Шаблон для создания тестов в формате qti V 2.0

Секция

Выборка (шт)

Родительская секция

1

2

[Введение. Перспективы, развитие микроэлектроники]

2

2

[Физическое свойство полупроводников. Основы электронной теории]

3

2

[температурная зависимость проводимости примесных полупроводноков]

4

2

[Электронно-дырочный п-р переход]

5

2

[Классификация полупроводниковых диодов]

6

2

[Биполярный транзистор]

7

2

[Полевые транзисторы]

8

2

[Тиризисторы и оптоэлектронные приборы]

9

2

[Усилительные устройства на транзисторах]

10

2

[Генераторы электрических колебаний]

11

2

[LC генераторы]

12

2

[Операционный усилитель]

13

2

[Вторичные источники питания]

14

2

[Интегральные схемы]

15

2

[Цифровые и линейные интегральные схемы]

№

Текст вопроса/варианты ответа

Дополнительные параметры

1

Что такое электронные приборы?

Секция:

1

+

Принцип работы, устройства, которая основан на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования

Вес вопроса:

1

Приборы, которые связаны только электрическим полем

Перемешивать ответы:

+

Приборы, которые связаны только магнитным полем

Устройства, которых на использовании явлений, возникающих в процессе получения потоков электронов, движение этих потоков, и их преобразования

Нет верных ответов

2

В зависимости от свойства среды приборы делятся:

Секция:

1

Электровакуумные, ионные

Вес вопроса:

1

+

Электровакуумные, газоразрядные, полупроводниковые

Перемешивать ответы:

+

Газоразрядные, туннельные, варикапы

Полупроводниковые, туннельные, газоразрядные

Нет верных ответов

3

На электрон находящийся в электрическом поле действует сила

Секция:

1

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

+

Нет верных ответов

4

Какие элементы относятся к полупроводникам?

Секция:

1

+

Германий, кремний, селен, арсенид галлий, антимонид

Вес вопроса:

1

Нет верных ответов

Перемешивать ответы:

+

Германий, индий, мышьяк, бор

Селен, аурум, бор, индий

Мышьяк, индий, селен, кремний

5

Процесс генерацией носителей заряда:

Секция:

1

+

Процесс образования пар электрон – дырка

Вес вопроса:

1

Процесс образования пар электрон – электрон

Перемешивать ответы:

+

Процесс образования свободных пар электрон – дырка

Процесс образования и исчезновения электронов

Нет верных ответов

6

Процесс рекомбинацией носителей заряда:

Секция:

1

Процесс образования пар электрон – дырка

Вес вопроса:

1

+

Процесс исчезновения свободных пар электронов

Перемешивать ответы:

+

Процесс явления электронов

Процесс исчезновения протонов

Нет верных ответов

7

Вакантное место в валентной зоне называют

Секция:

1

Электроном

Вес вопроса:

1

Протоном

Перемешивать ответы:

+

+

Дыркой

Электрическим зарядом

Нет верных ответов

8

При температуре абсолютного нуля и при отсутствии примеси в кристалле что происходит?

Секция:

1

+

Все валентные электроны участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни в валентной зоне

Вес вопроса:

1

Все валентные дырки участвуют в межатомных связях и полностью заполняют все энергетические уровни

Перемешивать ответы:

+

В зоне проводимости остаются электроны

В зоне проводимости остаются дырки

Нет верных ответов

9

Что такое донорные примеси?

Секция:

1

+

Примесь, способную отдавать электроны

Вес вопроса:

1

Примесь, способную отдавать свой заряд

Перемешивать ответы:

+

Примесь, которые не разработанные

Примесь, способную отдавать протоны

Нет верных ответов

10

Акцепторный примесь:

Секция:

1

+

Примесь, введение которой обусловливает образование дырок в валентной зоне

Вес вопроса:

1

Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в валентной эоне

Перемешивать ответы:

+

Примесь, введение которой обусловливает образование электронов в зоне проводимости

Примесь, введение которой обусловливает образование электронов

5)Нет верных ответов

11

Что такое электронно – дырочный переход?

Секция:

1

Контакт на границе двух соседних областей проводников

Вес вопроса:

1

+

Контакт на границе двух соседних областей полупроводников

Перемешивать ответы:

+

Контакт, который происходит в магнитном поле

Переход между двумя электронами

Нет верных ответов

12

Зависимость тока диффузии от прямого напряжения равна:

Секция:

1

+

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

Нет верных ответов

13

Зависимость тока диффузии от обратного напряжения равна:

Секция:

1

Нет верных ответов

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

+

14

Где устанавливается контактная разность потенциалов ?

Секция:

1

В p – области

Вес вопроса:

1

В n – области

Перемешивать ответы:

+

+

В силу наличия двойного электрического слоя в p – n переходе

В электрическом слое

Нет верных ответов

15

Где находится запрещенная зона широкой :

Секция:

1

Между атомами

Вес вопроса:

1

Между электронами

Перемешивать ответы:

+

+

Между валентной и незаполненной зоной проводимости

Между валентной зоной и дыркой

Нет верных ответов

16

Если к кристаллу приложить внешнее электрическое поле:

Секция:

1

То движение электронов станет направленным

Вес вопроса:

1

+

То движение электронов и дырок станет направленным

Перемешивать ответы:

+

То движение дырок станет направленным

То движение становится неуправляемым

Нет верных ответов

17

Электронно – дырочный переход?

Секция:

1

Нет верных ответов

Вес вопроса:

1

Контакт на границе трех соседних областей, одна обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p – типа

Перемешивать ответы:

+

Контакт на границе трех соседних областей n – p – n типа

Контакт на границе трех соседних областей n – p – n-r типа

+

Контакт на границе двух соседних областей полупроводников, одна из которых обладает электропроводностью n – типа, а другая электропроводностью p- типа

18

В p – n переходе ток диффузий:

Секция:

2

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

+

Нет верных ответов

19

Выпрямительные диоды большой мощности называют:

Секция:

2

полупроводниковые стабилитроны

Вес вопроса:

1

+

силовыми вентилями

Перемешивать ответы:

+

максимальные мощности

силовыми вентиляторами

Нет верных ответов

20

Для повышения допустимого обратного напряжения выпускают:

Секция:

2

Нет верных ответов

Вес вопроса:

1

Высоковольтные стабилитроны, в которых несколько диодов включены последовательно

Перемешивать ответы:

+

Высоковольтные варикапы, в которых несколько диодов включены последовательно

Высоковольтные тиристоры, в которых несколько диодов включены последовательно

+

Высоковольтные столбы, в которых несколько диодов включены последовательно

21

Высокочастотные диоды работают:

Секция:

2

Они могут работать как стабилитроны

Вес вопроса:

1

Как выпрямитель переменного тока низкого диапазона частот

Перемешивать ответы:

+

Как выпрямитель тока среднего (до несколько килогерц и до 1 мегагерц)

+

Как выпрямитель переменного тока широкого диапазона частот (до несколько сотен мегагерц и до десятков гигагерц)

Нет верных ответов

22

Высокочастотные диоды где применяются?

Секция:

2

В детекторах

Вес вопроса:

1

+

В модуляторах, детекторах и других нелинейных преобразователях электрических сигналов

Перемешивать ответы:

+

Только в детекторах

Нет верных ответов

Только в линейных цепях

23

.Импульсные диоды являются:

Секция:

2

Разновидностью высокочастотных диодов

Вес вопроса:

1

+

Разновидностью высокочастотных диодов предназначены для использования в качестве ключевых элементов быстродействующих импульсных схемах

Перемешивать ответы:

+

В качестве выпрямителя

силовыми вентилями

максимальные мощности

24

Импульсные диоды должны обладать:

Секция:

2

максимальным временем переходных процессов при включений и выключений.

Вес вопроса:

1

минимальным временем переходных процессов при включений и выключений.

Перемешивать ответы:

+

+

В использование в качестве ключевых элементов в быстродействующих импульсных схемах.

В использование как детектора.

Нет верных ответов

25

Стабилитроны предназначены:

Секция:

2

+

для стабилизаций уровня постоянного напряжения.

Вес вопроса:

1

для стабилизаций уровня постоянного сопротивления.

Перемешивать ответы:

+

для стабилизаций уровня постоянного объема.

для стабилизаций уровня постоянного импульса

Нет верных ответов

26

У стабилитрона напряжение на которых в области электрического пробоя:

Секция:

2

слабо зависит от тока

Вес вопроса:

1

+

сильно зависит от тока

Перемешивать ответы:

+

сильно зависит от объема

сильно зависит от сопротивления

Нет верных ответов

27

В случае превышения значения Uобр.пр происходит пробой p-n перехода.

Секция:

2

при этом обратный ток резко уменьшает при почти неизменном обратном напряжении

Вес вопроса:

1

при этом обратный ток резко уменьшается

Перемешивать ответы:

+

+

при этом обратный ток резко возрастает, при почти неизменном обратном напряжении

при этом обратные напряжение резко уменьшает при почти неизменном обратном токи.

Нет верных ответов

28

При Uобр. > Uобр.пр электрическое поле в p-n переходе становится столь сильным:

Секция:

2

что в состоянии сообщить носителям заряда энергию, достаточную для ударной ионизации нейтральных атомов

Вес вопроса:

1

+

что в состоянии сообщить носителям заряда энергию недостаточную для ударной ионизации нейтральных атомов

Перемешивать ответы:

+

энергия носителей заряда критической, поэтому нейтральные атомы исчезают

что энергия носителей заряда очень маленькое, поэтому нейтральные атомы

Нет верных ответов

29

У стабилитрона во время ударной ионизаций нейтральных атомов возникают:

Секция:

2

+

дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно ( лавинный пробой )

Вес вопроса:

1

дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает лавинообразно.

Перемешивать ответы:

+

дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает тунеллообразно

дополнительные парные заряды, увеличивающие ток через переход, который нарастает электрообразно ( электрический пробой )

Нет верных ответов

30

Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Jст.max :

Секция:

2

+

то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.

Вес вопроса:

1

то туннельный пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.

Перемешивать ответы:

+

то электрический пробой не приводит к выходу из строя диода и ток в цепи может протекать длительное время.

то лавинный пробой не приводит к выходу из строя диода

Нет верных ответов

31

В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов использует:

Секция:

2

мышьяк

Вес вопроса:

1

индий

Перемешивать ответы:

+

+

кремний

арсенида галлий

Нет верных ответов

32

Стабилизацию низковольтного напряжения равна:

Секция:

2

+

0,3 – 2,0 В

Вес вопроса:

1

0,3 – 3,5 В

Перемешивать ответы:

+

0,2 – 2,7 В

0,3 – 1,0 В

Нет верных ответов

33

Какие диоды называют стабисторами:

Секция:

2

+

которая у кремневых диодов с высокой концентрацией примеси в n – области, почти параллельна оси токов.

Вес вопроса:

1

у кремневых диодов с низкой концентрацией примеси

Перемешивать ответы:

+

у кремневых диодов, с высокой концентрацией примеси в p – области

с низкой концентрацией примеси в p – области .

Нет верных ответов

34

Основными параметрами стабилитронов являются:

Секция:

2

коэффициент стабилизаций.

Вес вопроса:

1

коэффициент стабилизаций, напряжение.

Перемешивать ответы:

+

+

напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном , при Jст.min , при Jст.мах , динамическое сопротивление, температурный коэффициент напряжения стабилизаций αст.

напряжение Uст. при указанном номинальном токе Jст.ном , при Jст.мах , при Jст.мах

Нет верных ответов

35

Динамическое сопротивление стабилитрона:

Секция:

3

Rg = υ Uст./ υ Jст.

Вес вопроса:

1

+

Rg = υ Uст * α / υ Jст.

Перемешивать ответы:

+

Rg = υ Jст. / υ Uст

Rg = υ Uст / υ Jст

Нет верных ответов

36

Температурный коэффициент напряжения стабилизаций :

Секция:

3

специально сконструированные проводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов.

Вес вопроса:

1

+

специально сконструированные полупроводниковые диоды, применяемые в качестве конденсаторов переменной емкости.

Перемешивать ответы:

+

сконструированные диоды применяемые в качестве колебательного контура

специально сконструированные полупроводниковые диоды.

Нет верных ответов

37

В варикапах используется:

Секция:

3

+

туннельная емкость

Вес вопроса:

1

электрическая емкость

Перемешивать ответы:

+

барьерная емкость

диффузионная емкость

Нет верных ответов

38

В варикапах толщина p – n перехода:

Секция:

3

d=

Вес вопроса:

1

d =

Перемешивать ответы:

+

D=

+

d=

Нет верных ответов

39

В варикапах барьерная емкость:

Секция:

3

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

+

Нет верных ответов

40

В варикапах барьерная емкость:

Секция:

3

+

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

Нет верных ответов

41

Туннельные диоды представляют собой полупроводниковые диоды:

Секция:

3

на основе низколегированного полупроводникового материала.

Вес вопроса:

1

изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики имеет положительной дифференциальной проводимости

Перемешивать ответы:

+

+

изготовляемые на основе высоколегированного полупроводникового материала, вольт – амперные характеристики которых имеют при прямом включении участки отрицательной дифференциальной проводимости.

которые вольт – амперные характеристики имеет отрицательной интегральной проводимости.

Нет верных ответов

42

Стандартные графические обозначения полупроводниковых диодов.

а) б) в) г) д) ж)

Секция:

3

а) стабилитрон вторичний

б)стабилитрон односторонний, в)обращенный диод, г)туннельный диод, д)выпрямительный диод, ж)варикап.

Вес вопроса:

1

а) стабилитрон односторонний, б) варикап в) туннельный диод, г)выпрямительный, д) варикап, ж) стабилитрон двухсторонний,

Перемешивать ответы:

+

+

а) варикап, б) стабилитрон двухсторонний, в) стабилитрон односторонний, г) обращенный диод, д) туннельный, ж) выпрямительный.

а) выпрямительный, б) туннельный, в) обращенный, г) стабилитрон односторонний, д) стабилитрон двухсторонний, ж) варикап.

Нет верных ответов

43

Биполярный транзистор является:

Секция:

3

Нет верных ответов

Вес вопроса:

1

+

усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с тремя чередующихся слоями разной электропроводности.

Перемешивать ответы:

+

усиление мощности электрических сигналов, представляет собой полупроводниковый прибор с четырьмя чередующимися слоями.

усиление мощности электрических сигналов, с двумя чередующимися слоями

усиление мощности электрических сигналов.

44

В зависимости от механизма электропроводности внешних слоев различают транзисторы делятся:

Секция:

3

+

p – n – n типа, n – n – p типа

Вес вопроса:

1

p – n – p, n – p – n типа

Перемешивать ответы:

+

n – p – n, n – n – p типа

p – p – n, p – n – r типа

Нет верных ответов

45

В транзисторе внешний слой монокристалла, предназначенный для инжектирования ( внедрения ) носителей заряда в базу называют:

Секция:

3

запрещенной зоной

Вес вопроса:

1

эмиттером

Перемешивать ответы:

+

экстракцией

+

коллектором

Нет верных ответов

46

База является:

Секция:

3

областью, управляющей током через коллектор

Вес вопроса:

1

областью, управляющей током через эмиттер.

Перемешивать ответы:

+

+

областью, управляющей током через транзистор, так как меняя напряжение между базой и эмиттером, можно управлять плотностью тока инжекции и экстракции

областью, управляющей током через p – n перехода.

Нет верных ответов

47

Что такое процесс инвертирование?

Секция:

3

преобразование переменного тока в постоянных требуемых напряжения и частоты

Вес вопроса:

1

обратное выпрямление

Перемешивать ответы:

+

+

преобразование постоянного тока в переменных требуемых напряжения и частоты

установка средней мощности

нет верных ответов

48

Внутренним фотоэффектом называют:

Секция:

3

уменьшение проводимости полупроводника

Вес вопроса:

1

+

увеличение проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения

Перемешивать ответы:

+

поток нейтронов

поток ионов

нет верных ответов

49

Что является общим электродом для входной и выходной цепей транзистора?

Секция:

3

п-р переход

Вес вопроса:

1

эмиттер

Перемешивать ответы:

+

коллектор

+

База

р-п переход

50

При изменении α от 0.95 до 0.99 коэффициент β изменяется в пределах:

Секция:

3

+

20-40

Вес вопроса:

1

20-100

Перемешивать ответы:

+

10-150

10-55

10-180

51

У транзистора сколько переходов?

Секция:

4

3

Вес вопроса:

1

+

2

Перемешивать ответы:

+

1

4

нет правильных ответов

52

.Как разрывается ковалентная связь?

Секция:

4

при повышении температуры

Вес вопроса:

1

при уменьшении температуры

Перемешивать ответы:

+

при лабиннообразном процессе

+

при температуре выше абсолютного нуля

нет правильных ответов

53

Какие приборы относятся к тиристорам?

Секция:

4

Усилительный п/п прибор с тремя р-п переходами

Вес вопроса:

1

Потенциальный прибор

Перемешивать ответы:

+

Униполярный транзистор

+

Электропреобразовательный п/п прибор с тремя или более р-п переходами

Нет верных ответов

54

Какие сопротивления имеет тиристор?

Секция:

 4

дифференциальное сопротивление

Вес вопроса:

1

положительные сопротивления

Перемешивать ответы:

+

обратное сопротивление

+

отрицательные сопротивления

Нет верных ответов

55

Какая возникает положительная связь, когда тиристоре U_а=U_вкл

Секция:

4

электра - процесс

Вес вопроса:

1

Процесс лавина

Перемешивать ответы:

+

+

Процесс туннеля

Процесс четырех полюсов

нет верных ответов

56

Вероятность S(W) нахождения свободного электрона в энергетическом состоянии W определяется:

Секция:

4

S(W)=E/e^-kT

Вес вопроса:

1

S(W)=E/( exp(W_F-W)/RT+1)

Перемешивать ответы:

+

+

S(W)=1/(exp(W_F-W)/RT+1)

S(W)=1/ (exp(W-W_F)/RT+1)

Нет верных ответов

57

Концентрация акцепторов равна:

Секция:

4

N_a= P _I +P_э

Вес вопроса:

1

N_a= P _I +P_p

Перемешивать ответы:

+

+

N_a= P _I +P_п

N_a= P _I - P_p

N_a= P _I *P_p

58

Плотность дырочного дрейфового тока равна:

Секция:

4

I_nдp = enμ_р

Вес вопроса:

1

I_nдp = enμ_pE

Перемешивать ответы:

+

I_nдp = enμ_n

+

I_nдp = enμ_nE

I_nдp = enμ_nN

59

Чему равна плотность электронного дрейфового тока:

Секция:

4

+

I_nдp= en _nE

Вес вопроса:

1

I_nдp= en

Перемешивать ответы:

+

I_nдp= eNE

I_nдp= μ_nE

I_nдp= μ_nEN

60

Какое явление называют пробоем диода?

Секция:

4

Отрицательное явление в ВАХ

Вес вопроса:

1

Обратное напряжение диода достигает минимальное значение

Перемешивать ответы:

+

Положительное напряжение диода

+

Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода резко возрастает

Нет правильных ответов

61

Градиент концентрации неравновесных носителей заряда в базе транзистора равна:

Секция:

4

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

Вес вопроса:

1

δP/δx=-(P _э –P_n)/w

Перемешивать ответы:

+

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

+

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

62

Концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода равна:

Секция:

4

Р_э=Рe

Вес вопроса:

1

Р_э=Рexp

Перемешивать ответы:

+

Р_э=РexpN

+

Р_э=Р_пexpxU_эб

Р_э=Рe-N

63

Концентрация дырок в базе у коллекторного перехода равна:

Секция:

4

+

Р_к=Р_пexpU_кб

Вес вопроса:

1

Р_к=Р_пexp

Перемешивать ответы:

+

Р_к=Р_пexp(- U_кб)

Нет верных ответов

Р_к=Р_ke^-ru

64

Состояние равновесия диффузионного и дрейфового тока в базе:

Секция:

4

Нет верных ответов

Вес вопроса:

1

+

eДdn/dx + eny_nE=0

Перемешивать ответы:

+

eДdn/dx - eny_nE=0

eДdn/dx - eny_n=0

eДdn/dx + eny_nN=0

65

Напряженность электрического тока в базе дрейфового транзистора:

Секция:

4

E=-kt/e

Вес вопроса:

1

+

E=-kt/e1/w

Перемешивать ответы:

+

E=kt/e*1/N

E=-kt/e*1/wln(N_э/N_k)

нет верных ответов

66

Транзисторы с переменной концентрацией примеси в базе называют:

Секция:

4

варикапными

Вес вопроса:

1

диффузионными

Перемешивать ответы:

+

туннельными

+

дрейфовыми

электродными

67

Что такое процесс инвертирование?

Секция:

4

преобразование переменного тока в постоянных требуемых напряжения и частоты

Вес вопроса:

1

обратное выпрямление

Перемешивать ответы:

+

+

преобразование постоянного тока в переменных требуемых напряжения и частоты

установка средней мощности

нет верных ответов

68

Внутренним фотоэффектом называют:

Секция:

4

+

увеличение проводимости полупроводника под действием электромагнитного излучения

Вес вопроса:

1

уменьшение проводимости полупроводника

Перемешивать ответы:

+

поток нейтронов

поток ионов

нет верных ответов

69

Что является общим электродом для входной и выходной цепей транзистора?

Секция:

5

+

база

Вес вопроса:

1

эмиттер

Перемешивать ответы:

+

коллектор

п-р переход

р-п переход

70

При изменении α от 0.95 до 0.99 коэффициент β изменяется в пределах:

Секция:

5

10-55

Вес вопроса:

1

20-100

Перемешивать ответы:

+

10-150

+

20-40

10-180

71

У транзистора сколько переходов?

Секция:

5

3

Вес вопроса:

1

+

2

Перемешивать ответы:

+

1

4

нет правильных ответов

72

Как разрывается ковалентная связь?

Секция:

5

при низкой температуры

Вес вопроса:

1

при уменьшении температуры

Перемешивать ответы:

+

при лабиннообразном процессе

+

при температуре выше абсолютного нуля

нет правильных ответов

73

Какие приборы относятся к тиристорам?

Секция:

5

Усилительный п/п прибор с тремя р-п переходами

Вес вопроса:

1

Потенциальный прибор

Перемешивать ответы:

+

Униполярный транзистор

+

Электропреобразовательный п/п прибор с тремя или более р-п переходами

Нет верных ответов

74

Какие сопротивления имеет тиристор?

Секция:

5

+

отрицательные сопротивления

Вес вопроса:

1

Нет верных ответов

Перемешивать ответы:

+

положительные сопротивления

обратное сопротивление

дифференциальное сопротивление

75

Какая возникает положительная связь, когда тиристоре U_а=U_плюс

Секция:

5

+

Процесс туннеля

Вес вопроса:

1

Процесс лавина

Перемешивать ответы:

+

электра - процесс

Процесс четырех полюсов

нет верных ответов

76

Вероятность S(W) нахождения свободного электрона в энергетическом состоянии W определяется статической функцией Ферми-Дирака :

Секция:

5

+

S(W)=1/(exp(W_F-W)/RT+1)

Вес вопроса:

1

S(W)=E/( exp(W_F-W)/RT+1)

Перемешивать ответы:

+

S(W)=E/e^-kT

S(W)=1/ (exp(W-W_F)/RT+1)

нет верных ответов

77

Концентрация акцепторов равна:

Секция:

5

N_a= P _I +P_п

Вес вопроса:

1

N_a= P _I +P_p

Перемешивать ответы:

+

+

N_a= P _I - P_p

N_a= P _I +P_э

N_a= P _I *P_p

78

Плотность дырочного дрейфового тока равна:

Секция:

5

I_nдp = enμ_р

Вес вопроса:

1

I_nдp = enμ_nE

Перемешивать ответы:

+

I_nдp = enμ_n

+

I_nдp = enμ_nE

I_nдp = enμ_nN

79

Чему равна плотность электронного дрейфового тока:

Секция:

5

+

I_nдp= eny_nE

Вес вопроса:

1

I_nдp= eny

Перемешивать ответы:

+

I_nдp= eNE

I_nдp= μ_nE

I_nдp= μ_nEN

80

Какое явление называют пробоем диода?

Секция:

5

Отрицательное явление в ВАХ

Вес вопроса:

1

Обратное напряжение диода достигает минимальное значение

Перемешивать ответы:

+

Положительное напряжение диода

+

Когда обратное напряжение диода достигает определенного критического значения, ток диода резко возрастает

Нет правильных ответов

81

Градиент концентрации неравновесных носителей заряда в базе транзистора равна:

Секция:

5

δP/δx=-(P _э –P_n)/w

Вес вопроса:

1

+

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

Перемешивать ответы:

+

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

δP/δx=-(P _k –P_n)/w

82

Концентрация дырок в базе у эмиттерного перехода равна:

Секция:

5

+

Р_э=Р_пexpxU_эб

Вес вопроса:

1

Р_э=Рexp

Перемешивать ответы:

+

Р_э=РexpN

Р_э=Рe

Р_э=Рe-N

83

Концентрация дырок в базе у коллекторного перехода равна:

Секция:

5

Р_к=Р_пexp

Вес вопроса:

1

+

Р_к=Р_пexpU_кб

Перемешивать ответы:

+

Р_к=Р_пexp(- U_кб)

Р_к=Р_ke^-ru

Р_к=Р_kR

84

Состояние равновесия диффузионного и дрейфового тока в базе:

Секция:

5

eДdn/dx - eny_nE=0

Вес вопроса:

1

+

eДdn/dx + eny_nE=0

Перемешивать ответы:

+

eДdn/dx - eny_n=0

eДdn/dx + eny_nN=0

eДdn/dxen=0

85

Напряженность электрического тока в базе дрейфового транзистора:

Секция:

6

E=-kt/e

Вес вопроса:

1

+

E=-kt/e1/w

Перемешивать ответы:

+

E=kt/e*1/N

E=-kt/e*1/wln(N_э/N_k)

нет верных ответов

86

Транзисторы с переменной концентрацией примеси в базе называют:

Секция:

6

+

дрейфовыми

Вес вопроса:

1

диффузионными

Перемешивать ответы:

+

туннельными

варикапными

электродными

87

Энергетические состояние валентных электронов образует зону уровней энергий:

Секция:

6

запрещенной

Вес вопроса:

1

+

валентной

Перемешивать ответы:

+

проводимости

потенциальной

нет правильных ответов

88

Энергетические состояние электронов проводимости образует зону уровней энергий:

Секция:

6

+

проводимости

Вес вопроса:

1

запрещенной

Перемешивать ответы:

+

валентной

потенциальной

нет правильных ответов

89

В интервале значений энергий от W, W+dW число энергетических уровней, на которых могут находиться электроны проводимости:

Секция:

6

Вес вопроса:

1

+

Перемешивать ответы:

+

90

Скорость генераций при малых концентрациях примеси:

Секция:

6

Вес вопроса:

1

+

Перемешивать ответы:

+

91

Скорость рекомбинаций носителей заряда в полупроводнике:

Секция:

6

Вес вопроса:

1

Перемешивать ответы:

+

+

92

При возникновении электрического поля электроны и дырки начинают перемещаться вдоль кристалла – возникает:

Секция:

6

суммарный ток

Вес вопроса:

1

диффузионный ток

Перемешивать ответы:

+

+

дрейфовый ток