
- •Введение
- •1. Физическая природа свойств твёрдых тел
- •1.1. Основные материалы микроэлектроники
- •2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •2.1. Типы фазовых диаграмм
- •2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
- •2.3. Твердая растворимость
- •2.4. Задачи
- •2.5. Фазовые переходы
- •2.6. Термодинамические диаграммы
- •2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •2.6.2. Растворимость
- •2.6.3. Международная система единиц си (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
- •2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
- •2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
- •3. Структура твердотельных интегральных микросхем
- •3.1. Введение
- •3.1.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.2.1. Общая характеристика технологического процесса
- •4. Диффузионные процессы в твердых телах
- •4.1. Введение
- •4.2. Законы диффузии
- •4.3. Основы кинетической теории газов
- •4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
- •4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
- •4.6. Техника проведения процессов диффузии
- •4.6.1. Диффузия из газовой фазы
- •4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
- •4.6.3. Диффузия из твердой фазы
- •4.7. Способы проведения диффузии
- •5. Основы ионного легирования
- •5.1. Понятие о технологии ионного легирования
- •5.2. Оборудование для ионного легирования
- •5.3. Длина пробега ионов
- •5.4. Монокристалл
- •5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
- •5.7. Отжиг легированных слоев
- •6. Технологические основы микроэлектроники
- •6.1. Введение
- •6.2. Подготовительные операции
- •6.3. Эпитаксия
- •6.4. Термическое окисление
- •6.5. Легирование
- •6.5.1. Способы диффузии
- •6.5.2. Теоретические основы диффузии
- •6.5.3. Ионная имплантация
- •6.6. Травление
- •6.7. Техника масок
- •6.7.1. Фотолитография
- •6.7.2. Фотошаблоны
- •8.7.3. Новые решения и тенденции
- •6.8. Нанесение тонких пленок
- •6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
- •6.8.2. Катодное напыление
- •6.8.3. Ионно–плазменное напыление
- •6.8.4. Анодирование
- •6.8.5. Электрохимическое осаждение
- •6.9. Металлизация
- •6.10. Сборочные операции
- •6.11. Технология тонкопленочных гибридных ис
- •6.11.1. Изготовление пассивных элементов
- •6.11.2. Монтаж навесных компонентов
- •6.12. Технология толстопленочных гибридных ис
- •Литература
2.6. Термодинамические диаграммы
Функцией состояния называется такая физическая характеристика системы, изменение которой при переходе системы из одного состояния в другое не зависит от вида соответствующего этому переходу термодинамического процесса, а целиком определяется значениями параметров начального и конечного состояний.
Важнейшие функции состояний:
1. Внутренняя энергия E. Внутренней энергией E называется энергия системы, зависящая только от её термодинамического состояния
,
– полная энергия
системы;
– кинетическая энергия
макроскопического движения системы;
– потенциальная
энергия, связанная с действием на систему
внешних силовых полей.
Первый закон термодинамики.
Количество теплоты, сообщенное системе, расходуется на изменение её внутренней энергии и на совершение системой работы против внешних сил.
Второй закон термодинамики:
невозможен процесс, единственным результатом которого является совершение работы, эквивалентной количеству теплоты, полученной от нагревателя;
невозможен процесс, единственным результатом которого является передача энергии в форме теплоты от холодного тела к горячему.
Для изолированной системы, находящейся в равновесии, энтропия должна быть минимальной
.
Для неизолированной системы при постоянной температуре (изотермический процесс)
.
Напомним, что
Свободная энергия Гельмгольца (F)
– свободная энергия,
изохорно-изотермический потенциал.
Свободная энергия Гиббса
– термодинамический
потенциал, изобарно-изотермический
потенциал.
Следствие.
При постоянных температуре и давлении свободная энергия Гиббса системы, находящейся в равновесии будет минимальной, а при отклонениях от равновесия
.
2. Энтальпия H (теплосодержание, тепловая функция) – это функция состояния термодинамической системы, равная сумме её внутренней энергии и произведения давления на объём системы
.
3. Энтропия S. Энтропией называется функция S состояния системы, дифференциал которой в элементарном обратном процессе равен отношению бесконечно малого количества теплоты, сообщённого системе, к абсолютной температуре системы:
.
4. Изобарно-изотерический потенциал G. Характеристической функцией и термодинамическим потенциалом является функция состояния системы
.
Это изобарно-изотермический потенциал (изобарный потенциал, термодинамический потенциал Гиббса).
5. Изохорно-изотермический потенциал
Функция Гельмгольца (изохорный потенциал, свободная энергия)
2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
Любая термодинамическая система может в зависимости от условий находится в 4-х агрегатных состояниях: плазма, газ, жидкость, твёрдое тело.
Геометрическое изображение равновесных состояний термодинамической системы при различных значениях параметров (T, p, xi – концентрации компонентов, мольного объёма V и др.) называется диаграммой состояния.
Диаграмма состояния даёт информацию о фазовом составе системы в зависимости от параметров
O
– равновесие трёх фаз, тройная точка;
OA – кривая возгонки или сублимации;
OK – кривая испарения;
OB – кривая плавления;
A, K, B – критические точки, в точке K исчезает различие G – L, в B – L – S, в A – S – G.
Полиморфные превращения (алмаз – графит) усложняют диаграмму состояния. У SiO2 – 11 полиморфных превращений в технологическом варианте синтеза изделий микроэлектроники, при этом изменяется не только тип кристаллической решётки, но и мольный объём V.