Порядок выполнения работы

1. Определить, к какому конструктивно-технологическому типу относится ПМС:

- ПМС на биполярных транзисторах;

- ПМС на биполярных транзисторах, изготовленная по совмещенной технологии;

- МДП ИС.

2. Определить способ изоляции элементов ПМС:

• p-n переходом;

• диэлектриком;

• комбинированный;

• высокоомным полупроводником.

3. Определить, на каком кристалле выполнена ПМС:

• на базовом;

• не на базовом.

4. Указать наименования и количество тестовых элементов:

• транзисторов;

• резисторов и т.д.

5. Указать наименования и количество сложных транзисторов:

• многоэмиттерных (с указанием числа эмиттеров для каждой конструкторской разновидности);

• гребенчатых;

• с древовидным эмиттером;

• с П-образным эмиттером

• и т.д.

6. Определить степень интеграции К = lg N, где N – число элементов в микросхеме, для каждой из микросхем вашего варианта (следует учитывать все элементы в кристалле –включённые и не включённые в состав схемы, а также тестовые)..

7. Определить интегральные плотности микросхемы и кристалла, соответственно

8. w = N / S и w’ = N / S’ для каждой из микросхем вашего варианта; здесь S – площадь микросхемы в корпусе, S’- площадь кристалла.

Результаты выполнения пунктов 1 – 7 свести в форму табл. 4.

9. Выполнить эскизы элементов согласно номеру Вашего варианта (см. табл. 6). Эскизы выполняются в двух проекциях (сечение и вид сверху) с указанием п- и р-областей.

Требования к отчету

Отчет должен содержать:

1. титульный лист;

2. цель работы;

3. краткие теоретические сведения (2 – 4 с.);

4. заполненную форму табл. 4;

5. эскизы конструкций активных и пассивных элементов микросхем.

Контрольные вопросы

6. Какие разновидности конструкций резисторов ПМС вам известны? Каковы их основные параметры?

7. Какие конструкции конденсаторов ПМС вам известны? Каковы их основные параметры?

8. Нарисуйте эквивалентную схему диффузионного резистора на базовом слое.

9. Нарисуйте эквивалентную схему диффузионного конденсатора на основе р-п перехода база-коллектор.

10. Каковы назначение и особенности конструкции диффузионной перемычки? Какие конструкции контактных площадок ПМС вам известны?

11. Какие конструкции диодов ПМС вам известны? Каковы их основные параметры?

12. В чём состоит эффект оттиснения эмиттерного тока?

13. Нарисуйте эскиз конструкции биполярного транзистора ПМС.

14. Какие требования предъявляются к активным областям биполярного транзистора ПМС?

15. Какие разновидности конструкций биполярных транзисторов средней и большой мощности вам известны?

16. Изобразите конструкцию многоэмиттерного транзистора.

17. Нарисуйте условное обозначение многоэмиттерного биполярного транзистора.

18. Нарисуйте эскиз конструкции транзистора Шотки.

19. Нарисуйте эквивалентную схему транзистора Шотки.

20. Изобразите эскиз конструкции МДП-транзистора.

21. Изобразите эскиз конструкции полевого транзистора с управляющим р-п переходом.

22. Что представляют собой МДП ИС на комплементарных транзисторах?

23. Для чего предназначены тестовые элементы? Каковы их характерные признаки?

24. Для чего предназначены фигуры совмещения?

25. Каковы способы изоляции элементов в МДП ИС? Дайте их сравнительную характеристику.