- •Загальна характеристика поверхні. Фізична і хімічна неоднорідність
- •1.2. Склад і будова поверхні
- •1.5. Поверхнева енергія. Поверхневий натяг
- •1.6. Повна, внутрішня і поверхнева енергія кристалу.
- •3.1 Деякі загальні поняття і терміни
- •3.2 Характеристичні функції і термодинамічні потенціали
- •3.4. Оцінка можливості і спрямованості протікання процесів. Розрахунок стандартної зміни енергії Гіббса
- •Адсорбовані атоми на поверхні
- •4.2. Зв’язок між кількістю адсорбованого газу й тиском. Ізотерма Ленгмюра.
- •4.3. Рівняння Гіббса для адсорбції
- •4.7. Фізична адсорбція
- •4.8. Хімічна адсорбція (хемосорбція)
- •4.10. Перехід від фізичної адсорбції до хімічної
- •5.1 Основні закони капілярності
- •5.2. Змочування і розтікання
- •5.3. Рівняння Юнга. Рівноважний крайовий кут.
- •5.4. Адгезія і когезія. Робота адгезії
- •5.5. Поверхнева енергія на границі зерен металу
- •6.2. Механізм процесу кристалізації
- •6.3. Зародкоутворення
- •7.1. Загальні положення
- •6.2. Закони дифузії Фіка
- •7.3. Коефіцієнт дифузії й енергія активації дифузії
- •7.4. Деякі рішення законів Фіка
- •7.5. Дифузія по поверхні кристалічних тіл. Дифузія адсорбованих атомів
- •7.6. Поверхнева самодифузія
- •7.8. Механізми припікання твердих тіл, що контактують у точці
- •Механізм об'ємної самодифузії при спіканні
- •8.1. Елементи механіки деформованого твердого тіла
- •8.2. Випробування на розтяг. Діаграма розтягу
- •8.3. Теоретична міцність твердих тіл при відриві та зсуві
- •8.4. Дефекти твердих тіл. Технічна міцність металів і сплавів
- •8.5. Загальні відомості про теорії дислокацій
- •8.6. Вплив зовнішньої поверхні на процес пластичної деформації
- •8.7. Аномалії пластично течії поверхневих шарів. Особливості переміщення дефектів поблизу вільної поверхні тіла
- •8.8. Динаміка дислокацій у приповерхневому шарі при наявності плівок і покриттів
- •9.1. Групи середовищ
- •9.2. Деякі загальні подання про взаємодію металів з газами
- •9.3. Окислення
- •9.4. Характеристика середовищ за механізмом їхнього впливу на фізико-механічні властивості металів Концепції фізико-хімічної механіки матеріалу (фхмм).
- •9.5. Зниження поверхневої енергії і зміна механічних властивостей твердих тіл під впливом оточуючого середовища (адсорбційний ефект Ребіндера)
- •10.1. Класифікація методів нанесення плівок і покриттів
- •10.2. Осадження в рідкій фазі
- •10.3. Осадження у твердій фазі
- •10.4. Осадження з парової фази
- •10.5. Вплив плівок і покриттів на властивості твердих тіл
- •10.6. Адгезійна взаємодія плівок Основні визначення та поняття адгезії плівок і покриттів
- •10.7. Адгезія й адгезійна міцність плівок. Особливості кількісної оцінки адгезійної міцності плівок
- •10.8. Теоретичні критерії адгезії покриттів до металів
- •11.1. Стадійність фізико-хімічних процесів при формуванні газотермічних покриттів
- •11.2. Утворення фізичного контакту при плазмовому напиленні (гтн). Перший етап взаємодії при напиленні
- •11.3. Термічний режим у зоні контакту при плазмовому напиленні
- •11.4. Роль поверхневої енергії, вакансій і дислокацій у підвищенні контактної температури в умовах плазмового напилення
- •11.5. Другий етап при плазмовому напиленні (гтн) – хімічна взаємодія
- •1. Механічний канал.
- •2. Термічний канал.
- •11.6. Об'ємна взаємодія і формування міжфазної зони при газотермічному напилюванні. (Третій етап)
1.2. Склад і будова поверхні
Поверхня реального кристала неоднорідна і характеризується складним мікрорельєфом. На рис.1.1 показані різні деталі рельєфу поверхні. Розглянемо модель, що ілюструє характер положення атомів на поверхні кубічної грати.
На такій поверхні атоми можуть знаходитися в наступних положеннях: на повністю заповненому краї - 1; у вершині кута - 2; на цілком заповненій поверхні - 3; на не заповненому краї - 4; у вершині незаповненого кута - 5; на сходинці - 6; на поверхні - 7; вакансії, що виходять на поверхню кристала - 8. Зі всіх положень атома найцікавіше і важливе для практики напівкристалічне положення ½, яке найбільш часто зустрічається при поступовому вирощуванні кристалів і вакуумному нанесення покриттів.
В різних процесах різноманітні розташування відіграють різну роль. Наприклад, розміщення ½ дуже важливе для створення вакансій, розміщення 8 суттєве при різних явищах адсорбції, розміщення 3 – типове розміщення на ідеальній поверхні і т. д.
8
7
½
6
4
5
3
2
1
Рис.1.1 Схема можливих характерних положень атомів і вихід дефектів на поверхню кристала з кубічною граткою (модель Косселя і Странського)
Складний рельєф поверхні кристала призводить до того, що на поверхні є атоми, які відрізняються різними числами сусідів та енергією зв’язку (табл. 1.1).
Сили зв'язку, які діють на атоми з боку сусідніх атомів, дуже залежать від його положення на поверхні кристала. Повна енергія зв'язку для атома або іона, наприклад, для кубічних кристалічних грат Е=6Е1+12Е2, Е1 – енергія зв'язку по поверхні між кубами; Е2 – енергія зв'язку по гранях куба.
Атоми, що знаходяться на поверхні мають меншу енергію зв'язку і залежно від положення атомів її величина зменшується в наступному порядку:
Е(3)>E(1)>E(1/2)>E(2)>E(6)>E(7)>E(4)>E(5)
З схеми поверхні кристала можна підрахувати величину енергії атомів в різних положеннях:
E(1)=4E1+5E2; E(2)=3E1+3E2; E(3)=5E1+8E2; E(4)=E1+3E2; E(5)=E1+2E2;
E(6)=2E1+6E2; E(7)=E1+4E2
Реальна металева поверхня додатково має велике число дефектів інших типів. До них в першу чергу відносяться дефекти, що виникають в місцях виходу дислокацій і слідів меж зерен та вакансій.
1.5. Поверхнева енергія. Поверхневий натяг
А. Поверхнева енергія
Таким чином, для поверхні характерний прояв ряду ознак, у тому числі і її структурне спотворення. У свою чергу характерною особливістю поверхневого спотворення є різка локалізація атомів у поверхні, а також наявність взаємодіючих атомів на поверхні з атомами всередині.
Чим більше відповідність в атомній будові і у взаємному орієнтуванні тіл, що сполучаються, тим менше сили зв'язку у поверхні розділу відрізняються від сил зв'язку в об'ємі.
Зникнення або обмеження нормальних складових сил зв’язку призводить до перерозподілу силової взаємодії між атомами у поверхні розділу.
Частинка кристалічних грат (атом, іон або молекула), розташовані усередині кристала, випробовує сили взаємодії з боку всіх навколишніх її сусідніх частинок і знаходиться в стані рівноваги. Рівнодіюча всіх сил із сторони навколишніх частинок на цю частинку дорівнює нулю.
В інших умовах знаходиться частинка кристала, розташована на його поверхні, оскільки взаємодіючі з нею частинки знаходяться тільки з одного боку – з боку кристала. Для того, щоб при такому несиметричному силовому полі рівнодіюча всіх сил, діючих на поверхневу частинку, дорівнювала нулю, тобто щоб поверхнева частинка знаходилася в рівновазі, частинки кристала поблизу від поверхні повинні розташовуватися інакше, ніж у внутрішніх ділянках кристала. Ці частинки і утворюють поверхневий шар.
Щоб перемістити внутрішню частинку тіла на поверхню твердого тіла потрібно вчинити певну роботу, яка переходить в потенційну енергію поверхневої частинки. З цього виходить, що всі частинки в поверхневому шарі володіють великим запасом потенційної енергії, ніж внутрішні частинки. І на поверхні твердого тіла сконцентровується надлишок енергії. Дамо наступні визначення поверхневої енергії.
1.Надлишок енергії поверхневого шару, віднесений до одиниці площі, називається питомою поверхневою енергією і позначається .
2.Робота, яку необхідно затрачувати на утворення нової поверхні, називається поверхневою енергією.
Розмірність
поверхневої енергії —
