3.5. Построение графиков статических характеристик транзистора

По результатам наблюдений (табл. 3.1 и 3.2) в прямоугольной системе координат строят семейства входных и выходных статических характеристик исследуемого транзистора (рис. 3.5 и рис. 3.6).

Для определения h-параметров транзистора следует воспользоваться методом характеристического треугольника.

Для этого на входных характеристиках транзистора (рис. 3.5) строят треугольник (а, b, с) по которому находят: все h-параметры.

h₁₁ = U₁/I₁ = (∆U_Б/∆I_Б) при U_КЭ = 0. (входное сопротивление)

Например, при ∆U_ЭБ= bc = 60 mВ и ∆I_Б = аb = 0,015 mА, h₁₁ ≈ 4000 Ом.

Из этого же треугольника определяют h₁₂.

h₁₂ = U₂/U₁ = (∆U_БЭ/∆U_КЭ) при I_Б = 0. (обратный коэффициент передачи U).

Например, при ∆U_БЭ(bс, рис. 3.5) = 60 mВ и ∆U_КБ = 1 – 0 = В, h₁₂ ≈ 0,06.

Параметры h₂₁ и h₂₂ определяют по выходным характеристикам транзистора, где, по оси абсцисс отложены отрицательные значения напряжений.

Построив характеристический треугольных (е, n, к) находят:

β = h₂₁ = I₂/I₁ = (∆I_К/∆I_Б) при U_КЭ = 0. (прям. коэффициент передачи тока).

Например, при ∆I_К≈ 30–20=10 mA и при ∆I_Б =0,06–0,01=0,05 mА, β = h₂₁ = 200.

h₂₂ = I₂/U₂ = (∆I_К/∆U_КЭ) при I_Б = 0. (выходная проводимость)

Например, при ∆I_К ≈1 mA и ∆U_КБ=2,5-1,25 =1,25 В, h₂₂=g ≈10^-3/1,25=8·10^-4[Сим].

Полное сопротивление 4-х-полюсника (схемы с ОЭ) составит:

Z₁₂ = h₁₂ / h₂₂ = 0,06/0,0008 = 75 Ом.

Полная проводимость 4-х-полюсника (схемы с ОЭ) составит:

Y₁₂ = h₁₂ / h₁₁ = 0,06/4000 = 0,0000Х Сим.

Вычисленные значения h, R и Z – статические параметры транзистора записать в таблицу отчета.

Статические параметры исследуемых транзисторов приведены в табл. 3.3

Пример изображения ВАХ и АЧХ транзистора КТ315 приведен на рис. 3.7.

Графики входных и выходных статических ВАХ транзистора, а также график передаточной функции схемы необходимо построить, используя графические системы ACAD, COMPAS и аналогичные, а также EXEL.

Полученные данные в Л.Р. №3 необходимо сохранить для последующего их использования в Л.Р.№4 при исследовании динамических характеристик транзистора в усилителе на транзисторе по схеме с ОЭ!

Таблица 3.3. Электрические параметры биполярных транзисторов 1985 – 2005 г.

№	Тип пров.	Шифр	h_21Э (β)	U_КЭ (В)	I_К.Мах (А)	P_Мах (Вт)	f_ГР. мГц	I_КЭо μА	U_кэ _Нас	Т^оК _Мах	№ Рис.
1a	n-p-n	КТ201	20…60	20	0,03	0,15	10	1	1 B	348	1
1b	p-n-p	КТ203	15…40	30	0,03	0,15	10	1	0,4	348	1, 2
2a	n-p-n	КТ206	40…80	15	0,05	0,15	5	1	1 B	368	3
2b	p-n-p	КТ208	20…60	20	0,05	0,20	5	1	0,3	368	11
3a	n-p-n	КТ503	40..120	40	0,15	0,35	5	1	0,6	398	7
3b	p-n-p	КТ502	40…120	40	0,15	0,35	5	1	0,6	398	7
4a	n-p-n	КТ504	15…50	300	0,50	0,50	20	10	1,0	398	6
4b	p-n-p	КТ501	20…60	15	0,30	0,35	5	1	0,4	398	2
5a	n-p-n	КТ312	25…60	20	0,06	0,20	80	1	0,5	348	3
5b	p-n-p	КТ313	30…100	50	0,35	0,15	200	0,5	0,5	348	1
6a	n-p-n	КТ315	20…90	25	0,10	0,15	150	1	0,4	368	9
6b	p-n-p	КТ361	20…80	25	0,05	0,15	100	1	0,4	368	9
7a	n-p-n	КТ339	25…50	25	0,15	0,25	100	1	-	348	2, 13
7b	p-n-p	КТ337	30…60	12	0,05	0,15	500	1,0	0,2	393	10
8a	n-p-n	КТ342	25…250	30	0,05	0,25	100	1	0,1	393	1
8b	p-n-p	КТ343	30…60	17	0,05	0,15	100	1	0,3	393	1
9a	n-p-n	КТ358	25…100	15	0,06	0,20	80	10	0,8	393	7, 8
9b	p-n-p	КТ357	20…100	12	0,04	0.15	100	5	0,3	393	7, 8
10a	n-p-n	КТ3102	100…250	30	0,10	0,25	100	0,05	0,5	358	1, 7, 8
10b	p-n-p	КТ3107	70…140	30	0,10	0,30	200	0,1	0,5	358	1, 7, 8
11a	n-p-n	КТ373	20…60	10	0,05	0,15	600	0,5	0,4	393	11
11b	p-n-p	КТ3126	25…100	30	0,03	0,15	500	0,5	0,4	373	7, 8
12a	n-p-n	КТ3117	40… 200	60	0,06	0,30	200	10	0,6	348	1, 7, 8
12b	p-n-p	КТ3127	25…150	20	0,06	0,10	600	1,0	0,4	373	13
13а	n-p-n	ГТ311	20…60	20	0,08	0,30	250	0,5	0,3	358	16
13б	p-n-p	ГТ313	100…250	25	0,08	0,15	100	0,05	0,1	368	16
14а	n-p-n	ГТ341	50…150	15	0,05	0,10	1000	5,0	0,3	357	12
14б	p-n-p	ГТ346	50…150	15	0,05	0,10	700	5,0	0,3	357	12
15a	n-p-n	КТ316	20…60	10	0,06	0,15	600	0,5	0,4	393	1
15b	p-n-p	КТ326	25…100	30	0,06	0,15	500	0,5	0,4	373	13
16a	n-p-n	КТ368	50…300	15	0,13	0,22	900	0,5	0,4	358	13
16b	p-n-p	КТ363	20…120	18	0,13	0,15	1000	0,5	0,35	358	7, 8
17b	n-p-n	КТ3142	25…100	40	0,15	0,30	600	1,0	0,4	373	7, 8
17b	p-n-p	КТ3128	25…100	40	0,15	0,30	600	1,0	0,4	373	7, 8
18a	n-p-n	КТ608	25…80	60	0,4	0,50	100	10	1,0	393	18, 19
18b	p-n-p	КТ626	30…80	45	0,45	3	45	10	0,85	358	20
19a	n-p-n	КТ630	40…120	60	0,2	0,5	50	1,0	0,3	358	6
19b	p-n-p	КТ632,9	40…100	45	0,8	3	80	0,1	0,50	368	19
20a	n-p-n	КТ646	40…200	60	0,8	3	200	10	0,85	368	19
20b	p-n-p	КТ644	40…100	45	0,8	3	80	0,1	0,50	368	19
21a	n-p-n	КТ972	>750	60	3	8	100	1ма	1,5	368	21
21b	p-n-p	КТ973	>750	60	3	8	100	1ма	1,5	368	21
22a	n-p-n	КТ815	40…80	36	1,5	10	3	50	0,6	363	21
22b	p-n-p	КТ814	40…80	36	1,5	10	3	50	0,6	363	21
23a	n-p-n	КТ817	25…60	36	6	25	3	100	0,6	363	21
23b	p-n-p	КТ816	25…60	36	6	25	3	100	0,6	363	21
24a	n-p-n	КТ819	15…60	32	10	60	3	1 ма	2,0	378	22, 23
24b	p-n-p	КТ818	15…60	32	10	60	3	1 ма	2,0	378	22, 23
25a	n-p-n	КТ827	>750	32	20	120	4	1 ма	2,0	393	23
25b	p-n-p	КТ825	>750	32	20	120	4	1 ма	2,0	393	23
26a	n-p-n	КТ829	>750	35	5	40	7	200	2,0	378	24
26b	p-n-p	КТ853	>750	35	5	40	7	200	2,0	378	24

* транзисторы сгруппированы в 2 строки - комплементарными парами.

Таблица 3.4. Расположение выводов на корпусе транзистора (цоколевка)

1	2	3 (старые)	4	5 (старые)	6
КТ201, 203, КТ313, 326	КТ501 КТ208, 339	КТ301,302, КТ312,	КТ306, КТ	точ. ГТ308, 321, П416	КТ504, npn КТ630, npn

7	8	9	10	11	12
КТ502, 503, КТ3102-3143	КТ3102- - КТ3143	КТ315, КТ361	КТ337(р)	КТ208, КТ373	КТ3102-3142, ГТ346

13	14 (старые)	15 (старые)	16	17 (старые)	18
кор КТ316, 346, КТ368,ГТ328	ГТ402, 404, П416, П307	ГТ403, ГТ308 (Э-точка)	ГТ328, ГТ338 ГТ311, ГТ313	МП16 – 42	КТ601 - 608

19 (вариант)	20 (вариант)	21	22 (вариант)	23 (вариант)	24
КТ601 – 639, 644, 646	КТ626	КТ814 – 817 КТ940-КТ973	КТ805,35,37 КТ818, 819	КТ812-846	КТ829 – 872

25 (старые)	26 (старые)	27 (старые)	28 (старые)	29	30
П214, П217	КТ801	КТ802 – 808	КП103 (p-кан)	КП302 (n-кан)	И ко КП303,307 n-к

31 (старые)	32 (старые)	33 (старые)	34 (старые)	35	36
p-n КП901 (n-кан)	из КП902 (n-кан)	p-n КП903 (n-кан)	из КП904 (n-кан)	З И КП912	З И КП922 (n-кан)