40) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
К = Т ln (NдК/ni)2 ; Э = Т ln [(NаБ(хjЭ)/ni)2];
Контактная разность потенциалов на коллекторном переходе
К = Т ln (NдК/ni)2 = 0,026 ln (3,55.1016/(2.1010))2
Иногда в аналогичных расчетах (см. литературу) концентрацию собственных носителей в кремнии ni берут равной 1010 см–3, что выполняется очень редко. Обычно кремний не удается очистить от примесей полностью, и ni не бывает меньше 2.1010, что и было здесь учтено. Недостаток приведенной выше формулы состоит в предположении, что вблизи коллекторного перехода концентрация примесей в базе равна концентрации их в коллекторном слое (квадрат в числителе под знаком логарифма). Более точное значение получается при использовании другой формулы:
К = Т ln (Nа(х'К).Nд(x''К) /ni2),
где х'К — граница ОПЗ коллекторного перехода со стороны базы, а x''К — граница ОПЗ коллекторного перехода со стороны коллектора. Здесь NаК > NдК, но поскольку мы не знаем точной ширины ОПЗ на стороне базы, мы принимаем значение в точке перехода, хотя на самом деле NаК будет немного больше (на несколько процентов).
Контактная разность потенциалов на эмиттерном переходе (расчет после п. 11):
Э = Т ln (NаБ(хjЭ) . NдЭ(хjЭ)/ni2),
где х'Э — граница ОПЗ эмиттерного перехода со стороны эмиттера, а x''Э — граница ОПЗ эмиттерного перехода со стороны базы. Как и в предыдущем случае, мы вносим погрешности по сравнению с (NаБ(х''Э).NдЭ(x'Э), но эти погрешности разнополярны для обоих слоев и несколько компенсируют друг друга. Численное значение к.р.п. эмиттерного перехода
Э = Т ln [(NаБ(хjЭ)/ni)2]
41) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
;
U0
=
U0 =
q – елементарний заряд. Nдк – концентрація донорів в епітаксіальному(колекторному) шарі. La- концентрація акцепторів в еміторном переході.
U0-допоміжний потенціал, умовна величина яка входить в ряд формул у якості коефіцієнта.
Тут
– ширина ОПЗ, яка розходится у сторону
бази. ,
LаБ
- характеристична довжина в розподілі
домішок акцепторів, U0-допоміжний
потенціал, умовна величина яка входить
в ряд формул у якості коефіцієнта, k-
контактна різниця потенціалів на
колекторному переході.
UКБ
–
Напруга на колекторному переході.
42) Поясніть які характеристики інтегрального біполярного транзистора залежать від товщини бази та характер цієї залежності;
Встановлено що fотс істотно залежить від товщини бази. Чим менша товщина тим швидше проходять дирки в базу, і в результаті збільшуєтся гранична частота, та збільшуєтся швидкодія транзстора.
43) Змістовно поясніть відмінності між дрейфовими та бездрейфовими транзисторами (відмінності у конструкції та у процесах, що протікають в базі);
У залежності від механізму проходження носіїв заряду в області бази відрізняють бездрейфові і дрейфові транзистори. У бездрейфових транзисторах перенос неосновних носіїв заряду через базову область здійснюється в основному за рахунок дифузії. У дрейфових транзисторах в області бази шляхом відповідного розподілу домішок створюється внутрішнє електричне поле і перенос неосновних носіїв заряду через базу здійснюється в основному за рахунок дрейфу.