Классификация интегральных схем

По конструктивно-технологическому исполнению микросхемы делят на три группы : полупроводниковые, пленочные и гибридные.

Классификация ис по уровням интеграции.

Уровень интеграции	Число элементов в одной микросхеме
	Цифровые на МДП-транзисторах	Цифровые на биполярных транзисторах	Аналоговые микросхемы
МИС	≤100	≤100	≤30
СИС	>100 ≤1000	>100≤500	>30≤100
БИС	>1000≤10000	>500≤2000	>100≤300
СБИС	>10000	>2000	>300

Диффузионные конденсаторы (ДК)

Варианты формирования интегральных конденсаторов на основе переходов.

С₁ – коллектор – подложка; С₂ – база коллектор; С₃ – эмиттер-база.

МДП – конденсаторы.

Тонкопленочные МДП-конденсаторы

Функционально-интегрированные элементы БИС.

Конструктивно-технологические варианты изоляции

элементов микросхем друг от друга

Изоляция обратно-смещенными - переходами.

Изоляция диэлектриком

Комбинированная изоляция

Параметры транзисторов с изоляцией - переходами и комбинированной.

параметр	Планарно-эпитаксиальный транзистор с - переходом	Транзистор с комбинированной изоляцией и диэлектр.стенками
Площадь, мкм2	1500	500
С база-эмиттер, пФ	0,10	0,07
С база-коллектор, пФ	0,12	0,05
С коллектор-подложка, пФ	0,52	0,13
Последовательное сопротивление базы, Ом	250	800
, Ом	6	9
, Ом	40	20
Предельная частота , гГц	1,0	3…5

Варианты конструкций элементов БИС и СБИС

с применением поликристаллического кремния

Резисторы на основе

Контакты к кремнию.

Конструктивно-технологические особенности и варианты

интегральных биполярных транзисторов, выполненных

по планарно-эпитаксиальной технологии.

Транзисторы типа

;

Величину можно записать в следующем виде:

: , где - время жизни неосновных носителей в базовой

Коэффициент усиления В уменьшается с понижением температуры. Это связано с уменьшением времени жизни неосновных носителей

(для )

(максимальная частота генерации, при которой усиление по мощности падает до единицы) = , где -

Многоэмиттерные транзисторы (мэт)

Многоколлекторные транзисторы (МКТ)

Транзисторы типа

Составные транзисторы

Конструкции интегральных диодов

Таблица параметров интегральных диодов

Параметры	Вариант включения
	бк-э	бэ-к	б-эк	б-э	б-к
Ипр,В	7…8	40…50	7…8	7…8	40…50
,нА	0.5…1,0	15…30	20…40	0,5…1,0	15…30
Сq, пФ	0,5	0,7	1,2	0,5	0,7
Tв, нс	10	50	100	50	75

И_пр – пробивное напряжение, - обратный ток , Сq- емкость диода, t_в – время восстановления обратного тока – характеризующее время переключения диода из открытого в закрытое состояние.

Активные элементы для быстродействующих и сверхскоростных ИС.

Диоды Шоттки .

а) б) в)