
- •1 Классификация этм
- •2 Типы хим. Связи
- •3. Электрические характеристики диэлектриков:
- •5. Методы измерения е и tgb
- •6 Электропроводность г. Ж. И т. Материалов
- •7, 8 Диэлектрические потери, схемы замещения, векторная диаграмма полные и удельные потери
- •9. Механизм пробоя в газах.
- •10 Пробой диэлектриков
- •12 Тепловые свойства. Классы нагревостойкости.
- •13.Механические хар-ки д/э.
- •14 Влажностные характеристики
- •15. Трансформаторное масло, его свойства и области применения.
- •16 Водород, его свойства и области применения.
- •17 Волокнистая изоляция.
- •18.Электротехническая керамика.
- •19.Достоинства и недостатки органической и неорганической изоляции.
- •20. Газообразные д/э. Области применения.
- •21.Слоистые пластики и пластмассы.
- •22.Неорганическая изоляция:слюда и стекло.
- •23 Основные характеристики проводников:
- •24. Медь.Св-ва.
- •25. Проводниковые материалы высокой проводимости. Свойства и области применения.
- •26. Контактная разность потенциалов и термо э.Д.С.
- •27 Проводники высокого сопротивления.
- •28 Сверхпроводники и криопроводники
- •30. Простые п/п Ge и Si. Свойства и области применения.
- •35. Клас. Магнит. Материалов:
- •36. Магнит.Ст-ра.Магнитострикция:
- •37.Осн.Характ.Магнитнотв.Материалов:
- •38.Осн.Характ.Магнит.Мягких матер:
- •42.Характ.Tg(дельта).Физ.Смысл.
- •43.Элегаз.Свойства.Область примен.
- •44.Классификация полупроводниковых материалов
- •45. Химические свойства д/э:
- •1 Классификация этм
- •2 Типы хим. Связи
5. Методы измерения е и tgb
Е является важнейшей характеристикой д/э. для определения е находят емкость Сх конденсатора с д/э из испытуемого материала. В случае плоской формы образца расчет е производят по формуле:
.
Где -толщина образца, м. площадь,
эл.постоянная е=8,85*10^-12 Ф/м.
Для измерения Сх применяется мостовой метод. Измерения производятся на переменном напряжении низкой частоты.
Для определения tgb применяется мостовой метод. Измерения производятся на переменном напряжении. Величина tgb определяется по уравнению: tgb=2*πf*c4*10^-6*R4. При значениях R4=10000/π и f=50 Гц tgb=[ c4].
6 Электропроводность г. Ж. И т. Материалов
Электропроводность
– это способность вещества проводить
электрический ток, обусловленная
наличием свободных зарядов в веществе.
Для численного определения этой
способности вводятся величины «удельное
электрическое сопротивление», и
«удельная электрическая проводимость»,
.
Названия типов электропроводности определяются названиями свободных носителей зарядов:
электронная (дырочная),
ионная,
молионная. Молионная электропроводность иногда называется катафоретической или электроосмотической – по названию явлений (электрофорез, электроосмос), связанных с движением молионов в электрическом поле.
Все д/э материалы под воздействием постоянного напряжения пропускают некоторый весьма незначительный ток, называемый «током утечки». Общий ток утечки ч/з изоляцию составит: I=Iv+Is, где Iv-объемный ток, Is-поверхностный ток. Следовательно, проводимость G=I/U складывается из объемной и поверхностной проводимостей, отсюда G=Gv+Gs. Величины обратные проводимостям, наз-ся сопротивлениями изоляции-объемным, поверхностным и результирующим
R=1/G=RvRs/Rv+Rs. Удельная электропроводность д/э зависит от агрегатного состояния, хим.состава и структуры, от воздействия внешних факторов: температуры, влажности и др.
Pv=Rv*S/h Rv=U/Iv Ps=Rs*d/l, d-ширина электродов на поверхности д/э, l-расстояние м/у электродами.
7, 8 Диэлектрические потери, схемы замещения, векторная диаграмма полные и удельные потери
Диэлектрические потери – это потери энергии в диэлектрике, находящемся в электрическом поле. Энергия электрического поля расходуется на нагрев диэлектрика. Наибольшие потери бывают при переменном электрическом поле. Энергия переменного электрического поля расходуется на:
- поляризацию диэлектрика,
- электропроводность диэлектрика, и за счет указанных явлений нагревает диэлектрик.
схемы замещения диэлектрика Для расчета диэлектрических потерь и других процессов в устройствах с диэлектриками последние замещаются схемами, наиболее известными из которых являются:
последовательная схема замещения диэлектрика:
параллельная
схема замещения диэлектрика:
Схемы замещения диэлектрика обязательно
содержат емкость и активное сопротивление.
Емкость отражает способность диэлектрика
накапливать заряды в постоянном поле,
а в переменном поле создает путь для
тока смещения в диэлектрике. Активное
сопротивление - это элемент схемы,
выделение энергии в котором отражает
диэлектрические потери.
Из векторной диаграммы токов выводится формула диэлектрических потерь при переменном напряжении
P=U2wCtgb
Согласно опр. угол диэлектрических потерь равен отношению активного тока к реактивному. Заменяя токи через отношения напряжения к соответствующим сопр., получим для параллельной схемы замещения выражение tgb=1/wCprp