2. Модуляция толщины базы коллекторным напряжением.

При изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах изменяется их толщина, в результате чего изменяется толщина базы. Это явление называется модуляцией толщины базы. Особенно важно учитывать напряжение коллектор-база, поскольку при этом толщина коллектора возрастает, толщина базы уменьшается. При очень тонкой базе может возникнуть эффект смыкания (так называемый "прокол" базы) - соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает и транзистор перестает нормально работать.

Модуляция толщины базы проявляется в большей степени при малых выходных напряжениях, и меньше при больших Иногда это явление уже заканчивается при u_КБ > 2 В, и входные ВАХ при больших напряжениях сливаются в один график.

Так же, как у диода, входные ВАХ при заданных постоянных напряжениях позволяют определить статические и дифференциальные (динамические) сопротивления :

, .

Выходными ВАХ для схемы с ОБ являются зависимости выходного коллекторного тока от напряжения коллектор-база при постоянных токах эмиттера  . На рис. 3.6 показаны примерные графики выходных ВАХ.

3. Пленочные интегральные схемы.

ПЛЁНОЧНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА- интегральная схема, все элементы и межэлементвые соединения к-рой выполнены в виде плёнок, нанесённых на поверхность диэлектрич. (чаще всего керамич.) подложки. В зависимости от технологии изготовления и толщины плёнок выделяют тонкоплёночные (толщина менее 1 мкм) и толстоплёночные (толщина обычно 1 - 25 мкм) микросхемы. Тонкоплёночные ИС получают вакуумным напылением (осаждением) плёнок через металлич. трафарет либо напылением в сочетании с последующей фотолито-графич. обработкой; толстоплёночные - преим. нанесением на подложку электропроводящих, резистивных и диэлектрич. паст с последующим вжиганием. П. и. с. состоят, как правило, только из пассивных элементов, т. к. нанесение монокристаллич. ПП плёнок для формирования активных элементов не обеспечивает необходимого их качества.

Билет №4

1. Вольтамперная характеристика р-n перехода.

Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода представляет собой зависимость тока от величины и полярности приложенного напряжения и описывается выражением:

где I₀ - обратный ток. Этот ток имеет небольшие величины (мкА или нА), но довольно сильно увеличивается при повыше­нии температуры.  Uд – напряжение на p-n-переходе;; T – абсолютная темпе­ратура; q  –заряд электрона.

2. Схема включения транзистора с общей базой, параметры.

• Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.

• Коэффициент усиления по току: I_вых/I_вх=I_к/I_э=α [α<1]

• Входное сопротивление R_вх=U_вх/I_вх=U_бэ/I_э.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.