Пленочные конденсаторы

	C1	C2,C15	C3,C6,C8
l	6,9	3,9	2,12
b	6,9	3,9	2,12
S	47,61	15,21	4,49

2.3 Выбор навесных компонентов

Отношение , следовательно коэффициент учитывающий краевой эффект , , поэтому используем навесной конденсатор:

Навесные конденсаторы

	C4,C7	C9
l	2	5,5
b	1,9	4,6
S	3,8	25,3

3. Определение площади подложки

Площадь платы определяют по формуле:

,где

-коэффициент запаса по площади, определяемый количеством элементов в схеме, их типом и сложностью связей между ними;

-площади, занимаемые всеми резисторами, конденсаторами, контактными площадками;

-суммарная площадь навесных компонентов, которые не могут быть расположены над пленочными элементами и занимают площадь на плате.

По табл.3.3.выбираем типоразмер платы: 24мм х 30мм, S=720мм

4. Выбор корпуса

При выборе корпуса учитываем размеры подложки, условия эксплуатации и производства. В данном случае целесообразно применение корпуса, аналогичного металлостеклянному корпусу 1210(157.29-1). Расположение выводов — двухстороннее, с каждой стороны по 9..

Корпус состоит из металлического дна и металлической крышки, а также стеклянных деталей, в которые впаяны либо впрессованы металлические выводы круглого или прямоугольного сечения. Металлическое дно также спаяно или спрессовано со стеклом. Герметизация осуществляется лазерной сваркой. Посадка в корпус клеем холодного отверждения.

5. Оценка качества разработанной топологии

Топология разработана в соответствии с технологическими ограничениями и соответствует схеме электрической принципиальной.

6. Разработка технологического процесса изготовления гимс

6.1. Выбор и обоснование технологического процесса

С точки зрения технологичности все резисторы целесообразно изготовлять одним методом. Поскольку по условию точность изготовления R1, R2, R4, R5 равна 5% и требуется, чтобы резисторы занимали минимальную площадь, то для изготовления резисторов следует выбрать фотолитографический метод. Для изготовления конденсаторов следует выбрать масочный метод. Технологический процесс изготовления тонкопленочной ГИС будет проводиться с помощью комбинированного метода (масочный и фотолитографический). Комбинированный масочный и фотолитографический метод применяют в серийном и массовом производстве, при этом максимальная разрешающая способность при изготовлении пленочных элементов 50 мкм, точность изготовления R- и С-элементов 1 и 10% соответственно. Максимальная точность изготовления резисторов (при подгонке) 0.1%, конденсаторов 5%.