Расчет преобразователя частоты [1]
Выберем транзисторный преобразователь частоты с внешним гетеродином. В таком преобразователе сигнал от входной цепи поступает к базе биполярного транзистора смесителя, включенного по схеме с ОЭ. При таком включении входная проводимость смесителя для напряжения сигнала получается меньшей, чем в схеме с ОБ.
Рассчитаем элементы питания транзистора:
Параметры транзистора 2Т603И:
-
обратный ток коллектора
-
граничная частота
-
коллекторный ток
-
напряжение в рабочей точке
-
напряжение питания
Определим изменение обратного тока коллектора:
Находим тепловое смещение тока базы:
Где
Рассчитываем необходимую нестабильность коллекторного тока:
Вычисляем сопротивление резисторов
Далее подсчитываем емкости конденсаторов:
Рассчитаем параметры колебательного контура настроенного на промежуточную частоту. Выбираем min ёмкость контура. Обычно её берут в пределах 40-60 пФ. Выбираем 40 пФ.
Сmin = 40 пФ
Определяем индуктивность катушки контура:
Определяем ёмкость:
Расчет фильтра сосредоточенной селекции [2]
Исходными данными являются следующие характеристики:
Полосу
пропускания 2
f=
2МГц;
Избирательность по соседнему каналу приема S ск= 30 дБ;
Соседний канал отстроен от промежуточной частоты приемника на 10 МГц.
Нагрузками фильтра служат выходное сопротивление усилительного каскада УПЧ равное 200 кОм и входное сопротивление следующего каскада равное 200Ом.
Номинал промежуточной частоты приемника fпч=6,5 МГц.
Выходная ёмкость усилительного каскада Свых=2 пФ, входная ёмкость следующего каскада (нагрузки) Свх=5 пФ. Потери фильтра в полосе пропускания должны быть минимальны.
Ввиду высоких требований к избирательности фильтра, целесообразно выбрать фильтр с чебышевской характеристикой затухания.
Определим нормированную частоту.
В
соответствии с исходными данными 2
МГц;
f0
=fпч=6,5
МГц ; fн=7,5
МГц;
f –н=6,5 МГц.
Отсюда находим:
Пересчитаем
заданное ослабление Sск
в неперы,
считая, что 1дБ=0,115неп;
неп.
Считая
допустимую неравномерность затухания
в пределах полосы пропускания не более
0,1неп
(0,8дБ) по графику рис.1.5 [3] определяем
класс фильтра, n=6.
Целесообразно выбрать следующую схему прототипа:
Нагрузка
фильтра на клеммах 2-2 R2=200Ом.
Вход фильтра (клеммы 1-1) нагружен на
большее сопротивление 200кОм, поэтому
можно считать r1=
,
и параметры фильтра-прототипа находить
из таблицы 1.10 [3].
Выбираем катушки индуктивности с добротностью Q=100
1=0,48;
2=2,87;
3=1,85;
4=2,6;
5=1,6;
6=1,62,
0,25неп
Пользуясь формулами таблицы 1.13 [3] переходим от элементов прототипа n к элементам фильтра
пФ;
мкГн;
1/Ом;
мкГн;
пФ;
Ом;
пФ;
мкГн;
1/Ом;
мкГн;
пФ;
Ом;
пФ;
мкГн;
1/Ом;
мкГн;
пФ;
Ом
Электрическая схема фильтра без учета потерь в элементах имеет вид
L2
C2
L4
C4
L6
C6
200кОм
L1
C1
L3
C3
L5
C5
200Ом
Величина потерь в полосе пропускания фильтра: 0,25неп=2,17дБ
Ввиду того, что нормальный ряд емкостей не содержит конденсаторов менее 1пФ, при изготовлении фильтра следует реализовать емкости С2, С4, С6 на конденсаторах С2=С4=С6=1пФ с последующей подстройкой контуров фильтра. Необходимо учесть также, что С1=Свых+С1’, т.е. конденсатор
С1’ = С1 - Свых = 38 пФ – 2 пФ = 36 пФ.