Задание № 1

1. Материалы, применяемые в радиотехнике: проводники, диэлектрики и полупроводники. Металлы и неметаллы. Разделение веществ по магнитной восприимчивости. Области и цели применения.

2. Рассчитайте ЭДС элемента

AlAl₂(SO₄)₃NiSO₄Ni

если концентрации электролитов равны C_B(Al₂(SO₄)₃)=0,05M, C_B(NiSO₄)=0,01M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

3. Концентрация собственных носителей в германии 2,510¹⁹м^-3. Рассчитайте изменение количества носителей, если уровень содержания алюминия в образце 10^-5% и эффективность возникновения носителей 10^-2. Укажите тип полученного полупроводника и преобладающий тип носителей. Плотность равна 5,32 г/см³.

Задание № 2

1. Теория твердого тела. Валентная зона. Зона проводимости. Запрещенная зона. Величины зон в проводниках, полупроводниках и диэлектриках. Регуляция величины зон механической обработкой и легированием.

2. Найти массу алюминия, который выделится при пропускании тока силой 5А в течение 1 часа через расплав Na₃AlF₆. Составить уравнение электролиза.

3. Рассчитайте эдс элемента

Pt(H₂)H₂SO₄K₄[Fe(CN)₆], K₃[Fe(CN)₆](Pt)

если концентрации электролитов равны C_B(H₂SO₄)=0,001M, C_B(K₄[Fe(CN)₆])=0,015M, C_B(K₃[Fe(CN)₆])=0,05M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

Задание № 3

1. Газообразное, жидкое и твердое состояние вещества. Интенсивность связей и условия переходов между ними. Аморфные и кристаллические твердые тела. Зонная теория твердого тела. Проводники, диэлектрики и полупроводники.

2. Рассчитайте эдс элемента

SnSnSO₄Cr₂(SO₄)₃Cr

если концентрации электролитов равны C_B(SnSO₄)=0,8M, C_B(Cr₂(SO₄)₃)=0,03M, , . Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.

3. Концентрация собственных носителей в кремнии 10¹⁶м^-3. Рассчитайте изменение количества носителей, если уровень содержания мышьяка в образце 10^-3% и эффективность возникновения носителей 10^-3. Укажите тип полученного полупроводника и преобладающий тип носителей. Плотность равна 2,33 г/см³.

Задание № 4

1. Кристаллическое и аморфное состояние твердого тела. Атомная (ковалентная) кристаллическая решетка. Ионная кристаллическая решетка. Молекулярная кристаллическая решетка. Основные типы решеток в металлах. Примитивные и центрированные решетки. Основные элементы симметрии различных типов решеток. Типы связей в кристаллах и соединениях. Растворы внедрения и замещения, примеры соединений и сплавов.

2. Найти толщину слоя меди, который выделится при пропускании тока силой 3А в течение 20 минут через водный раствор CuSO₄ на кубе с ребром 15 см. Составить уравнение электролиза.

3. Рассчитайте ЭДС кислородно-водородного топливного элемента, если давление кислорода 0,8 атм и рН в полуэлементе равно 11, а давление водорода равно 1,1 атм и рН в полуэлементе равно 2,5. Напишите уравнения катодного и анодного процессов, токообразующей реакции, укажите движение электронов и ионов.