- •«Технология и конструирование гис»
- •Содержание:
- •1. Ведение
- •1.1. Теоретические сведения
- •Конструирование и технология тонкопленочных гис.
- •1. Подложки тонкопленочных гис
- •2. Материалы элементов тонкопленочных гис Материалы резисторов
- •Материалы конденсаторов
- •Материалы проводников и контактных площадок
- •3. Методы формирования конфигураций элементов тонкопленочных гис
- •1) Масочный метод.
- •2. Расчет тонкопленочных элементов
- •2.1. Расчет резисторов
- •2.Определение материала резистивной пленки
- •3.Проверка правильности выбранного материала с точки зрения изготовления резисторов.
- •4.Определение конструкции резисторов по значению коэффициента формы
- •1. Расчет r1
- •Резисторы прямоугольной формы
- •Резисторы прямоугольной формы, у которых длина меньше ширины
- •3. Расчет r5
- •Резисторы сложной формы типа меандр
- •2.2. Расчет конденсаторов
- •1.По табл.3.5. Выбираем материал диэлектрика по рабочему напряжению
- •6. Минимальная удельная емкость для обеспечения точности изготовления наименьшего по номиналу конденсатора:
- •7. Минимальное значение удельной емкости конденсатора:
- •1. Расчет с3,c6,c8
- •Пленочные конденсаторы
- •2.3 Выбор навесных компонентов
- •Навесные конденсаторы
- •3. Определение площади подложки
- •4. Выбор корпуса
- •5. Оценка качества разработанной топологии
- •6. Разработка технологического процесса изготовления гимс
- •6.1. Выбор и обоснование технологического процесса
- •6.2. Технологический маршрут изготовления
- •6.3. Операционная карта
- •7. Требования безопасности
Московский Государственный Институт Электронной Техники (Технический Университет)
Курсовой проект
по курсу КПиТИМС
на тему:
«Технология и конструирование гис»
выполнил: Галиуллин Р.Р.
студент группы ЭТМО-34
проверил: Бойко А.Н.
Москва, 2010г.
Содержание:
1. Введение
1.1. Теоретические сведения
2. Расчет тонкопленочных элементов
2.1. Расчет резисторов
2.2. Расчет конденсаторов
2.3 Выбор навесных компонентов
3. Определение площади подложки
4. Выбор корпуса
5. Оценка качества разработанной топологии
6. Разработка технологического процесса изготовления ГИМС
6.1. Выбор и обоснование технологического процесса
6.2. Технологический маршрут изготовления тонкопленочной ГИМС
6.3. Операционная карта
7. Требования безопасности
8. Графическая часть
8.1. Схема электрическая принципиальная (задание)
8.2. Плата
8.3. Вид на резистивный слой
8.4. Вид на проводящий слой
8.5. Вид на защитный слой
8.6. Вид на слой с нижними обкладками конденсаторов
8.7.Вид на диэлектрический слой
8.8. Вид на слой с верхними обкладками конденсаторов
8.9. Микросборка со спецификацией
8.10.Микросхема со спецификацией
1. Ведение
1.1. Теоретические сведения
Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.
По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС.
в полупроводниковых ИМС все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки.
в пленочных ИМС пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1мкм) или толстых (10-50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку.
Гибридные ИМС (ГИС) представляют собой комбинацию пленочных пассивных ЭРЭ с миниатюрными бескорпусными дискретными активными приборами (полупроводниковыми ИМС, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке.
ЭРЭ, которые являются неотъемлемой составной частью ИМС и не могут быть выделены из нее как самостоятельное изделие, называют элементами ИМС, а дискретные активные ЭРЭ ГИС – навесными компонентами (или просто компонентами), подчеркивая тем самым, что их изготовляют отдельно в виде самостоятельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов элементы ИМС называют интегральными (интегральный резистор, интегральный диод).