Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1) титульный лист;

2) конспект с указанием цели работы и основными теоретическими сведениями (2-4 стр.);

3) графики полученных ВАХ с разметкой масштабов по осям, аккуратно вычерченные на кальке или миллиметровой бумаге;

4) результаты расчета по полученным ВАХ статистических параметров транзисторов , и ;

5) эскиз транзистора ПМС.

Контрольные вопросы

1. Каковы способы управления током в униполярных транзисторах?

2. Каковы отличия между МДП–транзисторами и полевыми транзисторами с управляющим переходом?

3. Каков принцип работы МДП–транзистора?

4. Какие разновидности МДП–транзисторов Вам известны?

5. Что такое "пороговое напряжение" МДП–транзистора и от чего оно зависит?

6. Нарисовать энергетическую диаграмму МДП–транзистора.

7. Какие режимы работы МДП–транзистора Вам известны? Нарисовать ВАХ и показать на ней области, соответствующие различным режимам.

8. Почему при превышении напряжением напряжения насыщения ток остается практически постоянным, а не увеличивается с ростом ?

9. Как определяется параметр "удельная крутизна" МДП –транзистора, что он характеризует и какие свойства транзистора определяет?

10. Напишите выражения для малосигнальных статических параметров МДП– и полевых транзисторов с управляющим переходом. Каким образом их можно подсчитать по ВАХ?

11. Каков принцип работы полевого транзистора с управляющим р-п переходом?

12. В чем состоят особенности полевых транзисторов, их отличия от МДП–транзисторов?

13. Каковы преимущества МДП–транзисторов по сравнению с полевыми транзисторами с управляющим р-п переходом?

14. Почему МДП– и полевые с управляющим р-п переходом транзисторы называются униполярными, а не биполярными?

Рекомендуемая литература

1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов.- М.: Лаборатория базовых знаний, 2001-2003 – 488 с.

2. Митрофанов О.В., Симонов Б.М, Коледов Л.А. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники.- М.: Высшая школа, 1987 -167 с.

3. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: Учебное пособие для вузов, 3-е изд.- Ростов н /Д: Феникс, 2002 – 572 с.

4. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Радио и связь, 1990, 264с.

5. Щука А.А. Электроника: Учебное пособие.-СПб.: БХВ-Петербург, 2005.-800с.

6. Штернов А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники.- М.: Радио и связь, 1981, 248 с.

7. Бурбаева Н.В., Днепровская Т.С. Сборник задач по полупроводниковой электронике.-М.: Физматгиз, 2004.-168с.

Лабораторная работа №9

Изучение конструкций и характеристик элементов полупроводниковых

микросхем

Цель работы: изучить конструкции полупроводниковых микросхем (ПМС), конструкции и характеристик пассивных и активных элементов ПМС.

Продолжительность работы - 4 ч.