- •К практическим занятиям и расчетно-графическим работам
- •160400, 160801 – Ракетостроение,
- •151001, 151900 - Технология машиностроения,
- •230101 – Автоматизация систем обработки информации и управления
- •160400, 160801 – Ракетостроение,
- •Тема 1. Свойства полупроводниковых элементов
- •Связь между током, напряжением и сопротивлением в цепи
- •1.2. Свойства и параметры полупроводниковых p-n-переходов
- •Тема 2. Схемы на основе диодов и стабилитронов
- •2.1. Оценка параметров диодов в цепи с различными источниками эдс
- •2.3. Пример расчета параметров источника стабильного питания
- •1. Расчет мощности обмоток трансформатора для мостовой схемы
- •Тема 3. Расчет параметров транзисторных ключей
- •3.2. Динамический (переходный) режим работы ключа
- •Тема 4. Расчет параметров усилителей на транзисторах
- •Тема 5. Источники стабилизированного питания
- •5.1. Параметрические линейные стабилизаторы
- •5.2. Компенсационные стабилизаторы с операционным усилителем
- •Тема 6. Расчет параметров активных фильтров
- •6.1. Дифференциатор на оу. Фильтр высоких частот
- •6.2. Интегратор на оу. Фильтр низких частот.
- •6.3. Примеры схем активных фильтров первого порядка
- •6.4. Примеры схем активных фильтров второго порядка
- •Тема 7. Свойства и параметры одновибраторов и генераторов
- •7.1. Автоколебательный мультивибратор.
- •7.2. Автоколебательный генератор на операционных усилителях
- •7.3. Ждущий мультивибратор на биполярных транзисторах.
- •Тема 8. Формирователи импульсов и элементы синхронизации Цель занятия: Рассчитать параметры усилителя–формирователя импульсов с использованием дифференцирующих и интегрирующих rc-цепей
- •8.1. Пассивные фильтры
- •8.2. Формирование задержанного импульса
- •8.3. Формирование коротких импульсов
- •8.4. Пороговые устройства (триггеры Шмитта) на базе компаратора
- •К практическим занятиям и расчетно-графическим работам
- •160400, 160801 – Ракетостроение,
- •151001, 151900 - Технология машиностроения и приборостроения,
- •230101 – Автоматизация систем обработки информации и управления.
- •426069, Г.Ижевск, Студенческая,7
Тема 1. Свойства полупроводниковых элементов
Цель занятия: приобретение умений и навыков при оценке
параметров идеализированных полупроводников
* В электронике размерности системы СИ часто подменяют размерностями из системы СГС [1].
Связь между током, напряжением и сопротивлением в цепи
Если к проводнику длиной l приложена разность потенциалов (φА–φВ) = U, то напряженность электрического поля Е в проводнике составит: E = U/l, [В/м],
В
где U падение напряжения на участке цепи: (φА–φВ) = U = ∫E∙dl, [В]. (1.1)
А
Если в единице объема проводящего материала протекает n свободных электронов со средней скоростью их дрейфа νd (см/c) и электроны имеют заряд е, то
за время Δt через поперечное сечение – s этого проводника пройдет заряд Δq :
Δq = e∙n∙νd∙s∙Δt [Кл] = (А∙с)∙(1/cм3)∙(см/c)∙(cм2)∙(c) = [А∙с], (1.2)
где νd - скорость дрейфа электронов [см/c] можно определить из выражения:
νd
= μ∙E,
[(см2/В∙c)∙(В/м)]
= [см/c], (μ
- подвижность
электронов – справ.) (1.3)
Вычислим ток, разделив (1.2) на Δt: I = (Δq/Δt) = [Кл/с] = (А∙с/с) = [А], (1.4)
либо, вычислим полный ток, подставив (1.3) и (1.1) в выр. (1.4):
I = e∙n∙νd∙s = e∙n∙μ∙s∙(U/l) = (σ∙s/l)∙U = U∙g = U/R, [А], (1.5)
где сила тока I зависит от длины и площади поперечного сечения проводника.
Электрический ток – есть величина динамическая и для рабочей цепи зависит от приращения заряда во времени Δq/Δt, с учетом проводящих свойств материала, т.е. зависит от величины заряда, числа свободных электронов и их подвижности μ.
Удельная проводимость: σ = j/E = (1/ρ) = (e∙n∙μ) = e∙(μn∙n+μp∙p), [1/Ом*м]. (1.6)
определяет проводящие свойства материала, т.е. его «уд. Электропроводность σ ».
Между проводимостью и сопротивлением существует соотношение:
g = (1/R) = (σ∙s/l), [1/Ом]; R = ρ∙(l /s) = l /(σ∙s) = l /(e∙n∙μ∙s). (1.7)
где
уд. сопр.: ρ
= (1/σ) = E/j
= E/(e∙n∙μ∙E)
= [1/(e∙n∙μ)]
= R/(l/s),
[Ом∙м]. (1.8)
По величине (ρ) все материалы можно разделить на три группы (табл. 1):
– проводники (металлы и их сплавы): ρ = 0,015÷15 [Ом∙мм2/м]; σМЕТ ≥ 102;
– полупроводники и электролиты: ρ = 10–5 ÷ 108 [Ом∙мм2/м]; σПП = 10–8 ÷105;
– диэлектрики (изоляторы): ρ = 1010 ÷ 1014 [Ом∙мм2/м]. σДИЭЛ ≤ 10–10;
Таблица №1.1. Удельные сопротивления материалов, используемых в электронике
n |
Хим. элемент |
Материал |
ρ = (Ом•мм2/м) = (Ом•м) |
α = (+) ТКС при Т = 20оС |
1* |
Ag |
Серебро |
0,016 |
0,0035 (эВ/К). |
2* |
C |
Медь |
0,017 или (1,7·10–6 Ом·см) |
0,004 (эВ/К). |
3* |
Au |
Золото |
0,023 |
0,0036 (эВ/К). |
4* |
Al |
Алюминий |
0,028 * |
0,004 (эВ/К). |
5 |
Fe |
Железо, (Сталь) |
0,056 , (0,1 – 0,137) |
0,05 (эВ/К). |
6 |
Ge (пример) |
Германий |
60 [Ом·см] |
(–) ТКС (эВ/К). |

u