
- •Введение
- •1. Физическая природа свойств твёрдых тел
- •1.1. Основные материалы микроэлектроники
- •2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •2.1. Типы фазовых диаграмм
- •2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
- •2.3. Твердая растворимость
- •2.4. Задачи
- •2.5. Фазовые переходы
- •2.6. Термодинамические диаграммы
- •2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •2.6.2. Растворимость
- •2.6.3. Международная система единиц си (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
- •2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
- •2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
- •3. Структура твердотельных интегральных микросхем
- •3.1. Введение
- •3.1.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.2.1. Общая характеристика технологического процесса
- •4. Диффузионные процессы в твердых телах
- •4.1. Введение
- •4.2. Законы диффузии
- •4.3. Основы кинетической теории газов
- •4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
- •4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
- •4.6. Техника проведения процессов диффузии
- •4.6.1. Диффузия из газовой фазы
- •4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
- •4.6.3. Диффузия из твердой фазы
- •4.7. Способы проведения диффузии
- •5. Основы ионного легирования
- •5.1. Понятие о технологии ионного легирования
- •5.2. Оборудование для ионного легирования
- •5.3. Длина пробега ионов
- •5.4. Монокристалл
- •5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
- •5.7. Отжиг легированных слоев
- •6. Технологические основы микроэлектроники
- •6.1. Введение
- •6.2. Подготовительные операции
- •6.3. Эпитаксия
- •6.4. Термическое окисление
- •6.5. Легирование
- •6.5.1. Способы диффузии
- •6.5.2. Теоретические основы диффузии
- •6.5.3. Ионная имплантация
- •6.6. Травление
- •6.7. Техника масок
- •6.7.1. Фотолитография
- •6.7.2. Фотошаблоны
- •8.7.3. Новые решения и тенденции
- •6.8. Нанесение тонких пленок
- •6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
- •6.8.2. Катодное напыление
- •6.8.3. Ионно–плазменное напыление
- •6.8.4. Анодирование
- •6.8.5. Электрохимическое осаждение
- •6.9. Металлизация
- •6.10. Сборочные операции
- •6.11. Технология тонкопленочных гибридных ис
- •6.11.1. Изготовление пассивных элементов
- •6.11.2. Монтаж навесных компонентов
- •6.12. Технология толстопленочных гибридных ис
- •Литература
Литература
Основная литература
1. Достанко А. П. Технология интегральных схем. – Мн.: Вышэйшая школа, 1982. – 207 с.
2. Парфенов О. Д. Технология микросхем. – М.: Высшая школа, 1986. – 320 с.
3. Аваев Н. А., Наумов Ю. Ф., Фролкин В. Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радиосвязь, 1991.
4. Гурский Л. И., Степанец В. Я. Проектирование микросхем. – Мн.: Н-ка i тэх-ка, 1991. – 295 с.
5. Маршрутная технология производства кристаллов СБИС. Методическое пособие / Под общей ред. проф. А. П. Достанко. Часть I. – Мн.: – 1994 – 23 с.; Часть II. – Мн.: – 1994 – 28 с.; Часть III. – Мн.: – 1995. – 33 с.; Часть IV. – Мн.: – 2000. – 24 с.
6. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. – М.: Высшая школа, 1973.
7. Физическое металловедение / Под редакцией Кана Р., вып. 2. Фазовые превращения. Металлография. – М.: Мир, 1968.
Дополнительная литература
8. Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. – М.: Наука, 1972. – 430 с.
9. Курносов А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. – М.: Высшая школа, 1980. – 450 с.
10. Чистяков Ю. Д., Райкова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. –М.: Металлургия, 1979. – 230 с.
11. Гурский Л. И., Румак Н. В., Куксо В. В. Зарядовые свойства МОП-структур. – Мн.: Наука и техника, 1980. – 200 с.
12. Достанко А. П., Грушецкий С. В., Киселевский Л. И., Пикуль М. И., Ширипов В. Я. Плазменная металлизация в вакууме. - Мн.: Наука и техника, 1983. – 279 с.
13. Гурский Л. И., Зеленин В. А., Жебин А. П., Вахрин Г. Л. Структура, топология и свойства тонкопленочных резисторов. - Мн.: Наука и техника, 1987. – 369 с.