
- •Введение
- •1. Физическая природа свойств твёрдых тел
- •1.1. Основные материалы микроэлектроники
- •2. Фазовые диаграммы и твердые растворы
- •2.1. Типы фазовых диаграмм
- •2.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике
- •2.3. Твердая растворимость
- •2.4. Задачи
- •2.5. Фазовые переходы
- •2.6. Термодинамические диаграммы
- •2.6.1. Диаграмма состояния (диаграмма равновесия, фазовая диаграмма)
- •2.6.2. Растворимость
- •2.6.3. Международная система единиц си (метр, килограмм, секунда, градус, Кельвин, моль)
- •2.6.4. Метод построения диаграмм состояния
- •2.6.5. Системы с ограниченной взаимной растворимостью компонентов в твердом состоянии
- •3. Структура твердотельных интегральных микросхем
- •3.1. Введение
- •3.1.1. Основные понятия и определения
- •3.2. Технология полупроводниковых интегральных микросхем
- •3.2.1. Общая характеристика технологического процесса
- •4. Диффузионные процессы в твердых телах
- •4.1. Введение
- •4.2. Законы диффузии
- •4.3. Основы кинетической теории газов
- •4.4. Диффузия как двухстадийный процесс
- •4.5. Диффузия в гетерогенном твердом теле
- •4.6. Техника проведения процессов диффузии
- •4.6.1. Диффузия из газовой фазы
- •4.6.2. Диффузия из жидкой фазы
- •4.6.3. Диффузия из твердой фазы
- •4.7. Способы проведения диффузии
- •5. Основы ионного легирования
- •5.1. Понятие о технологии ионного легирования
- •5.2. Оборудование для ионного легирования
- •5.3. Длина пробега ионов
- •5.4. Монокристалл
- •5.6. Синтез веществ с помощью ионного легирования
- •5.7. Отжиг легированных слоев
- •6. Технологические основы микроэлектроники
- •6.1. Введение
- •6.2. Подготовительные операции
- •6.3. Эпитаксия
- •6.4. Термическое окисление
- •6.5. Легирование
- •6.5.1. Способы диффузии
- •6.5.2. Теоретические основы диффузии
- •6.5.3. Ионная имплантация
- •6.6. Травление
- •6.7. Техника масок
- •6.7.1. Фотолитография
- •6.7.2. Фотошаблоны
- •8.7.3. Новые решения и тенденции
- •6.8. Нанесение тонких пленок
- •6.8.1. Термическое (вакуумное) напыление
- •6.8.2. Катодное напыление
- •6.8.3. Ионно–плазменное напыление
- •6.8.4. Анодирование
- •6.8.5. Электрохимическое осаждение
- •6.9. Металлизация
- •6.10. Сборочные операции
- •6.11. Технология тонкопленочных гибридных ис
- •6.11.1. Изготовление пассивных элементов
- •6.11.2. Монтаж навесных компонентов
- •6.12. Технология толстопленочных гибридных ис
- •Литература
4. Диффузионные процессы в твердых телах
4.1. Введение
Из термодинамики, а так же из практического опыта следует, что любая однофазная система, находящаяся в равновесии, должна быть гомогенной. Например, смесь воды и чернил или наполненная дымом комната, через определенный промежуток времени становятся однородными.
Диффузия имеет место в газах, жидкостях и твердых телах, причем диффундировать могут как растворенные в веществе посторонние частицы, так и частицы самого вещества (самодиффузия).
Диффузия – это обусловленное тепловым движением перемещением частиц в направлении убывания их концентрации. (Движущей силой диффузии является градиент концентрации атомов. Чем больше градиент концентрации, тем интенсивнее осуществляется перемещение атомов.)
4.2. Законы диффузии
Диффузионные законы – это соотношения между величинами, характеризующими процессы диффузии.
Первый закон диффузии
определяет количество вещества
диффундирующего в направлении убывания
концентрации. Если градиент концентрации
С
вдоль направления Х
равен
,
то этот закон дает для массы вещества
dm,
диффундирующего за время dt
через площадку S,
перпендикулярную направлению Х,
выражение:
dm = –D∙S dt, (1)
где знак (–) указывает, что диффузия происходит в сторону уменьшения концентрации;
D – коэффициент диффузии, численно измеряемый массой вещества, диффундирующего через площадку за время t=1, при градиенте концентрации, равном 1 ([Д]=[см2∙сек-1]).
Коэффициент диффузии определяет скорость процесса и зависит от природы диффундирующего вещества и вещества, в котором происходит диффузия.
Из первого закона диффузии выводится второй:
=D
.
Когда =0 (стационарный поток) второй закон легко проверяется, т.к. из него следует, что при =0 концентрация диффундирующего вещества должна линейно уменьшатся вдоль направления диффундирующего потока. Опыт подтвердил правильность этого заключения.
Рассмотрим элементарный объем с единичной поверхностью S=1, перпендикулярной направлению Х и толщиной dx, и получим выражение для скорости изменения концентрации ( )
.
Если толщина dx мала, то поток dm(x1+dx) может быть связан с dm(x1) следующим выражением:
;
;
Градиентом скалярной
величины С,
зависящей от координат, называется
вектор, характеризующий быстроту
изменения этой величины в пространстве:
Если концентрация С
изменяется вдоль оси Х,
то grad
C
=
,
а поскольку изменения происходят только
вдоль оси Х,
так мы предположим что частную производную
можно заменить на полную
Grad
C
=
.
Математические уравнения диффузии были впервые применены в 1858 году Адольфом Фиком, хотя аналогичные уравнения были получены десятилетием раньше Фурье при анализе теплового потока.
;
.
(2)
Это и есть второй закон диффузии. Аналогичным путем задача может быть решена для двух- и трех-мерного случаев в декартовых, цилиндрических или полярных координатах. Однако для мы ограничились рассмотрением одномерной задачи.
Рассмотрим основные механизмы диффузии атомов в кристаллах:
механизм обмена атомов местами;
кольцевой механизм;
механизм перемещения по междуузлиям;
вакансионный механизм
Механизм обмена двух атомов местами в кристаллической решетке является наиболее простым и элементарным актом диффузии. Обмен местами в плотноупакованной структуре требует преодоления большого потенциального барьера, связанного с необходимостью раздвижением соседних атомов.
В случае кольцевого механизма несколько атомов, расположенных примерно по кольцу, согласованно перемещаются так, что все кольцо из атомов поворачивается на одно межатомное расстояние. В этом случае доля энергии потенциального барьера, приходящегося на каждый атом будет меньше, чем при обмене пары атомов. Однако эта энергия возрастает с увеличением числа атомов в кольце и вероятность осуществления такого процесса за счет флуктуационного накопления необходимой энергии резко падает. Оба эти механизма могут проявляться лишь в совершенных кристаллических решетках с рыхлой упаковкой.
В реальных материалах с большим числом дефектов наиболее вероятными являются междуузельный и вакансионный механизмы диффузии. (+ границы, дислокации)
Вероятность перехода (ω) частицы в решетке из одного положения в другое в следствии статистического характера процесса возрастает с повышением температуры по экспоненциальному закону:
,
где
–
высота потенциального барьера.
Введем понятие среднего
времени нахождения атома в одном из
положений равновесия (
):
.
(3)