Министерство образования и науки Российской Федерации
Алтайский государственный технический университет
имени И.И. Ползунова
ОТЧЕТ
о лабораторной работе №7
по теме: « Тестирование ноутбука“Samsung R525”».
Выполнил ст. гр. БИ-22
Добыш С.К.
Проверил ассистент каф. ИСЭ
Смыкова Н.В.
Барнаул 2013
СОДЕОЖАНИЕ
1.Постановка задачи
2.Описание алгоритма
3.Центральный процессор 2
4.Оперативная память 4
5.Материнская память 7
6.Графические устройства 8
7.Жесткий диск 9
8.Оптические диски 10
9.Перефирийные устройства 12
10.Звуковые устройства 14
11.Сеть 15
12. Графический процессор 16
13. Тесты 17
14.Вывод 21
Центральный процессор
Ядра 2
Потоки 2
Название AMD K10
Конструктив Socket S1 (638)
Техпроцесс 45nm
Спецификация AMD Athlon(tm) II P340 Dual-Core Processor
Семейство F
Доп. семейство 10
Модель 6
Доп. модель 6
Степпинг 3
Ревизия DA-C3
Инструкции MMX (+), 3DNow! (+), SSE, SSE2, SSE3, SSE4A, AMD 64
Виртуализация Поддерживается, Отключено
Распараллеливание Not supported
Частота шины 199.7 Мгц
Скорость шины 1597.4 Мгц
Исходная частота ядра 2200 Мгц
Исходная частота шины 200 Мгц
Средняя температура 56 °C
+Кэширование
Кэш данных L1 2 x 64 Кбайт
Кэш инструкций L1 2 x 64 Кбайт
Унифицированный кэш L2 2 x 512 Кбайт
+Ядро 0
Частота ядра 798.7 Мгц
Множитель x 4.0
Частота шины 199.7Мгц
Скорость шины 1597.4 Мгц
Температура 55 °C
+Поток 1
APIC ID 0
+Ядро 1
Частота ядра 798.7 Мгц
Множитель x 4.0
Частота шины 199.5 Мгц
Скорость шины 1609.3 Мгц
Температура 57 °C
+Поток 1
APIC ID 1
Оперативная память
+Слоты памяти
Кол-во слотов памяти 2
Занято слотов памяти 2
Свободно слотов памяти 0
+ Память
Тип DDR3
Объем 3072 Мбайт
Каналы # Два
Частота DRAM 532.5 Мгц
CAS# Latency (CL) 7 тактов
RAS# to CAS# Delay (tRCD) 7 тактов
RAS# Precharge (tRP) 7 тактов
Cycle Time (tRAS) 20 тактов
Bank Cycle Time (tRC) 27 тактов
Command Rate (CR) 1T
+ Физическая память
Использование памяти 47 %
Общая виртуальная 2.75 Гб
Доступная физическая 1.42 Гб
Общая виртуальная 5.49 Гб
Доступная виртуальная 3.87 Гб
+SPD
Число модулей SPD 2
++Слот #1
Тип DDR3
Объем 1024 Мбайт
Изготовитель Samsung
Пропускная способность PC3-8500F (533 Мгц)
Номер партии M471B2873FHS-CF8
Серийный номер C1566027
Неделя/Год 15 / 11
Доп. SPD EPP
+ JEDEC #4
Частота 609.5 Мгц
CAS# Latency 8.0
RAS# To CAS# 8
RAS# Precharge 8
tRAS 23
tRC 31
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #3
Частота 533.3 Мгц
CAS# Latency 7.0
RAS# To CAS# 7
RAS# Precharge 7
tRAS 20
tRC 27
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #2
Частота 457.1 Мгц
CAS# Latency 6.0
RAS# To CAS# 6
RAS# Precharge 6
tRAS 18
tRC 24
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #1
Частота 381.0 Мгц
CAS# Latency 5.0
RAS# To CAS# 5
RAS# Precharge 5
tRAS 15
tRC 20
Напряжение 1.500 В
++ Слот #2
Тип DDR3
Объем 2048 Мбайт
Изготовитель Samsung
Пропускная способность PC3-8500F (533 Мгц)
Номер партии M471B5773CHS-CF8
Серийный номер 94422066
Неделя/Год 16 / 11
Доп. SPD EPP
+ JEDEC #4
Частота 609.5 Мгц
CAS# Latency 8.0
RAS# To CAS# 8
RAS# Precharge 8
tRAS 23
tRC 31
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #3
Частота 533.3 Мгц
CAS# Latency 7.0
RAS# To CAS# 7
RAS# Precharge 7
tRAS 20
tRC 27
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #2
Частота 457.1 Мгц
CAS# Latency 6.0
RAS# To CAS# 6
RAS# Precharge 6
tRAS 18
tRC 24
Напряжение 1.500 В
+ JEDEC #1
Частота 381.0 Мгц
CAS# Latency 5.0
RAS# To CAS# 5
RAS# Precharge 5
tRAS 15
tRC 20
Напряжение 1.500 В