Материалы проводников и контактных площадок

Они должны иметь малое удельное сопротивление, хорошую адгезию к подложке, высокую коррозионную стойкость. Самым распространенным материалом тонкопленочных проводников и контактных площадок в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хрома, нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию, а золото – нужную проводимость, высокую коррозионную стойкость, возможность пайки и сварки.

В аппаратуре с менее жесткими требованиями к надежности в качестве проводников используют пленки меди или алюминия с подслоем хрома, нихрома или титана. Для предотвращения окисления меди и улучшения условий пайки или сварки ее покрывают никелем, золотом или серебром.

3. Методы формирования конфигураций элементов тонкопленочных гис

1) Масочный метод.

При масочном методе рекомендуется такая последовательность формирования слоев для изготовления ГИС, содержащих резисторы, проводники, пересечения пленочных проводников, конденсаторы. Напыление:

а) резисторов;

б) проводников и контактных площадок;

в) межслойной изоляции;

г) проводников;

д) нижних обкладок конденсаторов;

е) диэлектрика;

ж) верхних обкладок конденсаторов;

з) защитного слоя.

2) Фотолитографический метод

При фотолитографическом методе для изготовления ГИС, содержащих резисторы и проводники, используют два варианта технологии:

а) напыление материала резистивной пленки;

напыление материала проводящей пленки;

фотолитография проводящего слоя;

фотолитография резистивного слоя;

нанесение защитного слоя;

б) после проведения первых двух операций – фотолитография проводящего и резистивного слоев; фотолитография проводящего слоя; нанесение защитного слоя.

3) Комбинированный масочный и фотолитографический метод

При совмещении масочного и фотолитографического методов для микросхем, содержащих резисторы, проводники и конденсаторы, используют два варианта технологии:

а) напыление резисторов через маску;

напыление проводящей пленки на резистивную;

фотолитография проводящего слоя;

поочередное напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;

нанесение защитного слоя;

б) напыление резистивной пленки;

напыление проводящей пленки на резистивную;

фотолитография проводящего и резистивного слоев;

фотолитография проводящего слоя, напыление через маску нижних обкладок, диэлектрика и верхних обкладок конденсаторов;

нанесение защитного слоя.

2. Расчет тонкопленочных элементов

2.1. Расчет резисторов

Конструктивный расчет тонкопленочных резисторов заключается в определении формы, геометрических размеров и минимальной площади, занимаемой резисторами на подложке.

	R1	R2	R3	R4	R5	R6, R10	R7, R11	R8,R13, R15	R9,R14, R16	R12
Номинал кОм	10	1,2	47	56	22	47	24	36	0,75	100
Допуск %	5	5	10	5	5	10	10	10	10	10
Мощность мВт	15	5	1,5	1,2	1	4	6	4	200	1.5

1.Определение сопротивления квадрата резистивной пленки.

где n-число резисторов; -номинал -го резистора

Распределим резисторы на 2 группы:

Для резисторов R1,R2,R4,R5,R9,R14,R16:

Для резисторов R3,R6,R7,R8,R10,R11,R12,R13,R15: