Транзисторы с диодами Шоттки.

Расчет и проектирование диодов

,

ВАХ диода представлена кривой 1 на рис.

>>1,

, где

и . Емкость С_б связано с накоплением зарядов вблизи перехода, а - с накоплением в областях, удаленных от перехода

ДТЛ – схемы.

Рис. Схема ДТЛ.

Рис. Схема ДТЛ со сложным инвертором.

Базовые логические схемы на биполярных транзисторах

Рис. Характеристики I_E-V_BE для ненасыщенного режима.

ТТЛ-схемы.

Двухвходовой вентиль И-НЕ с многоэмиттерным транзистором приведен на рис.

а)А=0; б)А=В=1; в)А=1; В=0;

падении напряжение на переходе; паразитное сопротивление базы Т₁ ; , транзисторов Т₁, Т₂ считаются равными. -ку. потоку для обратного направления в Т₁

Если же (в) один из входов имеет потенциал источника питания, а второй соединен с «землей», то токи и определяются как

; ,

, коэффициент усиления по току паразитного горизонтального транзистора, образованного двумя эмиттерными переходами и базой.

. Если в рис. (а)

а) б)

транзистор Т₂ закрыт, то в схеме от источника питания через проходит ток и напряжение . Если транзистор Т₂ открыт (рис.б), то через него проходит ток и напряжение

. Для того чтобы работал Т₂ в области насыщения, необходимо, чтобы ток превышал ток коллектора Т₂, где - ток базы Т₂ и выполнялось условие

> , где - к.у. по току Т₂; m – число эмиттеров в транзисторе первого каскада ( коэффициент объединения по входу)

Потребляемая мощность

на выходе

на выходе

Среднее значение потребляемой мощности .

На базе ТТЛ-схем могут быть реализованы устройства с тремя состояниями (рис. )

ТТЛШ – схемы.

ЭСЛ-схемы.

D=A+B+C

E=

Распределение токов в ЭСЛ – схеме

Откуда ;

; ;

Уравнение графически можно представить (рис.)

Непороговые логические схемы

И²Л – схемы.

На рис. представлены И²Л – структура и ее эквивалентная схема:

для коллекторного тока можно получить следующее выражение :

(А)

На рис. показана схема инвертора, полученного путем последовательного соединения двух И²Л – схем.

Вспомогательные элементы микросхем

Фигуры совмещения

Ключ –

Тестовые элементы -

Параметры логических интегральных микросхем. К параметрам логических ИМС относятся:

1)входное и выходное напряжения логической единицы и - значения высокого уровня напряжения на входе и выходе микросхемы;

2)входной и выходной токи логической единицы, входной и выходной токи логического нуля;

3)входное и выходное напряжение логического нуля и

4)логический перепад сигнала , пороговое напряжение

5)входное сопротивление логической ИМС – (различают и );

6)статическая помехоустойчивость

7)средняя потребляемая мощность ,

8)коэффициент объединения по входу

9)коэффициент разветвления по выходу К_разв,

Динамические параметры логических ИМС можно проиллюстрировать с помощью временных диаграмм входного и выходного напряжения при переключении микросхемы (рис.)

- время перехода из состояния логического нуля в состояние логической единицы, измеренное между уровнями 0,1 и 0,9 логического перепада сигнала;

- время задержки распространения сигнала при выключении микросхемы,

- время перехода из состояния логической единицы в состояние логического нуля, измеренное между уровнями 0,9 и 0,1 логического перепада сигнала;

- время задержки распространения сигнала при включении микросхемы,

.