Министерство образования Российской Федерации
Московский государственный институт электронной техники
(Технический университет)
Симонов б.М. Лабораторный практикум по курсу «Физические основы микроэлектроники»
Методические указания к выполнению лабораторных работ по курсам «Физические основы микроэлектроники», «Физические основы элементной базы ЭВС», «Твердотельная электроника и микроэлектроника»
Утверждено редакционно-издательским советом института
Москва 2007
УДК 621.382.3.32
Рецензент доктор физ.- мат наук, профессор Кольцов В.Б.
Симонов Б.М.
Лабораторный практикум по курсу «Физические основы микроэлектроники»
Методические указания к лабораторным работам по курсам «Физические основы микроэлектроники», «Физические основы элементной базы ЭВС»,»Твердотельная электроника и микроэлектроника». - М.: МИЭТ,2007. 31 с.: ил.
Лабораторный практикум включает две лабораторные работы, касающиеся принципов функционирования полевых (униполярных) транзисторов и элементов полупроводниковых интегральных схем. Рассмотрены принципы функционирования, конструкции и характеристики униполярных транзисторов микросхем: имеющих структуру металл - диэлектрик - проводник и полевых с управляющим р–n переходом, особенности конструкций и принципы работы элементов полупроводниковых микросхем.
Предназначен для студентов факультетов ЭТМО и ИМЭ, изучающих дисциплины «Физические основы микроэлектроники», «Физические основы элементной базы ЭВС», «Твердотельная электроника и микроэлектроника» а также для студентов других факультетов, обучающихся по смежным специальностям.
Содержание
Стр.
Лабораторная работа № 8 Изучение конструкций и характеристик униполярных транзисторов интегральных схем 4
Цель работы………………………………………………. 4
Аппаратура……………………………………………….. 4
Теоретические сведения………………………………… 4
МДП – транзисторы………………………………… … 4
Полевые транзисторы с управляющим р – n переходом………………... 10
Особенности МДП-транзисторов и ПТУП 14
Прибор для снятия BAХ полупроводниковых приборов………………. 15
Лабораторное задание…………………………………… 16
Методика выполнения работы………………………… 17
Порядок выполнения работы………………………… 17
Требования к отчету 20
Контрольные вопросы 20
Рекомендуемая литература…… 22
Лабораторная работа №9 Изучение конструкций и характеристик элементов полупроводниковых микросхем 23
Цель работы……………………………………………… 23
Аппаратура……………………………………………… 23
Теоретические сведения………………………………… 23
Термины и определения 23
Иерархическая структура конструкций ПМС 24
Резисторы ПМС 24
Конденсаторы ПМС 26
Элементы коммутации 28
Диоды ПМС 29
Биполярные транзисторы ПМС 30
МДП транзисторы ПМС 34
Полевые транзисторы с управляющим р-п переходом ПМС 36
Тестовые элементы, фигуры совмещения, базовые кристаллы 37
Способы изоляции элементов в ПМС 37
Лабораторное задание 38
Домашнее задание 38
Работа в лаборатории 38
Методика выполнения работы 38
Порядок выполнения работы 40
Требования к отчёту 41
Контрольные вопросы 41
Рекомендуемая литература 43
Лабораторная работа №8
Изучение конструкций и характеристик униполярных транзисторов интегральных схем
Цель работы: изучение принципа действия, статических характеристик и конструктивных особенностей униполярных транзисторов – МДП и полевых с управляющим р– n переходом – полупроводниковых микросхем (ПМС).
Продолжительность работы - 4ч.