3.6. Определение типа проводимости транзистора при помощи омметра.

Для определения типа проводимости транзистора необходимо определить вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают к одному выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двух других выводов транзистора (рис. 3.8).

Количество вариантов подключения выводов омметра к выводам транзистора – 6.

1) Необходимо найти такой вариант подключения омметра, при котором подключение второго вывода омметра к каждому из двух свободных выводов транзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствуют небольшому сопротивлению. При этом можно констатировать, что оба перехода открыты.

В таком случае вывод транзистора, к которому подключен первый вывод омметра является выводом базы.

2) Если первый вывод омметра является +, то это значит, что транзистор имеет n-p-n проводимость, а если минусовым, то транзистор имеет p-n-p проводимость.

Если величина измеренного сопротивления омметра между базой и эмиттером несколько больше (например, 645 Ом), чем измеренное сопротивление между базой и коллектором (например, 637 Ом), то вывод с большим сопротивлением является эмиттером, а вывод с меньшим сопротивлением является коллектором.

Т аблица 3.5.

Определение типа транзистора

1 (Б)	2 (Э)	3 (К)
+	1	645
1	+	645
1	1	+
-	1	1
1	-	1
639	639	-

Цоколевка (изображение выводов) транзисторов приведена в таблице № 3.4.

Контрольные вопросы к лабораторной работе №3:

1. Описать по 1-му закону Кирхгофа зависимость токов в транзисторе.

2. Описать по 2-му закону Кирхгофа зависимость напряжений на p-n-переходах.

3. Написать выражения для определения токов: I_Б; I_К; I_Э.

4. Назвать режимы (области) работы транзистора и указать их свойства.

5. Назвать схемы включения транзистора и указать их свойства.

6. Какой смысл несут параметры: h, Z и Y и как их определяют?

7. Для чего и как построить линию нагрузки по выходной характеристике?

Рекомендуемая литература

1. Гусев В.Г. Электроника. – М.: Высш. шк., 2003. - 616 с.

2. Кононенко В.В. Электротехника и электроника.– Ростов н/Д.: Феникс, 2004. -740 с.

3. В.А. Прянишников. Электроника. Курс лекций. - СПб.: Корона, 2000. - 415 с.

4. Рекус Г.Г., Чесноков В.Н. Лабораторный практикум по электротехнике

с основами электроники. – М.: Высш. шк., 2001. - 250 с.

5. Березкина Т.Ф., Гусев Н.Г. Задачник по общей электротехнике

с основами электроники. – М.: Высш. шк., 2001. - 377 с.

6. Тарабрин В.П. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник. – М.: Энергоатомиздат, 1987. - 440 c.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

Исследование амплитудно-частотных характеристик (ачх) и усилительных свойств биполярного транзистора в схеме с оэ

Цель работы:

Исследование динамических - амплитудно-частотных характеристик

биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

Задание:

1. Исследовать усилительные свойства биполярного транзистора (в схеме с ОЭ)

при синусоидальном входном напряжении с заданной частотой и амплитудой.

2. Выполнить анализ параметров схемы: Z_i, R_i, и коэффициентов К_U, K_i и Кр.

3. Используя эпюры напряжения U_ВЫХ определить к какому классу (А, В или С)

можно отнести данную однокаскадную схему усилителя.

Приборы и оборудование

1. Стенд универсальный исследования параметров маломощных транзисторов;

3. Универсальный источник питания (ЭДС): U_Раб ≤ 12 В; I_Раб ≤ 0,06 А;

4. Измерительные приборы (мультиметры): I_ИЗМ ≤ 0,10 А; U_ИЗМ ≤ 20 В;

5. Генератор синусоидальных сигналов: Г3-102 или однотипный;

6. Осциллограф: С1-55 – С1-118 или однотипный.