Приложение 4

Рис.1.Зависимости проекции пробега для Si от энергии ионов.

Rр,мкм

B(SiO₂)

B(Si)

1.0

P(Si)

P(SiO₂)

As(Si)

0.1

As(SiO₂)

0.01

10 100 1000 кэВ

Таблица 1.Параметры внедрения ионов различных веществ в кремний

Е,кэВ	Е		Р		As		Sb
	Rp,нм	Rp,нм	Rp,нм	Rp,нм	Rp,мн	Rp,нм	Rp,нм	Rp,нм
10	38	19	15	8	11	4	10	3
30	106	39	42	19	23	9	20	6
100	307	69	135	53	67	26	60	15
300	662	105	406	115	194	66	130	39

Рис.2.Распределение фосфора (а) и бора (б) при ионном внедрении.

а) б)

N(x)/N _max N(x)/N _max

100 кэВ

40

20

50 кэВ

20

10

1 1

10^-2 1 10^-2 10^-2

10^-4 10^-4

10^-6 10^-6

10^-8 10^-8

0.1 0.2 0.3 0.4 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

х, мкм х, мкм