3. Пленочные ис. Гибридные ис.

Пленочные ИС имеют подложку (плату) из диэлектрика (стекло, керамика и др.). Пассивные элементы, т. Е резисторы, конденсаторы, катушки и соединения меж элементами, выполняются в виде разных пленок, нанесенных на подложку. Активные элементы (диоды, транзисторы) не делаются пленочными, так как не удалось добиться их хорошего свойства. Таковым образом, пленочные ИС содержат лишь пассивные элементы и представляют собой ДС-цепи либо какие-или остальные схемы.

Принято различать ИС тонкопленочные, у которых толщина пленок не более 2 мкм, и толстопленочные, у которых толщина пленок существенно больше. Разница меж этими ИС заключается не столько в толщине пленок, сколько в различной технологии их нанесения.

Гибридные ИС обширное распространение получили гибридные ИС – интегральные схемы, в которых используются плёночные пассивные элементы и навесные элементы

(резисторы, конденсаторы, диоды, оптроны, транзисторы), называемые компонентами ГИС. Электрические связи меж элементами и компонентами осуществляются с помощью плёночного либо проволочного монтажа.

Реализация функциональных частей в виде ГИС экономически целесообразна при выпуске малыми сериями специализированных вычислительных устройств и другой аппаратуры. Больших требований к точности частей в ТЗ нет. Условия эксплуатации изделия обычные.

Навесными элементами в микроэлектронике называют миниатюрные, традиционно бескорпусные диоды и транзисторы, представляющие собой самостоятельные элементы. Время от времени в гибридных ИС навесными могут быть и некие пассивные элементы, к примеру, миниатюрные конденсаторы с таковой большой емкостью, что их нереально выполнить в виде пленок.

Билет № 38

1. Выпрямительные диоды.

Выпрями́тельные дио́ды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный. На сменуэлектровакуумным диодам и игнитронам пришли диоды из полупроводниковых материалов и диодные мосты (четыре диода в одном корпусе). Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров выпрямительных диодов не предъявляют специальных требований.

Основные параметры выпрямительных диодов:

• среднее прямое напряжение Uпр.ср. при указанном токе Iпр.ср.;

• средний обратный ток Iобр.ср. при заданных значениях обратного напряжения Uобр и температуры;

• допустимое амплитудное значение обратного напряжения Uобр.макс.;

• средний прямой ток Iпр.ср.;

• частота без снижения режимов.

Для повышения коэффициента полезного действия выпрямительные диоды включают по мостовой (реже полумостовой) схеме, чтобы питание нагрузки осуществлялось на протяжении обоих полупериодов.

2. Основные характеристики полевых транзисторов.

К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:

·     стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока I_С от напряжения на затворе U_ЗИ (рис. 2.4, а);

·     стоковая характеристика – это зависимость I_С от U_СИ при постоянном напряжении на затворе (рис. 2.4, б)

I_С = f (U_СИ), при U_ЗИ = const.

 

Рис. 2.4. Характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом:а – стокозатворная (входная); б – стоковая (выходная)

 

Основные параметры полевых транзисторов:

·     напряжение отсечки;

·     крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В (рис. 2.4, а)

 QUOTE S=∆Ic∆Uзи    , при U_СИ = const,

;

·     внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора (рис. 2.4, б)

, при U_ЗИ = const;

·     входное сопротивление

.