
- •Классификация интегральных схем
- •Классификация ис по уровням интеграции.
- •Многоэмиттерные транзисторы (мэт)
- •Конструкции интегральных диодов
- •Транзисторы с диодами Шоттки.
- •Непороговые логические схемы
- •Вспомогательные элементы микросхем
- •Аналоговые ис Характеристики аналоговых имс
- •Конструкции мдп-транзисторов с алюминиевой металлизацией
- •Тиристорный эффект «защелкивания» кмоп-структуры.
Аналоговые ис Характеристики аналоговых имс
Для характеристики
усилительных свойств используют
коэффициенты усиления по напряжению
по току
или по мощности
.
На рис. приведена
нормированная АЧХ
;
- номинальный КУ,
где
амплитуды
высших гармоник
Элементы аналоговых ИМС
1) 2) 3)
Выходные каскоды должны, строится таким образом, чтобы обеспечить высокое значение выходной мощности. Большой мощности в нагрузке можно достичь в двухтактном каскаде (рис. ).
Дифференциальные каскоды. Эквивалентная схема дифференциального усилителя (ДУ) приведена на рис.
Операционные усилители (ОУ).
Схема цепей ОС в
ОУ
Инвертирующая Неинвертирующая
Передаточная характеристика инвертирующего ОУ определяется выражением
,
для неинвертирующего
Коэффициент
усиления синфазного сигнала :
.
Зависимость выходного напряжения от напряжения синфазного сигнала приведена на рис.
Конструкции элементов полупроводниковых микросхем
на МДП – транзисторах
Принципы работы и классификация МДП-транзисторов.
Со встроенным
каналом
-типа
с индуцированным каналом
Вспомогательные элементы МДП-микросхем.
Охранные диоды
Охранные кольца.
Основные характеристики МДП-транзисторов
и их связь с конструктивно- технологическими параметрами
Основными для
МДП-транзисторов являются стоковая
характеристика
при
и стоко-затворная характеристика
)
при
.
Основные
электрические параметры МДП-транзисторов:
пороговое напряжение
,
крутизна
,
удельная крутизна
,
дифференциальное сопротивление канала
, постоянная времени канала
,
входное сопротивление
.
. Сопротивление
канала зависит и от величины
и
,
которые при заданном напряжении на
затворе влияют на концентрацию носителей
в канале.
(1)
удельная емкость
затвора относительно канала.
- удельная крутизна.
Конструкции мдп-транзисторов с алюминиевой металлизацией
Конструкции
МДП-транзисторов с
затвором.
Основной тип МОП-инверторов . Базовая схема основного МОП – инвертора представлена на рис. совместно с этой схемой используют следующие нагрузки.
1,2,3 – пассивная нагрузка, 4 –активная нагрузка.
На рис. приведены характеристики переключательных элементов и характеристики пассивных нагрузочных элементов (по постоянному току). 1-нагрузка – полевой транзистор в режиме обогащения, 2 – нагрузка в виде резистора, 3 – нагрузка – полевой транзистор в режиме обеднения.
На рис. представлены
характеристики (по постоянному току)
активных нагрузочных элементов (
канальных МОП транзисторов) и
переключательных
МОП
транзисторов. Перемещение рабочей точки
пересечения обеих характеристик
происходит по кривой, показанной
пунктиром.
Потребляемая мощность МОП-инвертора.
В случае МОП-транзисторов, работающих в режимах обогащения/обеднения, ток при закрытом транзисторе практически равен нулю, и статической потребляемой мощностью в транзисторе можно пренебречь. Если транзистор открыт, то через него начинает проходить ток
,
- пороговое
- нижнего транзистора, где
- коэффициент усиления полевого МОП
транзистора и обычная потребляемая
мощность составит
Аппроксимировав
статические емкости двух полевых
МОП-транзисторов, соединительных
проводников и входа следующего каскада
посредством конденсатора
,
как показано на рис. , можно рассчитать,
что на одном
цикле зарядки
потребляемая мощности, равная
,
откуда динамическое потребление мощности
можно определить как
,
где
- средняя частота переключения.
Итак, на один инвертор, выполненный на МОП транзисторах, работающих в режимах обогащения/обеднения, средняя потребляемая мощность составляет: