15) Чим обумовлена похибка опору інтегрального резистора? Поясніть кожну складову цієї похибки.

Похибка інтегрального резистора обраховується за формулою: , де – відносна похибка резистора, – відносна похибка коефіцієнта форми резистора, – відносна похибка питомого поверхневого опору легованого шару, – температурний коефіцієнт опору, – діапазон температур для яких розраховується резистор.

16) Наведіть та прокоментуйте формули для: а) коефіцієнту форми інтегрального резистора, б) максимально можливої розсіюваної потужності такого резистора, в) опору інтегрального резистора, якщо відомий питомий об’ємний опір, г) опору інтегрального резистора, якщо відомий питомий поверхневий опір;

Коефіцієнт форми розраховується за формулою: , де l - довжина резистора, b – ширина резистора, R – опір резистора, – питомий поверхневий опір шару в якому виконаний резистор. Максимально можливу потужність яку може розсіяти резистор розраховують за формулою: Р = l*b*P₀, Р – розсіювана резистором потужність, l - довжина резистора, b – ширина резистора, P₀ – максимально допустима питома потужність, яка обирається в залежності від корпуса та умов експлуатації мікросхеми. Опір інтегрального резистора, якщо відомий питомий об’ємний опір визначається: , де - питомий обємний опір резистора, l – довжина резистора, b – ширина резистора, h - глибина дифузії області в якій виконано резистор. Опір інтегрального резистора, якщо відомий питомий поверхневий опір розраховується за формулою: , де – питомий поверхневий опір шару в якому виконаний резистор, l – довжина резистора, b – ширина резистора.

17) Нехай опір квадратного інтегрального резистора на основі базової області зі стороною 10 мкм дорівнює 250 Ом. Знайдіть опір квадратного інтегрального резистора на основі базової області зі стороною 125 мкм. Опорами контактних областей можна знехтувати.

Виходячи з формули R = , при уомові, що =1 (так як і в першому, і в другому випадках резистор квадратний ), то Ом.

18) Виконайте порівняльний аналіз інтегральних дифузійних та мдн конденсаторів;

Принцип роботи дифузійного конденсатора грунтується на обоернено зміщеному р-n переході. Для виготовлення ДК використовують такі переходи: колектор-підложка, база-колектор, емітер-база, перехід р-області та ізолюючої дифузії. Роглянемо параметри ДК на кожному з переходів. Перехід база-колектор: питома ємність основи – 150пФ/мм, питома ємність бокових стінок 350 пФ/мм, Максимальна ємність конденсатора – 300 пФ, пробивна напруга – 30-70 В. Перехід емітер-база: питома ємність основи – 600 пФ/мм, питома ємність бокових стінок 1000 пФ/мм, Максимальна ємність конденсатора – 1200 пФ, пробивна напруга – 7-8 В. Перехід колектор-підложка : питома ємність основи – 100пФ/мм, питома ємність бокових стінок 250 пФ/мм, максимальна ємність конденсатора – 200 пФ, пробивна напруга – 35-70 В. Як видно з цих данних ємності не високі та і перехід з найбільшою ємністю має низьку пробивну напругу

В МДН конденсаторах між контактами нарощуюють діелектрик. Цим діелектриком найчастіше є оксид кремнію або нітрид кремнію. Товщина діелектрика 0,05-0,12 мкм. Нижньою обкладкою слугує емітерний n⁺ шар, верхня – алюміній. В МДП конденсаторах ємність сягає 1200 пФ за пробивної напруги 50 В, що робить їх більш кращими для використання. Проте їх недоліком в складі біполярних схем є введення додаткової літографії для отримання шару діелектрика.