3. Затрудняет возникновение пробоя
4. При повышении температуры пробой не возникает
5. Затрудняет возникновение пробоя 2 раза
28. Где располагается энергетические зоны атомов фосфора, введенных в качестве примеси в кремний?
1. Немного ниже зоны проводимости
2. Немного выше валентной зоны
3. Немного ниже валентной зоны
4. Немного выше зоны проводимости
5. Немного ниже запрещенной зоны
29. Где располагается энергетические зоны атомов индия, введенных в качестве примеси в кремний?
1. Немного выше валентњой зоны;
2. Немного ниже зоны проводимости;
3. Немного ниже валентной зоны;
4. Немного выше зоны проводимости;
5. Немного ниже запрещенной зоны;
30. У какого вещества зона проводимости отделена от валентной зоны широкой запрещенной зоной ?
1. У диэлектрика;
2. У полупроводника .
3. У проводника;
4. У газа.
5. у воды
31. Какими процессами определяется наличие барьерной емкости р-п перехода?
1. изменением объемного суммарного заряда в р - п переходе при изменении напряжения;
2. инерционными процессами, связанными с изменением концентрации подвижных носителей в прилегающих к переходу слоях полупроводника при изменении напряжения;
3. изменением тока основных носителей через р-п переход;
4. изменением количества атомов германия;
5. изменением количества атомов кремния.
32. Какова теоретическая зависимость тока через р-п переход от величины приложенного внешнего напряжения?
1.
2.
3.
4.
5. Ток от напряжения не зависит
33. Какой пробой опасен для р-п перехода?
1. Тепловой.
2. Электрический.
3. Тот и другой.
4. Правильного ответа нет.
5. Пробой не опасен.
34. Какие полупроводниковые диоды, плоскостные или точечные, могут работать на более высоких частотах?.
1. Точечные
2. Плоскостные
3. Рабочая частота от типа перехода не зависит
4. При применении сигналов высокой частоты в основном применяются плоскостные диоды
5. Правильного ответа нет
35. Какие полупроводниковые диоды, плоскостные или точечные имеют большую барьерную емкость?
1. Плоскостные
2. Точечные
3. Емкость не зависит от типа р-п перехода
4. У плоскостных диодов емкость в два раза меньше, чем у точечных
5. Правильного ответа нет
36. Какие причины приводят к резкому возрастанию обратного тока при большом обратном напряжении на р-п переходе?
1. Электрический и тепловой пробой.
2. Уменьшение величины потенциального барьера.
3. Изменение толщины р-п перехода.
4. Увеличение величины потенциального барьера.
5. Изменение ширины р-п перехода.
37. Для каких целей применяются опорные диоды?
1. Для стабилизации напряжения
2. Для генерирования незатухающих колебании
3. Для выпрямления переменного тока
4. Для преобразования частоты
5. Для усиления тока
38. Какие полупроводниковые диоды работают в режиме пробоя ?
1. Опорные
2. Детекторные
3. Выпрямительные
4. Туннельный
5. Диод Ганна
39. При какой полярности внешнего напряжения работают опорные диоды ?
1. При обратном напряжении
2. При прямом напряжения
3. При любой полярности
4. Работа опорного диода не зависит от полярности
5. Правильного ответа нет
40. Как изменяется диффузионная емкость с ростом прямого тока через р-п переход ?