44) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
Dn = Т.n ; n = 1 – (1,7 /Dn) × ( LдЭ . LaБ/p) ; n = 1 – (wБа.LaБ)/( Dn.n) ;
= n.n ; = /(1–);
Як залежать p, n від легування кремнію домішками золота?
Dn = Т.n – співвідношення Ейнштейна., Т - ? , n - рухливість електронів.
n = 1 – (1,7 /Dn) × ( LдЭ . LaБ/p), Де n – коефіцієнт інжекції електронів із емітера в базу.
Dn - коефіцієнт дифузії електронів в базі. LдЭ - характеристична довжина донорів поблизу емітерного переходу, LаБ - характеристична довжина в розподілі домішок акцепторів.p - час життя дирок. При легуванні домішками золота зменшується час життя неосновних носіїв заряду, а значить і підвищується швидкодія транзистора.
45) Частотні властивості транзистора. Пояснити які параметри транзистора залежать від частоти і який характер цієї залежності;
Коефіцієнти передачі струму транзистора, включено в схему з загальною базою (), і з загальним емітером (), на достатньо високих частотах починають монотонно зменшуватися по мірі збільшення частоти.
46) Частота відсічки та гранична частота транзистора. Запишіть та поясніть формулу залежності частоти відсічки транзистора від ємності колекторного переходу, опору активної області бази та опору колектора. Чому колекторний перехід сильніше впливає на частоту відсічки, ніж емітерний?
Частота
на якій модуль коефіцієнта передачі
уменшится у
раз називаєтся граничною
частотою.
Частота fотс називаєтся максимальною частотою підсилення по струму, або частотою відсічки.( Частота fотс называется предельной частотой усиления по току или частотой отсечки)нз як перкласти.
fотс = [2( rК + rБа)CКдон ]–1,
Де rК – опір колекторного шару, rБа – опір активної бази(наближено - та частина бази, яка розташована під донною частиною емітерного переходу), І CКдон – ємність донної частини колекторного переходу, складає наближено 0,8 Ск , Ск-ємність колекторного переходу.
37) Поясніть, як визначити глибину залягання переходу база-колектор, якщо відомий розподіл акцепторних домішок у базовому шарі в залежності від глибини NАБ(x) = NsАБ . e–x/LАБ і відома концентрація донорних домішок в колекторному шарі – NДК ?