
- •2. Принцип действия транзистора.
- •3. Тринистор.
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Токи в транзисторе.
- •3. Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. Характеристики.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением.
- •3. Пленочные интегральные схемы.
- •1. Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общей базой, параметры.
- •3. Зависимость коэффициента передачи тока транзистора от частоты.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •2. Схема дтл - диодно-транзисторной логики.
- •3. Достоинства и недостатки полевых транзисторов. Преимущества и недостатки полевых транзисторов перед биполярными.
- •Главные преимущества полевых транзисторов
- •Главные недостатки полевых транзисторов
- •2. Особенности схемы с общей базой. Достоинства и недостатки.
- •3. Динистор.
- •1) Прямое смещение р-n перехода:
- •2) Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры:
- •3) Разновидности тиристоров.
- •1) Обратное смещение р-n перехода.
- •2) Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3) Источники света. Светодиод.
- •1) Вольтамперная характеристика p-n перехода
- •2) Особенности схемы с общим эмиттером
- •3) Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1) Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2) Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры.
- •3) Фотодиод в генераторном режиме
- •1) Емкости р-n перехода
- •1) Пробой р-n перехода
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3) Классификация интегральных схем
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Дрейфовый транзистор.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Диод Шоттки.
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •Основные характеристики полевых транзисторов.
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •23 Билет
- •Отличия вах выпрямительного диода от вах р-п-перехода.
- •Основные параметры полевых транзисторов.
- •Пленочные ис.
- •24 Билет
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Принцип действия базовой схемы эсл
- •1. Прямое смещение р-n перехода.
- •2. Схема включения транзистора с общим эмиттером, параметры.
- •3. Разновидности тиристоров.
- •1. Обратное смещение р-n перехода.
- •2. Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
- •3. Источники света. Светодиод.
- •Вольтамперная характеристика р-n перехода.
- •Фотоприемники. Фотодиод. Режимы работы фотодиода. Вах.
- •1. Стабилитрон, вах, схема включения.
- •2. Схема включения транзистора с общим коллектором, параметры
- •3. Фотодиод в генераторном режиме.
- •1. Емкости р-n перехода.
- •3. Оптроны.
- •1. Пробой р-n перехода.
- •2) Физическая т-образная эквивалентная схема с общим эмиттером
- •3. Классификация интегральных схем. Классификация Степень интеграции
- •Технология изготовления
- •Вид обрабатываемого сигнала
- •1. Контакт металл-полупроводник.
- •2. Схема замещения транзистора эквивалентным 4-х полюсником. Связь h-параметров с физическими.
- •3. Пленочные ис. Гибридные ис.
- •1. Выпрямительные диоды.
- •2. Основные характеристики полевых транзисторов.
- •3. Полупроводниковые ис.
- •1. Классификация диодов.
- •2. Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Совмещенные ис.
- •3)Устройства функциональной электроники
- •Стабилитрон, вах, схема включения.
- •Зависимость коэффициента усиления тока транзистора от частоты.
- •3. Приборы с зарядовой связью.
- •Варикап.
- •Дрейфовый транзистор.
- •Схемы ттл - транзисторно-транзисторной логики
- •Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом.
- •Технология изготовления пленочных ис.
- •Туннельный диод. Обращенный диод.
- •А) вольт-амперная характеристика при прямом смещении; б) конструкция туннельного диода
- •Изготовление транзисторов и диодов в полупроводниковых ис.
- •Отличия вах выпрямительного диода от вах р-п-перехода.
- •Основные параметры полевых транзисторов:
- •3)Пленочные интегральные микросхемы
- •Классификация интегральных схем.
- •Разновидности полевых транзисторов.
- •Транзисторы с управляющим p-n переходом
- •Принцип действия базовой схемы эсл
2) Статические характеристики транзистора с общим эмиттером.
схема установки для измерения статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером
Входная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, а)
IБ = f (UБЭ) при UБК = const.
Выходная характеристика для схемы включения с общим эмиттером (рис. 1.11, б)
IК = f (UКЭ) при IБ = const.
Статические
характеристики транзистора с ОЭ:
а – входные;
б
– выходные
3) Источники света. Светодиод.
Источник света — любой объект, излучающий энергию в световом спектре. По своей природе подразделяются на искусственные и естественные.
Светодио́д или светоизлучающий диод - полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока в прямом направлении. Излучаемый свет лежит в узком диапазоне спектра. Его спектральные характеристики зависят во многом от химического состава использованных в нём полупроводников. Иными словами, кристалл светодиода излучает конкретный цвет (если речь идёт об СД видимого диапазона), в отличие от лампы, излучающей более широкий спектр и где конкретный цвет отсеивается внешним светофильтром.
Вольт-амперная характеристика светодиодов в прямом направлении нелинейна. Диод начинает проводить ток начиная с некоторого порогового напряжения. Это напряжение позволяет достаточно точно определить материал полупроводника.
Билет №9
1) Вольтамперная характеристика p-n перехода
На прямую ветвь ВАХ реального p-n перехода оказывают влияние: материал полупроводника, используемый для изготовления p-n перехода; сопротивление базы p-n перехода; температура окружающей среды.
,
с
учетом которого уравнение ВАХ принимает
вид
.
1 – идеальный p-n переход; 2 – реальный p-n переход
2) Особенности схемы с общим эмиттером
При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером (ОЭ) входной сигнал подаётся на базу, а снимается с коллектора. При этом выходной сигнал инвертируется относительно входного (для гармонического сигнала фаза выходного сигнала отличается от входного на 180°). Каскад усиливает и ток, и напряжение. Данное включение транзистора позволяет получить наибольшее усиление по мощности, поэтому наиболее распространено. Однако, при такой схеме нелинейные искажения сигнала больше, чем в схемах с общей базой или с общим коллектором. Кроме того, при данной схеме включения на характеристики усилителя значительное влияние оказывают внешние факторы, такие как напряжение питания, или температура окружающей среды. Обычно для компенсации этих факторов применяют отрицательную обратную связь, но она снижает коэффициент усиления.
Достоинства:
Большой коэффициент усиления по току
Большой коэффициент усиления по напряжению
Наибольшее усиление мощности
Можно обойтись одним источником питания
Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.
Недостатки:
Худшие температурные и частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой