Вопросы для самоподготовки.

1. Основные параметры рекомбинационных центров в полупроводниках.

2. Основные положения модели Холла-Шокли-Рида .

3. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда.

4. Как объяснить зависимость от концентрации равновесных носителей заряда .

Литература.

• В.Л. Бонч-Бруевич , С.Г. Калашников. Физика полупроводников. М.: 1977.

• С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: 1963.