Заключение

В данной курсовой работе был рассмотрен принцип действия усилителя на полевом и биполярном транзисторах. Дано обоснование разработки структурной и принципиальной схемам и проектированию его с помощью плёночной технологии. Проведён расчёт всех элементов схемы, выбраны подходящие типы транзисторов, которые соответствуют заданному коэффициенту усиления по напряжению. Рассчитана и построена амплитудно–частотная характеристика усилителя и произведена проверка на допустимые частотные искажения в области нижних и верхних частот.

Выбраны материалы изготовления резисторов и конденсаторов, произведён расчёт размеров элементом. Разработан топологический чертёж двухкаскадного усилителя в виде гибридной микросхемы.

Даны общие сведения о технологических процессах изготовления полупроводниковых и гибридных микросхем.

Применение ИМС в электронике – это перспективное направление. ИМС дают большие преимущества в надёжности, габаритах, массе, стоимости, мощности по сравнению со схемами, выполненными на дискретных элементах.

Список литературы

1. А. Н. Игнатов, Н. Е. Фадеева. Разработка интегрального аналогового устройства. Методические указания к курсовой работе.- Новосибирск, СибГУТИ, 2006.- 36 стр.

2. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей - М.:Связь,1976

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники - М.: Радио и связь, 1980.

4. Пельман Б.Л. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник. – М.: Радио и связь, 1981.

26