- •Загальна характеристика поверхні. Фізична і хімічна неоднорідність
- •1.2. Склад і будова поверхні
- •1.5. Поверхнева енергія. Поверхневий натяг
- •1.6. Повна, внутрішня і поверхнева енергія кристалу.
- •3.1 Деякі загальні поняття і терміни
- •3.2 Характеристичні функції і термодинамічні потенціали
- •3.4. Оцінка можливості і спрямованості протікання процесів. Розрахунок стандартної зміни енергії Гіббса
- •Адсорбовані атоми на поверхні
- •4.2. Зв’язок між кількістю адсорбованого газу й тиском. Ізотерма Ленгмюра.
- •4.3. Рівняння Гіббса для адсорбції
- •4.7. Фізична адсорбція
- •4.8. Хімічна адсорбція (хемосорбція)
- •4.10. Перехід від фізичної адсорбції до хімічної
- •5.1 Основні закони капілярності
- •5.2. Змочування і розтікання
- •5.3. Рівняння Юнга. Рівноважний крайовий кут.
- •5.4. Адгезія і когезія. Робота адгезії
- •5.5. Поверхнева енергія на границі зерен металу
- •6.2. Механізм процесу кристалізації
- •6.3. Зародкоутворення
- •7.1. Загальні положення
- •6.2. Закони дифузії Фіка
- •7.3. Коефіцієнт дифузії й енергія активації дифузії
- •7.4. Деякі рішення законів Фіка
- •7.5. Дифузія по поверхні кристалічних тіл. Дифузія адсорбованих атомів
- •7.6. Поверхнева самодифузія
- •7.8. Механізми припікання твердих тіл, що контактують у точці
- •Механізм об'ємної самодифузії при спіканні
- •8.1. Елементи механіки деформованого твердого тіла
- •8.2. Випробування на розтяг. Діаграма розтягу
- •8.3. Теоретична міцність твердих тіл при відриві та зсуві
- •8.4. Дефекти твердих тіл. Технічна міцність металів і сплавів
- •8.5. Загальні відомості про теорії дислокацій
- •8.6. Вплив зовнішньої поверхні на процес пластичної деформації
- •8.7. Аномалії пластично течії поверхневих шарів. Особливості переміщення дефектів поблизу вільної поверхні тіла
- •8.8. Динаміка дислокацій у приповерхневому шарі при наявності плівок і покриттів
- •9.1. Групи середовищ
- •9.2. Деякі загальні подання про взаємодію металів з газами
- •9.3. Окислення
- •9.4. Характеристика середовищ за механізмом їхнього впливу на фізико-механічні властивості металів Концепції фізико-хімічної механіки матеріалу (фхмм).
- •9.5. Зниження поверхневої енергії і зміна механічних властивостей твердих тіл під впливом оточуючого середовища (адсорбційний ефект Ребіндера)
- •10.1. Класифікація методів нанесення плівок і покриттів
- •10.2. Осадження в рідкій фазі
- •10.3. Осадження у твердій фазі
- •10.4. Осадження з парової фази
- •10.5. Вплив плівок і покриттів на властивості твердих тіл
- •10.6. Адгезійна взаємодія плівок Основні визначення та поняття адгезії плівок і покриттів
- •10.7. Адгезія й адгезійна міцність плівок. Особливості кількісної оцінки адгезійної міцності плівок
- •10.8. Теоретичні критерії адгезії покриттів до металів
- •11.1. Стадійність фізико-хімічних процесів при формуванні газотермічних покриттів
- •11.2. Утворення фізичного контакту при плазмовому напиленні (гтн). Перший етап взаємодії при напиленні
- •11.3. Термічний режим у зоні контакту при плазмовому напиленні
- •11.4. Роль поверхневої енергії, вакансій і дислокацій у підвищенні контактної температури в умовах плазмового напилення
- •11.5. Другий етап при плазмовому напиленні (гтн) – хімічна взаємодія
- •1. Механічний канал.
- •2. Термічний канал.
- •11.6. Об'ємна взаємодія і формування міжфазної зони при газотермічному напилюванні. (Третій етап)
6.2. Механізм процесу кристалізації
Одночасно з розтіканням на поверхні твердого тіла можуть проходити такі фiзико-хімічні процеси, як хімічні реакцii між фазами, дифузiйнi процеси, кристалізація і інші.
Всім добре відомо, що в залежності від температури будь-яка речовина (система) може бути в твердому, рідкому чи в газоподібному стані. Однак рушійні сили, тобто причина і механізм переходу системи з одного стану в інший, довгий час залишались невідомими.
Перехід металу з рідкого стану в твердий називається кристалізацією. Вона виникає в результаті переходу системи в термодинамічний більш стійкий стан, тобто в стан з меншою вільною енергією.
При температурі плавлення значення вільної енергії в рідкій і твердій фазі однакові, тобто температура плавлення відповідає рівноважній температурі кристалізації даного металу, при котрій можуть існувати обидві фази одночасно. Процес кристалізації може протікати тільки при декотрій різниці вільних енергій. Процес кристалізації починається при переохолодженні рідкої фази нижче температури плавлення.
Різниця між теоретичною і реальною температурою кристалізації, при якій протікає кристалізація, називається ступенем переохолодження системи:
Т = Тпл–Ткр (6.4)
На рис. 6.2 показані зміни ізобарного потенціалу G із зміною температури для рідкої Gр та твердої Gт фаз.
Рис. 6.2. Залежність ізобарного потенціалу металу в рідкому GP і твердому GT станах в залежності від температури.
На величину переохолодження здійснює вплив швидкість охолодження, як це можна побачити на рис. 6.3, де приведені термічні криві, які характеризують процес кристалізації чистого метала при охолодженні з різними швидкостями: V1 < V2 < V3. Верхні ділянки кривих охолодження показують зниження температури рідкого металу; при температурі горизонтальних ділянок проходить процес кристалізації. Виділення схованої теплоти кристалізації Qкр (зменшення ентальпії) компенсує розсіювання теплоти в простір Qр, і температура при кристалізації залишається постійною.
Рис. 6.3. Схеми кривих охолодження чистого метала в залежності від швидкості охолодження .
При кристалізації з точки зору температури процесу потрібно врахувати протікання двох явищ. Якщо Qкр <Qр, то система охолоджується і процес кристалізації проходить при зниженій температурі; це збільшує ступінь переохолодження Т і G, що сприяє інтенсифікації процесу кристалізації і збільшенню теплоти кристалізації Qкр.. При Qкр=Qр, кристалізація трапляється при сталій температурі. Так як зі зниженням температури теплота кристалізації Qкр зростає, тоді прискорення кристалізації при зниженні температури може призвести до того що Qкp>Qр, і тоді подальше протікання процесу призведе до підвищення температури, яка тим більше прямує до значення ТS, чим більша маса металу, що кристалізується.
На умови кристалізації впливають різні фактори. Насамперед відмітимо, що в процесі кристалізації повинно здійснюватись переміщення атомів, тобто повинні протікати дифузійні процеси.
