Исследование влияния времени диффузии (в) на профиль распределения примеси в Si(p) в p-n переходе

I.

U, В	C, пФ	C-2, (пФ-2)	N(x), см-3	X, мкм
0
1
2
3
3,1
3,25
3,3
3,4

II

U, В	C, пФ	C-2, (пФ-2)	N(x), см-3	X, мкм
0
1
2
3
4
4,1
4,2
4,3
4,4
4,5

III

U, В	C, пФ	C-2, (пФ-2)	N(x), см-3	X, мкм
0
1
2
3
4
5
6
6,1
6,2
6,3
6,4

Вывод:

7