2. Граница между нелегированными областями (Al,Ga)As – GaAs

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Контакт нелегированных (собственных полупроводников) обеспечивает очень слабую электропроводность, то есть фактически служит изолятором.

 

 

 

 

 

5.3.2. Сведения о технологии кмдп транзисторов на гетеропереходах с р и n двумерным газом.

 

Основой технологии транзисторов на гетеропереходах служит жидкостная эпитаксия получения слоёв полупроводников с разной шириной запрещённой зоны при высоком структурном качестве границы раздела. Легирование рабочих областей транзисторов обеспечивается ионной имплантацией с тщательным подбором энергии ионного пучка и температуры последующего отжига. Особое внимание должно уделяться получению тонких слоёв нелегированного материала (спейсеров).

Основой формообразования транзисторной структуры служит проекционная фотолитография, использующая УФ источник излучения. Заметим, что описанная структура КМДП транзисторов имеет длину канала 0,15 мкм, то есть принадлежит к технологии с размерами менее четверти микрометра (subquater micrometer technology), что требует чрезвычайно высокой точности и чистоты всех компонентов технологии интергальных схем.

1  0  2  4.  r  u  интернет технология для всех

Содержание

КУРС "МИКРОЭЛЕКТРОНИКА" ДЛЯ БАКАЛАВРОВ

1

2

3

4

5

6

1024.ru