2.1.7 Входные каскады на транзисторах супер-бэта

Биполярные транзисторы со сверхвысокими усилением по току( ), называемые транзистором типа супер-бэта, применяют во входных ДК для уменьшения входных токов и повышения дифференциального входного сопротивления. Однако для получения сверхвысоких приходится делать очень тонкую базу, вследствие чего такие транзисторы имеют низкое пробивное напряжение ( ).

Поэтому транзисторы типа супер-бэта включают по специальным схемам, обеспечивающим малое .

Рисунок 2.8 Схема входного каскада на транзисторах

Супер-бэта

Такая схема применена в ОУ 140УД14. Транзисторы VT1, VT2 – имеют сверхвысокие и включены как ДК с эмиттерной связью и ГСТ в цепи эмиттеров, условно обозначенного . являются включённые сОБVT3, VT4. Неизменность потенциалов их баз обеспечивается благодаря противофазности переменных составляющих их базовых токов.

От ГСТ питается ГМСН, выполненный на транзисторах VT5 и VT6. Он задаёт между точками аи б U=1,4В. Оно близко к сумме ( ). Благодаря этому транзисторы VT1 и VT2 работают при . Это не только предотвращает их пробой, но и снижает до 0.

Низкоомные нагрузки транзисторов VT1, VT2, близкие к , снижают до , что снижает входную ёмкость. Усиление по напряжению U обеспечивают транзисторы VT3, VT4. Ёмкость их коллекторных переходов не подключена к базе входов транзисторов VT1, VT2, поэтому не создаёт паразитной ОС.

Для защиты транзисторов VT1, VT2 от пробоя U_{вх.дифф.} между их базами включается встречно-параллельно БЭ двух дополнительных транзисторов.

2.1.8 Унч на интегральных микросхемах

УНЧ на интегральных микросхемах - это апериодические усилители, охваченные общей или местнойОС, или обеими одновременно. Они содержат большое число вспомогательных выводов, которые придают им универсальность, расширяют область применения.

Рисунок 2.9 Схемы УНЧ на интегральных микросхемах

Первый каскад (на транзисторе VT1) собран по схеме с ОЭ, второй каскад (VT2):

• ОЭ, если выходной сигнал снимается с выводов 8,9

• ОК – выходной сигнал снимается с 11 вывода

Выводы 3,5,10,11 (если он не выход), служат для подключения внешних конденсаторов, осуществляющих частотную коррекцию. Конденсатор к выводу 10 с R3 образуют фильтр в коллекторной цепи транзистора VT1 для уменьшения опасности возбуждения усилителя. При подключения конденсатора к выводам 3,5,11 ООС отсутствуют по переменному сигналу остаются местные ООС по току (R2, R7). R4, R5 обеспечивают смещение на эмиттерном переходе транзистора VT1 и одновременно образуют общую ООС усилителя.

Если требуется обеспечить высокоеR_вх интегрального усилителя, в его входном каскаде используют полевые транзисторы. Примером такого усилителя служит ИМС типа К284УЕ1.

Резистор R5 является нагрузкой в цепи истока ПТVT1 и частью коллекторной нагрузки БТVT2; одновременно R5 является элементом последовательной ООС по напряжению. R6 служит для защиты VT2 при коротком замыкании на выходе. Навесной резистор исключает шунтирование входа усилителя делителем R1, R2.

Рассмотренный усилитель может применяться в качестве входного каскада чувствительных усилителей, выходного каскада при передаче сигналов по кабелю (т.к. имеет малое R_вых) и других устройств, требующих большого R_вх и малого R_вых и стабильного К.