3. Рассчитайте эдс элемента

(C), SnSO₄,SnOSO₄ KClO₃, KCl, H₂SO₄(Pt)

если концентрации электролитов равны C_B(SnSO₄)=0,003M, C_B(SnOSO₄)=0,05M, C_B(KCl)=0,05M, C_B(KClO₃)=0,02M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

Задание № 9

1. Типы связей в веществе. Полярность связи, ковалентные и ионные связи. Вандерваальсовское взаимодействие. Водородная связь. Донорно-акцепторные связи. Связь типов связей в телах и свойств тел.

2. Рассчитайте эдс элемента

CrCr₂(SO₄)₃CdSO₄Cd

если концентрации электролитов равны C_B(Cr₂(SO₄)₃)=0,08M, C_B(CdSO₄)=0,04M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

3. Концентрация собственных носителей в кремнии 10¹⁶м^-3. Рассчитайте изменение количества носителей, если уровень содержания алюминия в образце 10^-4% и эффективность возникновения носителей 10^-3. Укажите тип полученного полупроводника и преобладающий тип носителей. Плотность равна 2,33 г/см³.

Задание № 10

1. Диэлектрики. Структура диэлектриков. Поляризация диэлектриков и диэлектрическая проницаемость. Основные виды поляризации диэлектриков. Неорганические диэлектрики и их применение. Органические диэлектрики и их применение. Диэлектрические потери. Способы проводимости в диэлектриках.

2. Определите силу тока, которую следует создать в цепи, что бы получить покрытие из золота на поверхности проволоки длиной 2см и диаметром 1мм толщиной 0,01мм из раствора хлорида трехвалентного золота за 20 мин.

3. Рассчитайте эдс элемента

(C), Na₂FeO₄, Fe₂(SO₄)₃, H₂SO₄CuSO₄Cu

если концентрации электролитов равны C_B(Na₂FeO₄)=0,08M, C_B(Fe₂(SO₄)₃)=0,01M, C_B(CuSO₄)=0,05M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

Задание № 11

1. Полупроводниковые материалы. Собственные и примесные полупроводники. Типы полупроводниковых материалов. Температурная зависимость проводимости полупроводников. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Полупроводники с контролируемой валентностью. Создание и применение гетероструктур. Примеры применения полупроводников в контролирующих и измерительных приборах.

2. Рассчитайте эдс элемента

CrCr₂(SO₄)₃ZnSO₄Zn

если концентрации электролитов равны C_B(Cr₂(SO₄)₃)=0,03M,C_B(ZnSO₄)=0,7M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

3. Концентрация собственных носителей в германии 2,510¹⁹м^-3. Рассчитайте изменение количества носителей, если уровень содержания фосфора в образце 10^-3% и эффективность возникновения носителей 10^-2. Укажите тип полученного полупроводника и преобладающий тип носителей. Плотность равна 5,32 г/см³.

Задание № 12

1. Классификация магнитных материалов. Парамагнетики, диамагнетики и ферромагнетики. Доменная структура ферромагнетиков. Антиферромагнетики. Магнитомягкие и магнитотвердые материалы, области применения.

2. Укажите тип покрытий олово на меди и на железе. Какие процессы будут протекать при электрохимической и химической коррозии в нейтральной среде? Приведите уравнения катодных и анодных процессов.