
- •Введение
- •1. Физическая природа свойств твёрдых тел
- •1.1. Основные материалы микроэлектроники
- •2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •2.1. Типы фазовых диаграмм
- •2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
- •2.3. Твердая растворимость
- •2.4. Задачи
- •2.5. Фазовые переходы
- •2.6. Термодинамические диаграммы
- •2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •2.6.2. Растворимость
- •2.6.3. Международная система единиц си (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
- •2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
- •2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
- •3. Структура твердотельных интегральных микросхем
- •3.1. Введение
- •3.1.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.2.1. Общая характеристика технологического процесса
- •4. Диффузионные процессы в твердых телах
- •4.1. Введение
- •4.2. Законы диффузии
- •4.3. Основы кинетической теории газов
- •4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
- •4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
- •4.6. Техника проведения процессов диффузии
- •4.6.1. Диффузия из газовой фазы
- •4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
- •4.6.3. Диффузия из твердой фазы
- •4.7. Способы проведения диффузии
- •5. Основы ионного легирования
- •5.1. Понятие о технологии ионного легирования
- •5.2. Оборудование для ионного легирования
- •5.3. Длина пробега ионов
- •5.4. Монокристалл
- •5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
- •5.7. Отжиг легированных слоев
- •6. Технологические основы микроэлектроники
- •6.1. Введение
- •6.2. Подготовительные операции
- •6.3. Эпитаксия
- •6.4. Термическое окисление
- •6.5. Легирование
- •6.5.1. Способы диффузии
- •6.5.2. Теоретические основы диффузии
- •6.5.3. Ионная имплантация
- •6.6. Травление
- •6.7. Техника масок
- •6.7.1. Фотолитография
- •6.7.2. Фотошаблоны
- •8.7.3. Новые решения и тенденции
- •6.8. Нанесение тонких пленок
- •6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
- •6.8.2. Катодное напыление
- •6.8.3. Ионно–плазменное напыление
- •6.8.4. Анодирование
- •6.8.5. Электрохимическое осаждение
- •6.9. Металлизация
- •6.10. Сборочные операции
- •6.11. Технология тонкопленочных гибридных ис
- •6.11.1. Изготовление пассивных элементов
- •6.11.2. Монтаж навесных компонентов
- •6.12. Технология толстопленочных гибридных ис
- •Литература
2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
Существует ряд материалов, которые полностью растворимы друг в друге. Примером может служить система их двух таких важных для микроэлектроники веществ, как кремний и германий. Система кремний – германий показана на рис. 2.6.
Рис. 2.6. Система кремний – германий
Диаграмма не имеет эвтектической точки. Подобная диаграмма называется изоморфной. Для того чтобы два элемента были изоморфными, они должны подчиняться правилам Хьюма – Ротери, т.е. иметь различие в значениях атомных радиусов не более чем на 15%, одинаковую вероятность, одинаковую кристаллическую решетку и, кроме того, приблизительно одинаковую электроотрицательность (электроотрицательность атома – это присущее ему семейство привлекать или захватывать лишние электроны, при ковалентных связях). Системы Cu – Ni, Au – Pt и Ag – Pd, также являются изоморфными.
Система Pb – Sn служит хорошим примером простой бинарной системы со значительной, хотя и ограниченной твердой растворимостью. Фазовая диаграмма состояний этой системы приведена на рис. 2.7. Точка пересечения солидуса и сольвуса называется граничной растворимостью, значение граничной растворимости как олова в свинце, так и свинца в олове будет большим. Данная система важна для микроэлектроники благодаря широкому применению оловянных-свинцовых припоев. Их двухфазной диаграммы этой системы видно, как изменение состава сплава меняет его температуру плавления. Когда при изготовлении микросхемы требуется провести несколько последовательных паек, то для каждой следующей пайки применяется припой с более низкой температурой плавления. Это делается для того, чтобы не потекли пайки, сделанные раньше.
Рис. 2.7. Фазовая диаграмма состояний системы свинец – олово
Для производства микросхем также важны свойства системы Au – Si, поскольку эвтектическая температура этой системы крайне мала по сравнению с температурами плавления чистого золота или чистого кремния (рис 2.9). Растворимости золота в кремнии и кремния в золоте слишком малы, чтобы их отобразить на обычной фазовой диаграмме состояний. Из-за низкой эвтектической температуры оказывается выгодно устанавливать кристаллы микросхем на золотые подложки, держатели или платы с золотыми контактными площадками, пользуясь эвтектической реакцией Au – Si в качестве основного механизма сварки (или пайки). Для пайки кремниевых кристаллов также используется золото, содержащее несколько процентов германия.
Комбинации элементов, образующих химические соединения, имеют более сложные диаграммы состояний. Их можно разбить на две (или несколько) более простых диаграммы, каждая из которых относится к определенной паре соединений или соединению и элементов. Например, AuAl2 образуется при соединении 33% (процент атомный) золота с алюминием при температуре менее 1060о (рис. 2.10). Слева от этой линии сосуществует AuAl2 и фаза чистого алюминия. Соединения, подобные AuAl2, называются интерметаллическими и образуются при соответствующем стехиометрическом соотношении двух элементов. Интерметаллические соединения характеризуются высокой температурой плавления, сложной кристаллической структурой и, кроме того, отличаются твердостью и хрупкостью.
Фазовая диаграмма состояний Au – Al может быть разбита на две или больше диаграмм, например на диаграмму Al – AuAl2 и диаграмму AuAl2 – Au.
Рис. 2.8. Система алюминий – кремний
Диаграмма системы Au – Al, показанная на рис. 2.10, имеет в микроэлектронике крайне важное значение, поскольку обычно золотые провода соединяются с алюминиевым слоем металлизации, расположенным поверх кремния. Здесь указано несколько важных интерметаллических соединений: AuAl2, Au2Al, Au5Al2 и Au4Al. В проводниках связей Au – Al они могут присутствовать все. Проблемы, связанные с этими фазами, их называют пурпурной или рыжей чумой, обсуждаются в гл. 13.
Рис. 2.9. Система золото – кремний
Рис. 2.10. Система золото – алюминий