1. Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

1. увеличивается количество пар свободных њосителей заряда

2. увеличивается длина свободного пробега электронов

3. увеличивается ширина зоны проводимости

4. уменьшается длина свободного пробега электронов

5. уменьшается длина свободного пробега электронов

2. В каком направлении перемещаются электроны через р-п переход за счет электрического поля (каково направление дрейфа)?

1. дрейф из р - области в п-область

2. дрейф из п-области в р- область

3. дрейф одинаков в обоих направлениях

4. за счет дрейфа не происходит движение электронов

5. за счет дрейфа не происходит движение дырок

3. Какое включение р-п перехода называется прямым?

1. способствующее уходу подвижных носителей от р - п перехода

2. увеличивающее скачок потенциала на р-п переходе

3. плюс внешнего источника к п-области, минус к р-области

4. плюс внешнего источника к р-области, минус к п-области

5. при прямом включении не происходит изменения ширины р-п перехода

4. Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике р-типа ?

1. дырки

2. электроны

3. отрицательные ионы

4. положительные ионы

5. атомы кремния

5. Где располагается уровень Ферми у примесных полупроводников р-типа?

1. Вблизи валентной зоны

2. В валентной зоне

3. В зоне проводимости

4. В середине запрещенной зоны

5. Вблизи зоны проводимости

6. Где располагается уровень Ферми у беспримесных полупроводников?

1. В середине запрещењной зоны

2. В валентной зоне

3. В зоне проводимости

4. Вблизи валентной зоны

5. Вблизи зоны проводимости

7. Какие подвижные носители являются основными в полупроводнике п-типа ?

1. Электроны

2. Положительные ионы

3. Отрицательные ионы

4. Дырки

5. Атомы германия

8. Что такое дрейф носителей в полупроводнике ?

1. Движение њосителей за счет электрического поля

2. Хаотическое тепловое движение носителей

3. Движение за счет разности концентраций

4. Движение носителей за счет магнитного поля

5. Движение ионов примесей

9. Где больше концентрация подвижных носителей , в области р- перехода или в прилегающих к нему областях полупроводника ?

1. Больше в прилегающих к р - п переходу областях полупроводника

2. Больше в области р-п перехода

3. Примерно одинаково

4. Больше в области р-п перехода со стороны полупроводника n-типа

5. Больше в области р-п перехода со стороны полупроводника р-типа

10. Как изменяется ширина р-п перехода при прямом включении ?

1. Уменьшается

2. Увеличивается

3. Не изменится

4. Уменьшается в два раза

5. . Уменьшается в три раза

11. От чего зависит проводимость примесных полупроводников ?

1. От концентрации примесей

2. От полярности приложенного напряжения

3. От направления протекающего тока

4. От концентрации атомов полупроводника

5. От концентрации атомов примесей

12. У какого вещества зона проводимости отделена от валентной зоны узкой запрещенной зоной ?

1. У проводника

2. У полупроводника

3. У диэлектрика

4. У газа

5. у воды

13. В каком направлении перемещаются дырки через р-п переход за счет диффузии ?

1. Из р-области в п - область

2. Из п-области в р-область

3. Диффузия одинакова в обоих направлениях

4. За счет диффузии не происходить движение дырок

5. в обойх направлениях

14. Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводника п- типа

1. Пятивалентные

2. С валентностью большей ,чем у исходного материала

3. С валентностью меньшей , чем у исходного материала

4. Четырехвалентные

5. Трехвалентные

15. Примеси какой валентности обеспечивают получение полупроводника р- типа ?

1. Трехвалентные

2. С валентностью большей, чем у исходного материала

3. Четырехвалентные

4. Пятивалентные

5. С валентностью меньшей , чем у исходного материала

16. Чем определяется электрическая проводимость вещества?

1. Наличием носителей зарядов , способных перемещаться под воздействием электрического поля.

2. Количеством атомов вещества.

3. Порядковым номером вещества по таблице Менделеева.

4. Наличием свободных электронов, способных перемещаться под воздействием электрического поля.

5. Наличием валентных электронов.

17. Что такое подвижность носителей зарядов?

1. Это коэффициент пропорциональности между скоростью , упорядоченного движения носителя зарядов и напряженностью электрического поля

2. Это коэффициент пропорциональности между скоростью упорядоченного движения электронов и напряженностью электрического поля

3. Это коэффициент пропорциональности между скоростью упорядоченного движения "дырок" и напряженностью электрического поля

4. Это коэффициент пропорциональности между величиной тока и концентрацией электронов

5. Это коэффициент пропорциональности между величиной тока и концентрацией "дырок"

18. От чего зависит подвижность носителей зарядов?

1. Пропорциональна скорости движения (V) , обратно пропорциональна напряженности электрического поля (Е)

2. Пропорциональна Е, обратно пропорциональна V

3. Пропорциональна Е и V

4. Пропорциональна Е и концентрации электронов (Nэ)

5. Пропорциональна Е, обратно пропорциональна Nэ

19. Что такое дрейфовый ток?

1. Направленное перемещение неосновњых носителей заряда

2. Направленное перемещение основных носителей заряда

3. Направленное перемещение носителей электрического заряда под воздействием внешнего электрического поля

4. Направленное перемещение электронов под воздействием электрического поля

5. Направленное перемещение "дырок" под воздействием электрического поля.

20. Что такое диффузионный ток?

1. Направленное перемещение основњых носителей заряда

2. Направленное перемещение неосновных носителей заряда

3. Направленное перемещение носителей зарядов

4. Направленное перемещение электронов под воздействие электрического поля

5. Направленное перемещение дырок под воздействие электрического поля

21. Какие примеси называются донорными?

1. Примеси , повышающие концентрацию электронов

2. Примеси, повышающие концентрацию "дырок"

3. Примеси, повышающие концентрацию основных носителей заряда

4. Примеси, повышающие концентрацию неосновных носителей заряда

5. Примеси, повышающие подвижность электронов

22. Какие примеси называются акцепторными?

1. Примеси , повышающие концентрацию "дырок"

2. Примеси, повышающие концентрацию электронов

3. Примеси, повышающие концентрацию основных носителей заряда

4. Примеси, повышающие концентрацию неосновных носителей заряда

5. Примеси, повышающие подвижность электронов

23. Что такое запирающий слой?

1. Слой на границе р-n-перехода , обладающего высоким сопротивлением

2. Слой на границе р-n-перехода, обладающий высокой проводимостью

3. Слой на границе р-n-перехода, обладающий отрицательным сопротивлением

4. Слой, куда вводятся неосновные носители заряда

5. Слой, куда вводятся основные носители заряда

24. При обратном смещении р-n-перехода:

1. Напряженность внешнего и внутреннего электрических полей совпадают и потенциальный барьер р - n - перехода повышается

2. Напряженность внешнего и внутреннего электрических полей совпадают и потенциальный барьер р-n-перехода понижается

3. Напряженность внешнего и внутреннего электрических полей не совпадают по направлению, что приводит к повышению потенциального барьера

4. Напряженность внешнего и внутреннего электрического полей не совпадают по направлению, что сопровождается понижением потенциального барьера

5. Напряженность внешнего и внутреннего электрических полей совпадают и потенциальный барьер р-n-перехода не изменится

25. Какой полупроводник называется примесным?

1. Полупроводник, содержащий в небольшой концентрации примесь с валентностью , отличной о валентности основного вещества

2. Сплав кремния и германия

3. Смесь нескольких различных полупроводников

4. Механическая смесь частиц металла и диэлектрика

5. Механическая смесь частиц полупроводника и диэлектрика

26. Как влияет повышение температуры на возникновение пробоя у германиевых диодов?

1. Не влияет

2. Облегчает возникновение пробоя

3. Затрудняет возникновение пробоя

4. При повышении температуры пробой не возникает

5. Затрудняет возникновение пробоя 2 раза

27. Как влияет повышение температуры на возникновение пробоя у кремниевых диодов?

1. Облегчает возникновењие пробоя

2. Не влияет