3.2 Расчет режима работы генератора в телефонной точке

1. Амплитуда анодного напряжения в телефонной точке.

,

где m =1 – глубина модуляции

2.Амплитуда импульса анодного тока первой гармоники в телефонной точке.

3. Постоянная составляющая анодного тока в телефонной точке.

4.Мощность, подводимая к анодной цепи генератора в телефонной точке.

5.Полезная мощность в телефонной точке.

6.Мощность рассеивания на аноде лампы в телефонной точке.

,

где Ра доп – (смотри приложение А)

n – число ламп включенных параллельно).

4,48

7.Амплитуда сеточного напряжения в телефонной точке.

8.Мощность рассеивания на экранирующей сетке в телефонной точке.

154,8

9.Коэффициент полезного действия в телефонной точке.

3. Порядок расчета колебательной системы передатчика

1. Найдем затухание в контуре:

КВ=300, ДСВ=100, Qxx=100

2. Волновое сопротивление W=150 Ом

3. Коэффициент бегущей волны К = 0,8 соответственно P_{~ зад}=500кВт

4. Эквивалентное сопротивление анодной нагрузки Ra=2,626 кОм

5. Р_1тА=1,8кВт

6. =0,2 Мгц

7. = 0,4 Мгц

8. Выбираем число контуров колебательной системы М и схему

М=2

Рисунок 2 – Принципиальная схема колебательной системы

9. Номер в журнале по списку N=3

10. С_А = 0,1 нФ

3. Расчет предвыходного каскада

4.1 Расчет коллекторной цепи

1. Критический коэффициент использования коллекторного напряжения.

2. Амплитуда напряжения на коллекторе:

3. Пиковое напряжение на коллекторе:

екmax = Екmax + 1,2Uкmax < ек доп

В

56,89<50 В

4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока:

5. Амплитуда постоянной составляющей тока:

6. Импульс коллекторного тока:

7. Сопротивление в коллекторной нагрузке:

8. Мощность , подводимая к коллекторной цепи генератора:

9. Мощность, рассеиваемая в транзисторе генератора:

10. КПД генератора коллекторной цепи :

4.2 Расчет базовой цепи

1. Первая гармоника тока базы:

,

где ;

fmax = F₂=0,4 МГц

2. Балластный резистор в цепи лампы:

Возьмем наименьшее значение из двух

3. Постоянная составляющая тока базы:

4. Постоянная составляющая тока эмиттера:

5. Фиксированное напряжение смещения на базе для должно быть равно Еб0 = 0,7В

6. Активная составляющая входного сопротивления транзистора:

,

Где

7. Входная мощность:

18.Коэффициент усиления по мощности:

К рс =20