
- •Физика полупроводников
- •Полупроводниковые диоды
- •Биполярные транзисторы
- •Полевые структуры
- •Основные соотношения для решения задач
- •Физика полупроводников
- •Полупроводниковые диоды
- •Биполярные транзисторы
- •Полевые структуры
- •Расчет диффузионных процессов. Окисление
- •Частые материалы. Получение структур методом сплавления
- •Свойства интеграла ошибок
- •Числовые значения функции дополнения интеграла ошибок
- •Важнейшие электрофизические характеристики полупроводниковых материалов Электрофизические характеристики арсенида галлия GaAs и
- •Электрофизические характеристики некоторых материалов
- •Физические постоянные
- •Коэффициенты преобразования
- •Некоторые характеристики электродных материалов
- •Физические характеристики пленок нитрида кремния
Коэффициенты преобразования
1А=1010м=*10-8см=0,1нм
1эВ=1,602*10-19Дж
1Дж=107эрг
Некоторые характеристики электродных материалов
Материал |
Удельное сопротивление, 10-8 Ом*см |
Удельная теплопроводность, Вт/(м* ˚С) |
Алюминий |
2,65 |
217 |
Золото |
2,44 |
310 |
Никель |
7,24 |
- |
Олово |
11,5 |
63 |
Молибден |
5,14 |
147 |
Вольфрам |
5,51 |
172 |
Индий |
8,38 |
113 |
Физические характеристики пленок нитрида кремния
Плотность, кг/м2 |
3170…3440 |
Температурный коэффициент расширения, ˚С |
2,7*10-6 |
Удельное сопротивление при Т=300К, Ом*см |
1012…1013 |
Относительная диэлектрическая проницаемость |
6…10 |
Электрическая прочность, В/м |
1,5*105 |
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. 3и С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. : Пер. с англ. - 2-е перераб. и доп. ИЗД. - М.: Мир, 1984.
2. Соклоф С. Аналоговые интегральные схемы: Пер. с англ, - М.: Мир, 1988. - 583 с.
3. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление: Пер. с англ. - М.: Мир, 1985. - 501 с.
4. Тутов Н.М., Глебов КА., Чарыков Н.А Полупроводниковые приборы.
Учебник для вузов; Под ред. В.А Лабунцова. - М.: Энергоатомиздат, 1990. - 576 с.