
- •Введение
- •1. Физическая природа свойств твёрдых тел
- •1.1. Основные материалы микроэлектроники
- •2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •2.1. Типы фазовых диаграмм
- •2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
- •2.3. Твердая растворимость
- •2.4. Задачи
- •2.5. Фазовые переходы
- •2.6. Термодинамические диаграммы
- •2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •2.6.2. Растворимость
- •2.6.3. Международная система единиц си (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
- •2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
- •2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
- •3. Структура твердотельных интегральных микросхем
- •3.1. Введение
- •3.1.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.2.1. Общая характеристика технологического процесса
- •4. Диффузионные процессы в твердых телах
- •4.1. Введение
- •4.2. Законы диффузии
- •4.3. Основы кинетической теории газов
- •4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
- •4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
- •4.6. Техника проведения процессов диффузии
- •4.6.1. Диффузия из газовой фазы
- •4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
- •4.6.3. Диффузия из твердой фазы
- •4.7. Способы проведения диффузии
- •5. Основы ионного легирования
- •5.1. Понятие о технологии ионного легирования
- •5.2. Оборудование для ионного легирования
- •5.3. Длина пробега ионов
- •5.4. Монокристалл
- •5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
- •5.7. Отжиг легированных слоев
- •6. Технологические основы микроэлектроники
- •6.1. Введение
- •6.2. Подготовительные операции
- •6.3. Эпитаксия
- •6.4. Термическое окисление
- •6.5. Легирование
- •6.5.1. Способы диффузии
- •6.5.2. Теоретические основы диффузии
- •6.5.3. Ионная имплантация
- •6.6. Травление
- •6.7. Техника масок
- •6.7.1. Фотолитография
- •6.7.2. Фотошаблоны
- •8.7.3. Новые решения и тенденции
- •6.8. Нанесение тонких пленок
- •6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
- •6.8.2. Катодное напыление
- •6.8.3. Ионно–плазменное напыление
- •6.8.4. Анодирование
- •6.8.5. Электрохимическое осаждение
- •6.9. Металлизация
- •6.10. Сборочные операции
- •6.11. Технология тонкопленочных гибридных ис
- •6.11.1. Изготовление пассивных элементов
- •6.11.2. Монтаж навесных компонентов
- •6.12. Технология толстопленочных гибридных ис
- •Литература
6.5.2. Теоретические основы диффузии
Теория диффузии
основана на двух законах Фика. 1–й
закон Фика связывает плотность потока
частиц
с градиентом их концентрации. В одномерном
случае
(6.1a)
где
–
коэффициент диффузии,
–
концентрация.
2–й закон Фика характеризует скорость накопления частиц (в нашем случае – атомов примеси):
(6.1б)
Из уравнения (6.1б) можно
найти функцию
,
т. е. распределение
концентрации
в любой момент времени. Для этого нужно
задаться двумя граничными условиями,
Пусть координата
соответствует той плоскости пластины,
через которую вводится примесь (рис.
6.5). Тогда координата противоположной
плоскости равна толщине пластины
.
Ha практике глубина диффузионных слоев
всегда меньше толщины пластины (см. рис.
6.5); поэтому можно положить
.
С математической точки зрения удобнее
считать пластину бесконечно толстой и
в качестве 1–го
граничного условия
принять
(∞,
)
.
(6.2)
2–е граничное условие имеет два варианта, которые соответствуют двум разновидностям реального технологического процесса.
1) Случай неограниченного источника примеси. В этом случае диффузант непрерывно поступает к пластине, так что в ее приповерхностном слое концентрация примеси поддерживается постоянной.
Граничное условие для этого варианта имеет вид:
(6.За)
где
–
поверхностная
(точнее –
приповерхностная) концентрация. Обычно
количество поступающего диффузанта
обеспечивает режим предельной
растворимости, т. е.
(макс).
2) Случай ограниченного источника примеси. В этом случае сначала в тонкий приповерхностный слой пластины вводят некоторое количество атомов диффузанта, а потом источник диффузанта отключают и атомы примеси перераспределяются по глубине пластины при неизменном их общем количестве. Первую стадию процесса называют «загонкой», вторую — «разгонкой» примеси.
Для этого варианта можно записать условие в виде
(6.3б)
где
–
количество атомов примеси на
единицу площади
(задается на этапе «загонки»).
Решая уравнение (6.1б) при граничных условиях (6.2) и (6.3а), получаем распределение концентрации при неограниченном источнике (рис. 6.7, а):
(6.4a)
где
(
)
–
дополнительная
функция ошибок,
близкая к экспоненциальной функции
(см. сноску на с. 68).
Рис. 6.7. Распределение примеси при диффузии из неограниченного (а)
и ограниченного (б) источников для разных моментов времени
Решая уравнение (6.1б) при условиях (6.2) и (6.3б), получаем распределение концентрации при ограниченном источнике (рис. 6.7, б):
(6.4б)
В данном случае распределение описывается функцией Гаусса, которая характерна нулевой начальной производной, наличием точки перегиба и почти экспоненциальным «хвостом» после этой точки.
Под глубиной диффузионного
слоя (глубиной диффузии) понимают
координату
,
при которой концентрация введенной
примеси
равна концентрации исходной примеси
(рис. 6.7). Величину
нетрудно найти из выражений (6.4), полагая
в левой части
.
Аппроксимируя функцию (6.4а) экспонентой, получаем для неограниченного источника
логарифмируя обе части (6.4б), получаем для ограниченного источника
Оба выражения имеют одинаковую структуру и позволяют сделать два важных общих вывода:
— время проведения диффузии пропорционально квадрату желательной глубины диффузии; поэтому получение глубоких диффузионных слоев требует большого времени; в ИС глубина рабочих диффузионных слоев обычно лежит в пределах 1–4 мкм;
— при заданной глубине диффузионного слоя изменения коэффициента диффузии эквивалентны изменениям времени процесса.
Рис. 6.8. Зависимость коэффициентов диффузии
типичных (для кремния) примесей от температуры
Второй вывод заслуживает
более детального рассмотрения. На рис.
6.8 показана температурная зависимость
коэффициентов диффузии для некоторых
материалов, применяемых в технологии
ИС. Как видим, эта зависимость
экспоненциальная, т. е. весьма сильная:
при
коэффициент диффузии меняется на
порядок, а при
–
на
%.
Последняя цифра,
казалось бы, невелика, но ее истинное
значение можно проиллюстрировать
следующим простым расчетом. Если
%,
то разброс глубины диффузии составит
±1,25% или, при
=4
мкм, около ±0,05%. Значит ширина базы
,
равная
может получится с ошибкой 0,1 мкм, что
при
мкм составит 20%. Поскольку коэффициент
и предельная частота
обратно пропорциональны величине
,
их разброс превысит 40%.
Из сказанного ясна необходимость прецизионной регулировки температуры в диффузионных печах. Допустимая нестабильность температуры составляет до ±0,2°C (т. е. сотые доли процента).