
- •«Технология и конструирование гис»
- •Содержание:
- •1. Ведение
- •1.1. Теоретические сведения
- •Конструирование и технология тонкопленочных гис.
- •1. Подложки тонкопленочных гис
- •2. Материалы элементов тонкопленочных гис Материалы резисторов
- •Материалы конденсаторов
- •Материалы проводников и контактных площадок
- •3. Методы формирования конфигураций элементов тонкопленочных гис
- •1) Масочный метод.
- •2. Расчет тонкопленочных элементов
- •2.1. Расчет резисторов
- •2.Определение материала резистивной пленки
- •3.Проверка правильности выбранного материала с точки зрения изготовления резисторов.
- •4.Определение конструкции резисторов по значению коэффициента формы
- •1. Расчет r1
- •Резисторы прямоугольной формы
- •Резисторы прямоугольной формы, у которых длина меньше ширины
- •3. Расчет r5
- •Резисторы сложной формы типа меандр
- •2.2. Расчет конденсаторов
- •1.По табл.3.5. Выбираем материал диэлектрика по рабочему напряжению
- •6. Минимальная удельная емкость для обеспечения точности изготовления наименьшего по номиналу конденсатора:
- •7. Минимальное значение удельной емкости конденсатора:
- •1. Расчет с3,c6,c8
- •Пленочные конденсаторы
- •2.3 Выбор навесных компонентов
- •Навесные конденсаторы
- •3. Определение площади подложки
- •4. Выбор корпуса
- •5. Оценка качества разработанной топологии
- •6. Разработка технологического процесса изготовления гимс
- •6.1. Выбор и обоснование технологического процесса
- •6.2. Технологический маршрут изготовления
- •6.3. Операционная карта
- •7. Требования безопасности
6.2. Технологический маршрут изготовления
тонкопленочной ГИМС
Номер операции в маршрутной карте |
Содержание операции |
1 |
Очистка подложки |
2 |
Напыление резистивного слоя Кермет К-50С |
3 |
Стабилизация резистивного слоя Кермет К-50С |
4 |
Измерение удельного поверхностного сопротивления |
5 |
Контроль качества слоя Кермет К-50С на травление (на дополнительной подложке) |
6 |
Напыление резистивного слоя РС-3001 |
7 |
Стабилизация резистивного слоя РС-3001 |
8 |
Измерение удельного поверхностного сопротивления |
9 |
Контроль качества слоя РС-3001на травление (на дополнительной подложке) |
10 |
Напыление проводящего слоя меди |
11 |
Контроль адгезии слоя меди |
12 |
Фотолитография 1 по проводящему слою меди |
13 |
Контроль качества фотолитографии 1 |
14 |
Фотолитография 2 по резистивному слою РС-3001 |
15 |
Контроль качества фотолитографии 2 |
16 |
Фотолитография 3 по резистивному слою Кермет К-50С |
17 |
Контроль качества фотолитографии 3 |
18 |
Напыление нижних обкладок конденсаторов(материал: алюминий с подслоем титана) через маску |
19 |
Напыление диэлектрика ( материал: Боросиликатное стекло ЕТО.035.015ТУ) через маску |
20 |
Напыление верхних обкладок конденсаторов и перемычек (материал: алюминий) через маску |
21 |
Нанесение защитного покрытия (Фоторезист ФП-11) |
22 |
Фотолитография 4 по слою ФП-11.Вскрытие контактных площадок для контроля и монтажа |
23 |
Контроль качества фотолитографии 4 |
24 |
Декапирование платы перед лужением |
25 |
Лужение открытых контактных площадок |
26 |
Отмывка плат после лужения |
27 |
Контроль качества лужения |
28 |
Скрайбирование (резка подложки на платы) |
29 |
Контроль электрических параметров |
30 |
Монтаж навесных компонентов |
31 |
Контроль качества монтажа |
32 |
Приклейка платы к основанию корпуса |
33 |
Пайка выводов корпуса к внешним контактным площадкам |
34 |
Контроль на функционирование |
35 |
Вакуумная сушка перед герметизацией |
36 |
Прихватка крышки к корпусу контактно-точечной сваркой |
37 |
Герметизация лазерной сваркой |
38 |
Контроль герметичности |
39 |
Маркировка |
40 |
Защита поверхности корпуса лаком УР-231 |
41 |
Упаковка в тару |