2.Определение материала резистивной пленки

По таблице 3.4 выбираем материал резистивной пленки с удельным сопротивлением, ближайшим по значению к вычисленному .При этом необходимо, чтобы ТКR материала был минимальным, а удельная мощность рассеяния - максимальной.

Для резисторов R1,R2,R4,R5,R9,R14,R16:

Материал для напыления резистивной пленки	Сплав РС-3001 (ЕТО.021.019 ТУ)
Материал контактных площадок	Золото с подслоем хрома(нихрома)
Удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки ,
Диапазон номинальных значений сопротивлений, Ом	200 - 100000
Допустимая удельная мощность рассеяния ,	2
Температурный коэффициент сопротивления ТКR при Т=-60 125

Для резисторов R3,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R15:

Материал для напыления резистивной пленки	Кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ)
Материал контактных площадок	Золото с подслоем хрома(нихрома)
Удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки ,
Диапазон номинальных значений сопротивлений, Ом	10000 - 10000000
Допустимая удельная мощность рассеяния ,	2
Температурный коэффициент сопротивления ТКR при Т=-60 125

3.Проверка правильности выбранного материала с точки зрения изготовления резисторов.

Полная относительная погрешность изготовления пленочных резисторов:

где -погрешность коэффициента формы;

-погрешность воспроизведения величины резистивной

пленки;

-погрешность, обусловленная старением пленки;

-погрешность переходных сопротивлений контактов;

где -температурный коэффициент сопротивления материала пленки,

1) - для сплава РС-3001;

2) -для Кермет К-50С;

Допустимая погрешность коэффициента формы:

(для R3,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R15);

(для R1,R2,R4,R5);

(для R9,R14,R16);

Следовательно, сплав РС-3001 и Кермет К-50С подходит для изготовления всех резисторов с заданной точностью без подгонки.

4.Определение конструкции резисторов по значению коэффициента формы

Коэффициент формы определяется по формуле: ,где

-номинал -го резистора; -удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки;

При конструируем резистор прямоугольной формы, у которого длина меньше ширины (для резисторов R2,R9,R14,R16).

При конструируем резистор прямоугольной формы (для резисторов R1,R3,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R15).

При конструируем резистор сложной формы (для резисторов R4,R5).

По табл.3.15 определяем технологические ограничения для метода фотолитографии: