
- •1) Поясніть залежність процесу дифузії від температури;
- •2) Поясніть як залежить глибина проникнення домішок у напівпровідник під час дифузії від тривалості та температури проведення дифузії;
- •3) Запишіть та поясніть закони Фіка;
- •5) Дайте визначення коефіцієнту дифузії, прокоментуйте його залежність від температури та матеріалу;
- •6) Поясніть вплив дифузії на точність виготовлення компонентів мікросхем. Що таке гранична розчинність домішок в кремнії?
- •7) Поясніть формулу, що описує розподіл концентрацій домішок в напівпровіднику після двостадійної дифузії:
- •8) Опишіть дифузію з необмеженого джерела (етап загонки домішок). Допоміжні формули:
- •9) Опишіть дифузію з обмеженого джерела (етап розгонки домішок). Допоміжні формули:
- •10) Для етапів загонки і розгонки намалюйте графіки залежності концентрації домішок в напівпровіднику від глибини та від часу дифузії. Поясніть чому графіки так виглядають;
- •11) Намалюйте інтегральний резистор на основі базової області в розрізі і в плані. Опишіть кожен компонент такого резистора.
- •12) Намалюйте інтегральний резистор на основі емітерної області в розрізі і в плані. Опишіть кожен компонент такого резистора.
- •13) Виконайте порівняльний аналіз інтегральних резисторів на основі емітерної та базової областей. Як визначити питомий поверхневий опір, якщо відомий питомий об’ємний опір?
- •14) Опишіть методику розрахунку інтегрального резистора;
- •15) Чим обумовлена похибка опору інтегрального резистора? Поясніть кожну складову цієї похибки.
- •18) Виконайте порівняльний аналіз інтегральних дифузійних та мдн конденсаторів;
- •19) Поясніть як залежить ємність інтегрального дифузійного конденсатора від концентрацій домішок в шарах-обкладках та від напруги, прикладеної до такого конденсатора;
- •20) Напишіть та поясніть формулу розрахунку ємності інтегрального дифузійного конденсатора;
- •21) Напишіть та поясніть формулу розрахунку ємності інтегрального мдн конденсатора;
- •22) Поясніть від чого залежить пробивна напруга інтегрального дифузійного та мдн конденсаторів. Поясніть чому на інтегральні дифузійні конденсатори потрібно подавати зворотне зміщення;
- •23 ) Чому по мірі просування від емітерної області до колекторної, питома ємність дифузійних конденсаторів зменшується, а пробивна напруга збільшується?
- •28) Намалюйте інтегральний багатоемітерний n-p-n транзистор в розрізі і в плані. Поясніть елементи його структури.
- •29) Поясніть ефект витіснення току емітера та особливості конструкції потужних транзисторів;
- •30) Намалюйте інтегральний p-n-p транзистор в розрізі і в плані. Поясніть елементи його структури.
- •31) Поясніть принцип функціонування та призначення транзистора Шотткі. Намалюйте такий транзистор в розрізі.
- •32) Поясніть принцип функціонування діода Шотткі.
- •33) Поясніть принцип функціонування біполярного транзистора;
- •Коэффициенты усиления биполярного транзистора
- •35) Від яких факторів залежить пробивна напруга переходу колектор-емітер в дифузійному інтегральному транзисторі, виготовленому за планарною технологією?
- •36) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
- •38) Поясніть наведені нижче залежності:
- •39) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
- •40) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
- •41) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
- •42) Поясніть які характеристики інтегрального біполярного транзистора залежать від товщини бази та характер цієї залежності;
- •43) Змістовно поясніть відмінності між дрейфовими та бездрейфовими транзисторами (відмінності у конструкції та у процесах, що протікають в базі);
- •44) Поясніть формули та величини, які входять в ці формули:
- •45) Частотні властивості транзистора. Пояснити які параметри транзистора залежать від частоти і який характер цієї залежності;
1) Поясніть залежність процесу дифузії від температури;
Дифузія
в напівпровідникових кристалах
представляє собою напрямлене переміщення
атомів домішок в сторону зменшення їх
концентрації. При заданій температурі
швидкість дифузії визначається
коефіцієнтом дифузії, який рівний числу
атомів домішок, які проходять через
поперечний розріз в 1 см2
за 1 с при градієнті концентрації 1см-4
. Температурна залежність коефіцієнта
дифузії виражається:
,
де D0
- коефіцієнт при температурі T→∞(береться
з таблиць), Еакт
- енергія активації, необхідна для
переходу атома домішки в сусідній вузол
решітки, k
- стала Больцмана, Т – абсолютна
температура. Концентрація домішок не
може бути скільки завгодно велика.
Максимальний порядок домішок становить
1020.
При дифузії в кристалах розрізняють
переміщення домішкових атомів і атомів
даного твердого тіла (самодифузія).
Швидкість дифузії залежить від градієнта
концентрації атомів. Чим більший градієнт
концентрації, тим інтенсивніше переміщення
атомів. Теоретично в реальних кристалах
передбачається три механізми дифузії:
взаємний обмін місцями (обмінний), як в
ідеальному кристалі; поміж вузлами; по
вакансіях. Математичний опис дифузійних
процесів стосовно ідеальних газів і
розчинів був вперше зроблений в 1855 р.
А. Фіком у вигляді двох законів, заснованих
на рівняннях теплопровідності.
2) Поясніть як залежить глибина проникнення домішок у напівпровідник під час дифузії від тривалості та температури проведення дифузії;
X
= 2*
-
поверхнева концентрація домішок,
N – концентрація домішок в даному напівпровіднику
D
–
коефіцієнт
дифузії,
/с
Час проведення дифузії пропорційний квадрату бажаної глибини дифузії. При зміні температури на 1 градус коефіцієнт дифузії змінюється на 2,5%.
3) Запишіть та поясніть закони Фіка;
Математичний опис дифузійних процесів стосовно ідеальних газів і розчинів був вперше зроблений в 1855 р. А. Фіком у вигляді двох законів, заснованих на рівняннях теплопровідності.
Перший закон Фіка характеризує швидкість дифузії атомів однієї речовини в іншу при постійному в часі потоці цих атомів і незмінному градієнті їх концентрації:
j(x) =
-D*
,
де j(x)– густина потоку або число атомів речовини, переносних в одиницю часу через одиничну площу; – градієнт концентрації дифундуючої домішки у напрямі дифузії.
Рівняння показує, що локальна швикість переноса розстворюваної речовини через переріз одиничної площі за одиницю часу пропорційна градієнту концентрації роз створюваної речовини, а в якості коефіцієнта витупає коефіцієнт дифузії розстворюваної речовини. Знак мінус показує на те, що процес переноса речовини відбувається в напрямку зменшення концентрації роз створюваної речовини.
Другий закон Фіка визначає швидкість накопичення розчиненої домішки в будь-якій площині, перпендикулярній напряму дифузії.
Цей закон випливає із законів збереження речовини, що зміна концентрації роз створюваної речовини з часом повинно бути рівним зменшенню дифузійного потоку в тому ж об’ємі, де виникли зміни концентрації.
4) Поясніть чим відрізняються етапи дифузії із обмеженого та необмеженого джерела домішок (загонка та розгонка). Яка черговість виконання цих етапів? Як розподіляються домішки в кремнії після кожного етапу?
В
планарній технології дифузію проводять
в дві стадії, що особливо важливо, якщо
треба отримати добре контрольовану
низьку поверхневу концентрацію –
загонку.
Поверхнева
концентрація при цьому визначається
як або граничною розстворимістю, або
вмісту домішок в джерелі дифузанта.
Другий етап називається розгонка,
він він проходить при більшій температурі
(
).
Дифузійний шар, який сформувався при
загонці виступає джерелом з обмеженою
кількістю домішок.
Загонка(дифузія з необмеженого джерела) – вміщення необхідної кількості домішок.
Розгонка(дифузія з обмеженого джерела) –розгонка домішок, які були вміщені при загонці на потрібну глибину і з заданою концентрацією.
При загонці, розподілення має вигляд:
N(x,
t)
=
*erfc(
),
де erfc(
)
= exp
(-
)(при
апроксимації erfc
функції)
При розгонці, розміщення має вигляд:
N(x,
t) =
*exp(
-
)
Графіки розподілення концентрацій домішок в залежності від часу ((а) для загонки, (б)для розгонки):