Подготовка установки к работе.

1. Ручку переключателя поддиапазонов (ПП) селективного вольтметра В6-( установите в положение «100 mV».

2. Нажмите кнопки «широкая полоса» и «x10/+20 dB» .

3. Включите тумблер «сеть», при этом должна загореться лампа «x10/+40 dB»; прогрейте прибор в течение 15 минут, включите кнопку «x10/ 20 dB» , при этом загорится «x10/ 20 dB».

4. Ручку ПП установите в положение «10 mV», а ручку ►- в крайнее левое положение.

5. Выключите кнопку «широкая полоса».

6. Включите кнопку «200 Гц-2мкГц», при этом должна загореться лампа «х1/0 dB».

7. Включите кнопку «10 mV/1 kHz».

8. Настройте прибор на частоту калибратора 800 Гц ручкой грубой настройки и ручкой ▼▼ точной настройки, т.е. добейтесь максимального отклонения стрелки прибора, при этом показание прибора должно быть в пределах 7.0 – 8.5 mV .

9. Откалибруйте микровольтметр, т.е. ручкой ►установите показатель прибора на на конечную отметку шкалы.

10. Отключите кнопку «10 mV/1 kHz». Микровольтметр откалиброван.

11. Включите источник света и модулятор.

12. С помощью линзы сфокусируйте излучение на площадку образца.

УСТАНОВКА ГОТОВА К РАБОТЕ.

Проведение измерений.

1. Измерить интенсивность света, падающего на образец.

1.1 Вставить в гнездо кассету 1 (гнездо находится между полюсами магнита).

1.2 Измерить напряжение V_ФМЭ .

1.3 Рассчитать интенсивность света I₀.

(33)

где Н=1700 эрстед.

β=1.

μ_n+μ_p=5758 см²/В*сек.

μ_p= 522 см²/в сек.

D=47.1см² /сек.

При расчетах пользоваться справочными данными :

1 Потенциал 1 ед. СГСэ =300 В.

2 Заряд 1 кл = 3*10⁹ ед. СГСэ

3 Сила тока 1 А =3*10⁹ ед. СГСэ

4 Электрическое сопротивление 1 Ом =1.11*10¹² СГСэ.

2. Определить зависимость времени жизни носителей заряда от концентрации основной легирующей примеси.

2.1 Вставить в гнездо последовательно кассеты №2; 1 (ρ-Ge), измерить сопротивление и V_ФМЭ образцов, строго соблюдая порядок работы п.1.3.

2.2 Рассчитать l_D , используя I₀ пункта 1.

3. Рассчитать :

, где D=47.1 см²/сек.

3. Результаты занести в таблицу:

Тип образца	Rобр, Ом	VФМЭ, mV	LD, см	, см

3. Рассчитать величину p₀ по формуле

4. Определить зависимость =f(1/ p₀) и сравнить ее с теоретической зависимостью.

3. Рассчитать коэффициент рекомбинации электронов по формуле (32), используя значение

(34)

где =0.18 эВ (уровень расположен в нижней половине запрещенной зоны).

К=8.62*10^-3 эВ/к =1.38*10^-23 Дж.

Т=293 К.

М=1.3*10¹¹ см^-3.

4. Рассчитать сечение захвата электрона _n рекомбинационным центром, учтя, что m=9.1*10^-31

5. Сделать вывод о зарядовом состоянии дефекта и его возможной природе (донор или акцептор).

6. По окончании работ произвести отключение установки.