Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
OCE_4.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
6.52 Mб
Скачать

XI. Електронні підсилювачі

11.1. Принцип роботи підсилювача

Електронним підсилювачем називається пристрій, що містить електронні чи напівпровідникові прилади і призначений для збільшення потужності підвідного до його входу сигналу у вигляді струму чи напруги, що змінюються з плином часу. Потужність електричних коливань зростає за рахунок енергії джерела живлення, яким у більшості випадків є джерело постійного струму. Підсилені коливання підводяться до навантаження, що приєднується до вихідних затисків підсилювача. У будь-якому електронному підсилювачі є джерело електричних коливань - джерело сигналу, один чи більше електроперетворюючих приладів, джерело живлення і навантаження.

П ідсилення коливань можливо в колі з послідовним з'єднанням резистора RК і біполярного транзистора VT (рис. 11.1) У біполярному транзисторі у випадку невеликих змін напруги база — емітер uБЕ, а в польовому транзисторі — напруги затвор — витік uЗВ мають місце зміни відповідно колекторного струму іК і струму стоку іС.

Р

Рис. 11.1. Найпростіший підсилювач

озглянемо зміни струмів і напруг у колах найпростішого підсилювача на біполярному транзисторі (див. рис. 11.1), викликані змінами напруги база — емітер. Припускаємо, що до переходу база — емітер підводиться напруга uБЕ, яка є сумою напруги база — емітер у режимі спокою UБЕС і змінного синусоїдального ибе напруг. По вхідній характеристиці транзистора для кожного із значень напруги можна встановити величину струму бази іБ, а потім відобразити на графіку (рис. 11.2, г) його зміни з часом. Коли транзистор працює в активному режимі, між струмом колектора іК і струмом бази іБ є лінійна залежність іК=іБ, що графічно можна представити відрізком прямої (рис. 11.2, а). Колекторний струм іК (рис. 11.2, б) є пульсуючим. Він являє собою суму струму спокою ІКС відповідного напрузі UБЕС, і змінної складової іК, викликаної синусоїдальною напругою uбе: iККС+ік. При малих амплітудах змінної вхідної напруги UБEm струм ік можна вважати синусоїдальним.

Колекторний струм iК, створює на резисторі RK спад напруги iKRK. Взаємозв'язок між напругою uK і струмом iK виражається співвідношенням

(11.1)

Рис. 11.2. Струми і напруги в найпростішому підсилювачі на біполярному транзисторі:

а — взаємозв'язок струмів колектора і бази; б — колекторний струм; в — вихідні характеристики транзистора, г - струм бази; д— колекторна напруга

Залежність між струмом iК у колі лінійного елемента опором RK і напругою uK виді різниці напруг EK і iKRK графічно може бути відображена прямою, що проходить через точки з координатами іК=0, uK=EK i иK=0, iK=EK/RK.

Електричне коло (див. рис. 11.1) являє собою послідовне з'єднання лінійного і нелінійного елементів. Характеристики транзистора, що відображають залежності iК=f(uK) при ІБ=const, відомі. Для визначення струму в колі застосуємо метод перетинання. На сімействі вихідних характеристик побудуємо пряму АВ, що описується рівнянням (11.1). Її називають навантажувальною прямою. Очевидно, нахил цієї прямої залежить від опору резистора RK. Вона пройде більш полого, якщо опір RК виявиться більшим, і більш круто у випадку менших опорів RK.

Навантажувальна пряма перетинає ряд вихідних характеристик транзистора, отриманих при різних значеннях струму бази. Точки перетинання дозволяють визначити, який струм іК установлюється при заданій напрузі uК або, навпаки, якою буде напруга uК при відомому струмі іК. Одночасно для відомого значення струму бази іБ можна визначити величину струму іК і напругу uK.

По змінах струму з часом (рис. 11.2, б) і навантажувальної прямої АВ (рис. 11.2, в) можна визначити зміни напруги uK (рис. 11.2, д). Змінна складова колекторної напруги uK і підвідна на базу транзистора змінна напруга uб відрізняються по фазі на кут π.

На графіках відзначені значення напруг і струмів. Величини їх властиві малопотужним транзисторам. Передбачається, що в режимі спокою, тобто до подачі на базу транзистора змінної напруги, є постійна напруга спокою UБЕС=0,2 В, проходить струм бази спокою ІБС=0,05 мА, струм спокою колектора ІКС=5 мА і встановлюється колекторна напруга спокою UKC=6 В. Їхнім значенням відповідають положення точок спокою С (робочих точок) на графіках.

Режим спокою обраний так, що при невеликих (десятки мілівольтів) амплітудах вхідної синусоїдальної напруги UБm взаємозв'язок змін напруг і струмів електродів транзистора можна вважати лінійним. Змінна складова колекторної напруги виявиться синусоїдальною.

Навантажувальна пряма побудована для навантаження в колі колектора опором RK=1,2 кОм. Амплітуди змінних складових струмів і напруг відповідно рівні: IБm=0,05 мA, ікm=2,5 мA, Uкm=3 В. Приймемо, що амплітуда змінної складової напруги бази UБm=0,05 В, що відповідає значенню h11E=1 кOм, цілком припустимому для малопотужного транзистора. Співставивши зміни напруг і струмів, прийдемо до висновку про наявність у колі підсилення по напрузі і струму. Фаза напруги uК відрізняється від фази струму іБ, а отже, і від фази напруги uБ, на кут . Якщо опір навантаження RK збільшити, відзначені зміни напруги ик можуть бути досягнуті при менших амплітудах змінної складової колекторного струму 1кm і менших амплітудах напруги UБm. Навпаки, у випадку зменшення опору RK при змінах струму ік у тих же межах амплітуда змінної складової колекторної напруги Uкm стане меншою. З урахуванням фазового зсуву напруг ик і иБ визначимо відношення Кu.= - Uкm/UБm. Як відомо, ІБm=h11EUБm, 1кm=h21EIБm, Uкm=—1кmRK. Тому

(11.2)

У нашому прикладі

Якщо напругу зсуву UБЕС на емітерний перехід не подавати, то в режимі спокою транзистор буде закритий, а при подачі на його вхід змінної напруги досить великої амплітуди будуть з'являтися імпульси колекторного струму.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]