнем легирования имеем:
- = 10 1/Омм 0 = 10-10 Ф/м
Из этого получаем:
- м = 10-11 сек.
Для стабильной работы ПЗС необходимо выполнение условий:
м << D << т
3.2. Пзс в системах обработки информации.
В первый период разработки (1970-1975 гг.) ПЗС предполагали использовать как устройства обработки информации. На основе ПЗС стремились осуществить линии задержки цифрового сигнала или устройства динамической памяти.
3.2.1. Линии задержки на пзс. Необходимость регенерации сигнала.
|
|
|
|
|
N – число ячеек
Максимальное
число ячеек определяется отношением
времени тепловой регенерации
электронно-дырочных пар (
)
к динамическому времени (
).
.
Отсюда находим, что число ячеек может достигать N = 103 – 104. Это позволяет определить длину линии задержки.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
l
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
l = 3 – 5 мкм N = 103 L = 3 – 5 мм.
l = 1 мкм N = 104 L = 10 мм.
Приведём пример записи «слова» в двоичном коде, который представлен в ПЗС структуре наличием или отсутствием сгустка заряда:
Ввод Вывод
1
0 0 0 0 1 1 0
0 0 0 1
Если
необходимо увеличить длину линии
задержки, то есть сделать число элементов
больше, чем это позволяет отношение
,
то прибегают к регенерации сигнала.
Комбинация цепей вывода сигнала, транзисторного усилителя и ввода называется регенератором сигнала. В схеме усилителя может быть предусмотрена коррекция формы импульса, очистка импульсного сигнала от шумов.